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[選修3-物質結構與性質]
原子序數依次增大的X、Y、Z、G、Q、R、T七種元素,核電荷數均小于36.已知X的 一種1:2型氫化物分子中既有σ鍵又有π鍵,且所有原子共平面;Z的L層上有2個未 成對電子;Q原子s能級與P能級電子數相等;R單質是制造各種計算機、微電子產品 的核心材料;T處于周期表的ds區(qū),原子中只有一個未成對電子.
(1)Y原子核外共有
 
種不同運動狀態(tài)的電子,T原子有
 
種不同能級的電子.
(2)X、Y、Z的第一電離能由小到大的順序為
 
(用元素符號表示).
(3)由X、Y、Z形成的離子ZXY-與XZ2互為等電子體,則ZXY-中X原子的雜化軌道類 型為
 

(4)Z與R能形成化合物甲,1mol甲中含
 
mol化學鍵,甲與氫氟酸反應,生成 物的分子空間構型分別為
 

(5)G、Q、R氟化物的熔點如下表,造成熔點差異的原因為
 

氟化物 G的氟化物 Q的氟化物 R的氟化物 熔點/K 993 1539 183
(6)向T的硫酸鹽溶液中逐滴加入Y的氫化物的水溶液至過量,反應的離子方程式為
 
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(7)X單質的晶胞如圖所示,一個X晶胞中有
 
個X原子;若X晶體的密度為p g/cm3,阿伏加德羅常數的值為NA,則晶體中最近 的兩個X原子之間的距離為
 
cm(用代數式表示)
分析:X的一種1:2型氫化物分子中既有σ鍵又有π鍵,所有原子共平面,說明該氫化物中含有雙鍵或三鍵,氫化物中乙烯中含有σ鍵和π鍵,且是1:2型氫化物,所以x是C元素;Z的L層上有2個未成對電子,則L層上有6個電子,所以Z為O元素;Q原子s能級與P能級電子數相等,則Q的電子排布為1s22s22p63s2,所以Q為Mg元素;R單質是制造各種計算機、微電子產品 的核心材料,則R為Si元素;T處于周期表的ds區(qū),原子中只有一個未成對電子,則T為Cu元素;X、Y、Z、G、Q、R、T原子序數依次增大,Y為N元素;G能形成氟化物,且其原子序數小于Mg,則G為Na元素;根據以上元素的性質,結合選項分析解答.
解答:解:X的一種1:2型氫化物分子中既有σ鍵又有π鍵,所有原子共平面,說明該氫化物中含有雙鍵或三鍵,氫化物中乙烯中含有σ鍵和π鍵,且是1:2型氫化物,所以x是C元素;Z的L層上有2個未成對電子,則L層上有6個電子,所以Z為O元素;Q原子s能級與P能級電子數相等,則Q的電子排布為1s22s22p63s2,所以Q為Mg元素;R單質是制造各種計算機、微電子產品 的核心材料,則R為Si元素;T處于周期表的ds區(qū),原子中只有一個未成對電子,則T為Cu元素;X、Y、Z、G、Q、R、T原子序數依次增大,Y為N元素;G能形成氟化物,且其原子序數小于Mg,則G為Na元素;
(1)Y為N元素,其電子排布圖為:精英家教網,所以其原子核外共有7種不同運動狀態(tài)的電子;Cu原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1,所以Cu原子有7種不同能級的電子,
故答案為:7;7;
(2)C、N、O為同周期元素,同周期元素第一電離能從左到右依次增大,但是第IIA族與第IIIA族反常,第VA族與第VIA族反常,所以)C、N、O的第一電離能由小到大的順序為:C<O<N,故答案為:C<O<N;
(3)已知CO2與CNO-為等電子體,則二者的空間結構和和雜化方式相同,已知為CO2直線形,C為sp雜化,所以CNO-中C為sp雜化,故答案為:sp;
(4)Z與R能形成化合物甲為SiO2,1molSiO2中含4molSi-O,SiO2與氫氟酸反應,生成物為SiF4和H2O,分子空間構型分別為正四面體和V形;
故答案為:4;正四面體和V形;
(5)不同晶體熔點的一般規(guī)律是:離子晶體的熔點>分子晶體的熔點,離子晶體中半徑越小,所帶電荷越多,熔點越高,NaF與MgF2為離子晶體,SiF4為分子晶體,故SiF4的熔點低;Mg2+的半徑比Na+的半徑小、電荷數高,晶格能MgF2>NaF,故MgF2的熔點比NaF高;
故答案為:NaF與MgF2為離子晶體,SiF4為分子晶體,故SiF4的熔點低;Mg2+的半徑比Na+的半徑小、電荷數高,晶格能MgF2>NaF,故MgF2的熔點比NaF高;
(6)向Cu的硫酸鹽溶液中逐滴加入氨水至過量,開始生成氫氧化銅沉淀,后來沉淀溶解生成四氨合銅離子,其反應的離子方程式為:Cu2++2NH3?H2O=Cu(OH)2↓+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3=[Cu(NH34]2++2OH-
故答案為:Cu2++2 NH3?H2O=Cu(OH)2↓+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3=[Cu(NH34]2++2OH-
(7)C單質的晶胞如圖所示,在頂點上8個原子,面心上2個原子,晶體內部為4個原子,所以一個C晶胞中原子數為:
1
8
×8+
1
2
×
6+4=8;
設晶體中最近的兩個X原子之間的距離為xcm,晶胞的邊長為acm,則a3=
12×8
NA
p
,由晶胞圖可知a2+a2=(4x?sin
109°28′
2
2,所以2
3
12
pNA
=2
2
x?sin
109°28′
2
;
所以x=
2
×
3
12
pNA
2sin
109°28′
2
,
故答案為:8;
2
×
3
12
pNA
2sin
109°28′
2
點評:本題考查了元素的推斷,涉及了電子的運動狀態(tài)的判斷,電負性的比較,物質熔沸點的比較,離子方程式的書寫,晶胞的有關計算,考查的知識點較多,題目難度較大.
練習冊系列答案
相關習題

