氧族元素包括O、S、Se、Te等元素。下列關(guān)于硒及其化合物的敘述不正確的是(　　)?

A.硒化鈉是以離子鍵形成的離子化合物?

B.硒難溶于水?

C.H2S劇毒，H2Se無毒?

D.硒與金屬、非金屬分界線相鄰，是良好的半導(dǎo)體材料?

C


解析:

由Na2S類推可知Na2Se是離子化合物，A項(xiàng)正確。由S難溶于水類推，可知Se難溶于水，B項(xiàng)正確。由H2S劇毒類比，可知H2Se劇毒，C項(xiàng)不正確。D項(xiàng)正確。

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源：物理教研室 題型：013

氧族元素包括O、S、Se等元素．下列關(guān)于硒及其化合物的敘述不正確的是 （　�。�

A．硒化鈉是以離子鍵形成的離子化合物

B．硒難溶于水

C．H2S劇毒，H2Se無毒

D．硒與金屬、非金屬分界線相鄰，是良好的半導(dǎo)體材料

 

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

氧族元素包括O、S、Se、Te等元素。下列關(guān)于硒及其化合物的敘述不正確的是(　　)?

A.硒化鈉是以離子鍵形成的離子化合物?

B.硒難溶于水?

C.H2S劇毒，H2Se無毒?

D.硒與金屬、非金屬分界線相鄰，是良好的半導(dǎo)體材料?

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：閱讀理解

1.本題包括《物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》和《有機(jī)化學(xué)基礎(chǔ)》兩個模塊的試題。2.考生只能從兩個模塊的試題中任選一個模塊做答，不能都做，也不能各選做一部分。

《物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》模塊試題

1.下表是元素周期表的一部分。表中所列的字母分別代表一種化學(xué)元素。

試回答下列問題：

（1）請寫出元素o的基態(tài)原子電子排布式  ①  。

（2）d的氫化物的分子構(gòu)型為  ②  ，中心原子的雜化形式為  ③  ；k在空氣中燃燒產(chǎn)物的分子構(gòu)型為  ④  ，中心原子的雜化形式為  ⑤  ，該分子是  ⑥  （填“極性”或“非極性”）分子。

（3）第三周期8種元素按單質(zhì)熔點(diǎn)高低的順序如下圖，其中序號“8”代表  ⑦  （填元素符號）；其中電負(fù)性最大的是  ⑧  （填下圖中的序號）。

（4）由j原子跟c原子以1∶1相互交替結(jié)合而形成的晶體，晶型與晶體j相同。兩者相比熔點(diǎn)更高的是  ⑨  ，試從結(jié)構(gòu)角度加以解釋：  ⑩  。

（5）i單質(zhì)晶體中原子的堆積方式如下圖甲所示，其晶胞特征如下圖乙所示，原子之間相互位置關(guān)系的平面圖如下圖丙所示。

若已知i的原子半徑為d，NA代表阿伏加德羅常數(shù)，i的相對原子質(zhì)量為M，請回答：

①晶胞中i原子的配位數(shù)為，一個晶胞中i原子的數(shù)目為。

②該晶體的密度為（用字母表示）。

2.有A、B、C、D、E、F、G七種元素，除E為第四周期元素外其余均為短周期元素。A、E、G位于元素周期表的s區(qū)，其余元素位于p區(qū)，A、E的原子外圍電子層排布相同，A的原子中沒有成對電子；B元素基態(tài)原子中電子占據(jù)三種能量不同的原子軌道且每種軌道中的電子總數(shù)相同；C元素原子的外圍電子層排布式為nsnnpn+1；D元素的第一電離能列同周期主族元素第三高；F的基態(tài)原子核外成對電子數(shù)是成單電子數(shù)的3倍；G的基態(tài)原子占據(jù)兩種形狀的原子軌道，且兩種形狀軌道中的電子總數(shù)均相同�；卮鹣铝袉栴}：

（1）寫出下列元素的符號：D  ①  ，G  ②  。

（2）D的前一元素第一電離能高于D的原因：  ③  。

（3）由A、B、C形成的ABC分子中，含有  ④  個σ鍵，  ⑤  個π鍵。

（3）由D、E、F、G形成的鹽E2DF4、GDF4的共熔體在冷卻時首先析出的物質(zhì)是  ⑥  （寫化學(xué)式），原因是  ⑦  。

《有機(jī)化學(xué)基礎(chǔ)》模塊試題

3.M5纖維是近年來開發(fā)出的一種超高性能纖維，它比現(xiàn)有的防爆破材料輕35%，用它制成的頭盔、防彈背心和剛性前后防護(hù)板，在戰(zhàn)爭中保住了很多士兵的生命，M5纖維是線型結(jié)構(gòu)且又有分子間氫鍵的聚合物，在三維方向x、y、z上，當(dāng)方向z是聚合物主鏈方向時，在x方向和y方向上的氫鍵是其晶體結(jié)構(gòu)的特征。下面是M5纖維的合成路線（部分反應(yīng)未注明條件）：

請回答：

（1）合成M5的單體的結(jié)構(gòu)簡式：F  ①  ，G  ②  。

（2）反應(yīng)類型：AB：  ③  ，BC：  ④  。

（3）生成A的同時可能生成的A的同分異構(gòu)體：      ⑤      。

（4）寫出化學(xué)反應(yīng)方程式：C對苯二甲酸：    ⑥    ；DE：      ⑦       。

（5）1 mol的F與NaHCO3溶液反應(yīng)，最多耗NaHCO3  ⑧  mol。

（6）M5纖維分子間為什么會有氫鍵？請分析說明：        ⑨        。

4.現(xiàn)有A、B、C、D四種有機(jī)物，已知：它們的相對分子質(zhì)量都是104；A是芳香烴，B、C、D均為烴的含氧衍生物，四種物質(zhì)分子內(nèi)均沒有甲基；A、B、C、D能發(fā)生如下反應(yīng)生成高分子化合物X、Y、Z（反應(yīng)方程式未注明條件）：

①nAX  ②nBY（聚酯）+nH2O  ③nC+nDZ（聚酯）+2nH2O

請按要求填空：

（1）A的結(jié)構(gòu)簡式是  ①  ，Z的結(jié)構(gòu)簡式是  ②  。

（2）在A中加入少量溴水并振蕩，所發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式：          ③          。

（3）B的同分異構(gòu)體有多種，其中分子中含結(jié)構(gòu)的同分異構(gòu)體的結(jié)構(gòu)簡式分別是  ④  。

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：單選題

氧族元素包括O、S、Se、Te等元素。下列關(guān)于硒及其化合物的敘述不正確的是(　　)


  1. A.
    硒化鈉是以離子鍵形成的離子化合物
  2. B.
    硒難溶于水
  3. C.
    H2S劇毒，H2Se無毒
  4. D.
    硒與金屬、非金屬分界線相鄰，是良好的半導(dǎo)體材料

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