芯片是以高純度的單質(zhì)硅為材料制成的．用化學(xué)方法制得高純硅的反應(yīng)原理為：①SiO2＋2CSi＋2CO↑，②Si＋2Cl2SiCl4，③SiCl4＋2H2Si＋4HCl，下列說法正確的是

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A．①②③分別屬于不同類型的反應(yīng)

B．①②③中硅的化合價都發(fā)生了變化

C．SiO2和SiCl4中硅的化合價相同

D．制得的高純硅屬于金屬材料

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：初中化學(xué) 來源： 題型：

芯片是以高純度的單質(zhì)硅為材料制成的．用化學(xué)方法制得高純硅的反應(yīng)原理為：①SiO2+2C
 高溫 
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Si+2CO↑，②Si+2Cl2
 高溫 
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SiCl4，③SiCl4+2H2
 高溫 
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Si+4HCl，下列說法正確的是（　�。�

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科目：初中化學(xué) 來源： 題型：多選題

芯片是以高純度的單質(zhì)硅為材料制成的．用化學(xué)方法制得高純硅的反應(yīng)原理為：

①SiO2+2C數(shù)學(xué)公式Si+2CO↑，②Si+2Cl2數(shù)學(xué)公式SiCl4，③SiCl4+2H2數(shù)學(xué)公式Si+4HCl，

下列說法正確的是


  1. A.
    ①②③分別屬于不同類型的反應(yīng)
  2. B.
    ①②③中硅的化合價都發(fā)生了變化
  3. C.
    SiO2和SiCl4中硅的化合價相同
  4. D.
    制得的高純硅屬于金屬材料

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科目：初中化學(xué) 來源：不詳 題型：多選題

芯片是以高純度的單質(zhì)硅為材料制成的．用化學(xué)方法制得高純硅的反應(yīng)原理為：①SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO↑，②Si+2Cl2
 高溫 
.
 
SiCl4，③SiCl4+2H2
 高溫 
.
 
Si+4HCl，下列說法正確的是（　�。�
A．①②③分別屬于不同類型的反應(yīng)
B．①②③中硅的化合價都發(fā)生了變化
C．SiO2和SiCl4中硅的化合價相同
D．制得的高純硅屬于金屬材料

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科目：初中化學(xué) 來源：2012年江蘇省蘇州市張家港市中考網(wǎng)上閱卷適應(yīng)性考試化學(xué)試卷（解析版） 題型：選擇題

芯片是以高純度的單質(zhì)硅為材料制成的．用化學(xué)方法制得高純硅的反應(yīng)原理為：①SiO2+2CSi+2CO↑，②Si+2Cl2SiCl4，③SiCl4+2H2Si+4HCl，下列說法正確的是（ ）
A．①②③分別屬于不同類型的反應(yīng)
B．①②③中硅的化合價都發(fā)生了變化
C．SiO2和SiCl4中硅的化合價相同
D．制得的高純硅屬于金屬材料

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