(2008?廣東)硅單質(zhì)及其化合物應用范圍很廣.請回答下列問題:
(1)制備硅半導體材料必須先得到高純硅.三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過程示意圖如下:

①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學反應方程式
SiHCl3+H2
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Si+3HCl
SiHCl3+H2
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Si+3HCl

②整個制備過程必須嚴格控制無水無氧.SiHCl3遇水劇烈反應生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì),寫出配平的化學反應方程式
3SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl
3SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl
;H2還原SiHCl3過程中若混O2,可能引起的后果是
高溫下,H2遇O2發(fā)生爆炸
高溫下,H2遇O2發(fā)生爆炸

(2)下列有關(guān)硅材料的說法正確的是
ABCD
ABCD
(填字母).
A.碳化硅化學性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水混
B.氮化硅硬度大、熔點高,可用于制作高溫陶瓷和軸承
C.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂的,其熔點很高
D.鹽酸可以與硅反應,故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
(3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃.取少量硅酸鈉溶液于試管中,逐滴加入飽和氯化銨溶液,振蕩.寫出實驗現(xiàn)象并給予解釋
生成白色絮狀沉淀,又刺激性氣味的氣體生成,SiO32-與NH4+發(fā)生雙水解反應,SiO32-+2NH4++2H2O═2NH3?H2O+H2SiO3
生成白色絮狀沉淀,又刺激性氣味的氣體生成,SiO32-與NH4+發(fā)生雙水解反應,SiO32-+2NH4++2H2O═2NH3?H2O+H2SiO3
分析:(1)①氫氣和純SiHCl3反應生成高純硅;
②SiHCl3遇水劇烈反應生成H2SiO3、HCl和氫氣,氫氣易爆炸;
(2)A.原子晶體化學性質(zhì)穩(wěn)定;
B.原子晶體熔點高硬度大;
C.鹽熔點較高;
D.硅與鹽酸不反應.
(3)SiO32-與NH4+發(fā)生雙水解反應.
解答:解:(1)①氫氣和純SiHCl3反應生成高純硅和氯化氫:SiHCl3+H2
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Si+3HCl,故答案為:SiHCl3+H2
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Si+3HCl;
②SiHCl3遇水劇烈反應生成H2SiO3、HCl和氫氣:3SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl,氫氣遇氧氣易爆炸,故答案為:3SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl;高溫下,H2遇O2發(fā)生爆炸;
(2)A.SiC和Si3N4均為原子晶體,熔點高,性質(zhì)穩(wěn)定,故A正確;
B.SiC和Si3N4均為原子晶體,硬度大,熔點高,性質(zhì)穩(wěn)定,故B正確;
C.普通玻璃的主要成分為Na2SiO3和CaSiO3,它是以石英砂(SiO2)、石灰石(CaCO3)和純堿(Na2CO3)為主要原料反應制成的,熔點很高,故C正確;
D.常溫下,Si只能與唯一一種酸HF反應不與HCl反應,故D正確.
故答案為:ABCD;
(3)SiO32-與NH4+發(fā)生雙水解反應生成白色絮狀沉淀,又刺激性氣味的氣體生成,方程式:SiO32-+2NH4++2H2O═2NH3?H2O+H2SiO3↓,
故答案為:生成白色絮狀沉淀,又刺激性氣味的氣體生成,SiO32-與NH4+發(fā)生雙水解反應,SiO32-+2NH4++2H2O═2NH3?H2O+H2SiO3↓.
點評:本題考查硅和二氧化硅的性質(zhì),題目難度中等,注意雙水解時,可生成沉淀和氣體.
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