單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料�？茖W(xué)家預(yù)計(jì)，到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多，這對(duì)硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅，其化學(xué)方程式為：     ①SiO2 + 2C  Si + 2CO     ②Si + 2Cl2SiCl4

③SiCl4 + 2H2Si + 4HCl�；卮鹣铝袉栴}：

（1）上述反應(yīng)中，屬于氧化還原反應(yīng)的是            （填序號(hào)）。

（2）反應(yīng)①和③屬于            。

A．化合反應(yīng)      B．分解反應(yīng)       C．置換反應(yīng)      D．復(fù)分解反應(yīng)

（3）下列描述正確的是          。

A．氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)

B．判斷一個(gè)反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是是否有化合價(jià)的升降

C．化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)          D．復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)

（1） ①②③ 。  （2） C 。（3）  B   。（每空2分）

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．科學(xué)家預(yù)計(jì)，到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多，這對(duì)硅的純度要求很高．用化學(xué)方法可制得高純度硅，其化學(xué)方程式為：①SiO2+2C 
 高溫 
.
 
Si+2CO     ②Si+2Cl2
 點(diǎn)燃 
.
 
SiCl4③SiCl4+2H2Si+4HCl．回答下列問題：
（1）上述反應(yīng)中，屬于氧化還原反應(yīng)的是
①②③
①②③
（填序號(hào)）．
（2）反應(yīng)①和③屬于
C
C
．
A．化合反應(yīng)      B．分解反應(yīng)       C．置換反應(yīng)      D．復(fù)分解反應(yīng)
（3）下列描述正確的是
B
B
．
A．氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)
B．判斷一個(gè)反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是否有化合價(jià)的升降
C．化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)          D．復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)．

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來源：2011-2012學(xué)年浙江省溫州市直六校協(xié)作體高一第一學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型：填空題

(6分)單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料。科學(xué)家預(yù)計(jì)，到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多，這對(duì)硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅，其化學(xué)方程式為：    ①SiO2 + 2C Si + 2CO    ②Si + 2Cl2SiCl4
③SiCl4 + 2H2Si + 4HCl�；卮鹣铝袉栴}：
（1）上述反應(yīng)中，屬于氧化還原反應(yīng)的是           （填序號(hào)）。
（2）反應(yīng)①和③屬于           。
A．化合反應(yīng)      B．分解反應(yīng)       C．置換反應(yīng)      D．復(fù)分解反應(yīng)
（3）下列描述正確的是         。
A．氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)
B．判斷一個(gè)反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是是否有化合價(jià)的升降
C．化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)          D．復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來源：2014屆浙江省蒼南縣靈溪二高高一第一次月考化學(xué)試卷（解析版） 題型：填空題

單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料�？茖W(xué)家預(yù)計(jì)，到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多，這對(duì)硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅，其化學(xué)方程式為：    

① SiO2 + 2C Si + 2CO     ② Si + 2Cl2SiCl4  ③ SiCl4 + 2H2Si + 4HCl。

回答下列問題：

（1）上述反應(yīng)中，屬于氧化還原反應(yīng)的是           （填序號(hào)）。

（2）反應(yīng)①和③屬于           。

A．化合反應(yīng)      B．分解反應(yīng)       C．置換反應(yīng)      D．復(fù)分解反應(yīng)

（3）下列描述正確的是         。

A．氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)

B．判斷一個(gè)反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是是否有化合價(jià)的升降

C．化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)         

D．復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)

 

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來源：2014屆廣東汕頭市高一第一學(xué)期期中考試化學(xué)試卷（解析版） 題型：選擇題

單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料�？茖W(xué)家預(yù)計(jì)，到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多，這對(duì)硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅，其化學(xué)方程式為 ：

①SiO2 + 2C  Si + 2CO②Si + 2Cl2SiCl4       ③SiCl4 + 2H2Si + 4HCl，

其中反應(yīng)①和③屬于（     ）

A. 化合反應(yīng)      B. 分解反應(yīng)        C. 置換反應(yīng)         D. 復(fù)分解反應(yīng)

 

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來源：2014屆浙江省溫州市直六校協(xié)作體高一第一學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型：填空題

(6分)單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料�？茖W(xué)家預(yù)計(jì)，到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多，這對(duì)硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅，其化學(xué)方程式為：     ①SiO2 + 2C  Si + 2CO     ②Si + 2Cl2SiCl4

③SiCl4 + 2H2Si + 4HCl�；卮鹣铝袉栴}：

（1）上述反應(yīng)中，屬于氧化還原反應(yīng)的是            （填序號(hào)）。

（2）反應(yīng)①和③屬于            。

A．化合反應(yīng)      B．分解反應(yīng)       C．置換反應(yīng)      D．復(fù)分解反應(yīng)

（3）下列描述正確的是          。

A．氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)

B．判斷一個(gè)反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是是否有化合價(jià)的升降

C．化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)          D．復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)

 

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊(cè)答案