Question

砷化鎵屬于第三代半導(dǎo)體，它能直接將電能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽�，砷化鎵燈泡壽命是普通燈泡�?00倍，而耗能只有其10%，推廣砷化鎵等發(fā)光二極管（LED）照明，是節(jié)能減排的有效舉措，已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖。試回答下列問題

（1）下列說法正確的是     ▲       （選填序號(hào)）。
A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同   B．第一電離能：As＞Ga
C．電負(fù)性:As＞Ga               D．砷和鎵都屬于p區(qū)元素
E．半導(dǎo)體GaP、SiC與砷化鎵為等電子體
（2）砷化鎵是將(CH₃)₃Ga和AsH₃用MOCVD方法制備得到， 該反應(yīng)在700℃進(jìn)行，反應(yīng)的方程式為：          ▲           。
AsH₃空間形狀為：     ▲      (CH₃)₃Ga中鎵原子雜化方式為：     ▲     。
（3）Ga的核外電子排布式為：      ▲       。
（4）AsH₃沸點(diǎn)比NH₃低，其原因是：        ▲       。

Answer 1

（1）BCDE
（2）(CH₃)₃Ga+AsH₃ GaAs+3CH₄
(或：)。三角錐，sp²
（3）1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹
 
（4）NH₃分子間能形成氫鍵，而As電負(fù)性小，半徑大，分子間不能形成氫鍵。解析:
本題只是把選修3中新增知識(shí)點(diǎn)簡單羅列。（1）中要能識(shí)別砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)和NaCl的簡單立方不同，其他選項(xiàng)均好判斷；（2）方程式可以看做取代，沒有化合價(jià)變化；（3）為記憶性；（4）考查的是氫鍵。