下列各類化合物中,固態(tài)時(shí)只能形成離子晶體的是(  )

A.非金屬氧化物                    B.非金屬單質(zhì)

C.強(qiáng)酸                            D.強(qiáng)堿

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:


從經(jīng)濟(jì)效益和環(huán)境保護(hù)考慮,大量制取硝酸銅最宜采用的方法是(  )

A.CuCuSO4Cu(NO3)2                B.Cu+HNO3(濃)Cu(NO3)2

C.Cu+HNO3(稀)Cu(NO3)2                      D.CuCuOCu(NO3)2

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2008年9月25日,“神舟”七號(hào)太空飛船被“長(zhǎng)征2號(hào)”F型火箭送入太空!吧裰邸逼咛(hào)太空飛船的外殼是一種新型結(jié)構(gòu)陶瓷材料,它的主要成分是氮化硅。氮化硅是一種高溫陶瓷材料,它的硬度大、熔點(diǎn)高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定。

(1)氮化硅晶體屬于________晶體。

(2)下列物質(zhì)融化時(shí),所克服的微粒間作用力與氮化硅熔化時(shí)所克服的微粒間作用力相同的是________。

①單質(zhì)I2和金剛石 ②晶體硅和二氧化硅

③冰和干冰、芙饎偸吞蓟

(3)已知氮化硅的晶體結(jié)構(gòu)中,原子間都以單鍵相連,且氮原子與氮原子、硅原子與硅原子不直接相連,同時(shí)每個(gè)原子都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),請(qǐng)寫出氮化硅的化學(xué)式:________。

(4)現(xiàn)用四氯化硅和氮?dú)庠跉錃鈿夥毡Wo(hù)下,加強(qiáng)熱發(fā)生反應(yīng),可得到較高純度的氮化硅,反應(yīng)的化學(xué)方程式為______________________________________。

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下列晶體中含有離子的有(  )

A.所有晶體                   B.分子晶體

C.原子晶體                   D.金屬晶體

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最近,美國(guó)普度大學(xué)的研究人員開發(fā)出一種利用鋁鎵合金加水制造氫氣的新工藝。這項(xiàng)技術(shù)具有廣泛的能源潛在用途,包括為汽車提供原料、為潛水艇提供燃料等。該技術(shù)通過向鋁鎵合金注水,鋁生成氧化鋁,同時(shí)生成氫氣。合金中鎵(Ga,ⅢA族元素)是關(guān)鍵成分,可阻止鋁形成致密的氧化膜。下列關(guān)于鋁、鎵的說法正確的是(  )

A.鋁的金屬性比鎵強(qiáng)

B.鋁的熔點(diǎn)比鎵低

C.Ga(OH)3與Al(OH)3性質(zhì)相似,一定能與NaOH溶液反應(yīng)

D.鋁、鎵合金與水反應(yīng)后的物質(zhì)可以回收利用冶煉鋁

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下列物質(zhì)中,含有共價(jià)鍵的離子晶體是(  )

A.KBr        B.NaOH       C.HCl      D.I2

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下列性質(zhì)適合于離子晶體的是(  )

A.熔點(diǎn)1 070℃,易溶于水,水溶液能導(dǎo)電

B.熔點(diǎn)10.31℃,液態(tài)不導(dǎo)電,水溶液能導(dǎo)電

C.能溶于CS2,熔點(diǎn)112.8℃,沸點(diǎn)444.6℃

D.熔點(diǎn)97.81℃,質(zhì)軟,導(dǎo)電,密度0.97 g·cm-3

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參考表中物質(zhì)的熔點(diǎn),回答有關(guān)問題。

物質(zhì)

NaF

NaCl

NaBr

NaI

NaCl

KCl

RbCl

CsCl

熔點(diǎn)/℃

995

801

755

651

801

776

715

646

物質(zhì)

SiF4

SiCl4

SiBr4

SiI4

SiCl4

GeCl4

SnCl4

PbCl4

熔點(diǎn)/℃

-90.2

-70.4

5.2

120.0

-70.4

-49.5

-36.2

-15.0

(1)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與鹵離子及堿金屬離子的__________有關(guān),隨著__________的增大,熔點(diǎn)依次降低。

(2)硅的鹵化物及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與________________有關(guān),隨著________________增大,________________增大,故熔點(diǎn)依次升高。

(3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多,這與__________有關(guān),因?yàn)橐话鉥_________比__________的熔點(diǎn)高。

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現(xiàn)有甲、乙、丙三種晶胞,如圖所示。

甲中X處于晶胞中心;乙中M處于晶胞中心;丙中A處于晶胞中心,B處于棱上,C處于頂點(diǎn)。由此可知:

(1)甲晶胞中X與Y的個(gè)數(shù)之比為________________________________________。

(2)乙晶胞中M與N的個(gè)數(shù)之比為________________________________________。

(3)丙的化學(xué)式是_______________________________________________________。

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