硅元素的符號(hào)為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．用化學(xué)方法可制得高純硅，其化學(xué)方程式為：①SiO2+2C
 高溫 
.
 
Si+2CO②Si+2Cl2
 點(diǎn)燃 
.
 
SiCl4③SiCl4+2H2
  △  
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Si+4HC，上述反應(yīng)中，反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于（　�。�
A．化合反應(yīng)B．分解反應(yīng)C．置換反應(yīng)D．都不是
由化學(xué)方程式可知，①③反應(yīng)中的反應(yīng)物和生成物都是一種單質(zhì)和一種化合物，屬于置換反應(yīng)；②中的反應(yīng)物是兩種，生成物是一種，屬于化合反應(yīng)．
故選A
練習(xí)冊(cè)系列答案
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科目：初中化學(xué) 來源： 題型：

硅元素的符號(hào)為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．用化學(xué)方法可制得高純硅，其化學(xué)方程式為：①SiO2+2C
 高溫 
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Si+2CO②Si+2Cl2
 點(diǎn)燃 
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SiCl4③SiCl4+2H2
  △  
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Si+4HC，上述反應(yīng)中，反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于（　�。�
A、化合反應(yīng)B、分解反應(yīng)
C、置換反應(yīng)D、都不是

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科目：初中化學(xué) 來源：《6.1 金剛石、石墨和C60》2010年同步練習(xí)（5）（解析版） 題型：選擇題

硅元素的符號(hào)為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．用化學(xué)方法可制得高純硅，其化學(xué)方程式為：①SiO2+2CSi+2CO②Si+2Cl2SiCl4③SiCl4+2H2Si+4HC，上述反應(yīng)中，反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于（ ）
A．化合反應(yīng)
B．分解反應(yīng)
C．置換反應(yīng)
D．都不是

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科目：初中化學(xué) 來源：2005年廣東省廣州市海珠區(qū)中考化學(xué)一模試卷（解析版） 題型：選擇題

硅元素的符號(hào)為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．用化學(xué)方法可制得高純硅，其化學(xué)方程式為：①SiO2+2CSi+2CO②Si+2Cl2SiCl4③SiCl4+2H2Si+4HC，上述反應(yīng)中，反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于（ ）
A．化合反應(yīng)
B．分解反應(yīng)
C．置換反應(yīng)
D．都不是

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科目：初中化學(xué) 來源：2004年江蘇省鎮(zhèn)江市中考化學(xué)試卷（解析版） 題型：選擇題

硅元素的符號(hào)為Si單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．用化學(xué)方法可制得高純硅，其化學(xué)方程式為：①SiO2+2CSi+2CO②Si+2Cl2SiCl4③SiCl4+2H2Si+4HC，上述反應(yīng)中，反應(yīng)②的反應(yīng)類型屬于（ ）
A．化合反應(yīng)
B．分解反應(yīng)
C．置換反應(yīng)
D．都不是

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