科目:高中化學 來源: 題型:

(2013?蘭州一模)[化學--選修3  物質結構與性質]
Ni、Fe是重要的金屬,它們的單質及化合物在科學研究和工業(yè)生產中具有許多用途.
(1)基態(tài)Ni原子電子排布式為
1s22s22p63s23p63d84s2
1s22s22p63s23p63d84s2
;
(2)第二周期基態(tài)原子未成對電子數與Ni相同且電負性最小的元素是
C
C
.Ni的一種配合物的分子結構如圖1所示,該配合物中C原子的雜化軌道類型是
sp3、sp2
sp3、sp2
,配合物分子內不含有
AC
AC
(填序號).
A.離子鍵     B.極性鍵       C.金屬鍵
D.配位鍵     E.氫鍵         F.非極性鍵
(3)配合物Ni(CO)4常溫下為液態(tài),易溶于CCl4、苯等有機溶劑.固態(tài)Ni(CO)4屬于
分子
分子
晶體.配合物Ni(CO)4
CO與N2結構相似,CO分子內σ鍵與π鍵個數之比為
1:2
1:2
;
(4)Ni2+和Fe2+的半徑分別為69pm和78pm,則熔點NiO
FeO(填“<”或“>”);
(5)鐵有δ、γ、α三種同素異形體(圖2),γ、α兩種晶胞中鐵原子的配位數之比為
2:1
2:1
.若δ晶體的密度為ρg?cm-3,該晶胞棱長為
3
112
ρNA
3
112
ρNA
cm(設NA為阿伏伽德羅常數,用含ρ和NA的代數式表示).

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科目:高中化學 來源: 題型:

(2011?寶雞三模)[化學一選修3物質結構與性質]
下表為長式周期表的一部分,其中的字母A--J分別代表對應的10種元素.

請回答下列問題:
(1)元素I的原子結構示意圖為

(2)B、E兩元素分別與元素C按原子個數比為1:2形成化合物時,中心原子的雜化方式分別為
sp
sp
sp3
sp3
,這兩種化合物的熔沸點差別很大的原因是
SiO2為原子晶體,CO2為分子晶體
SiO2為原子晶體,CO2為分子晶體

(3)H3+離子在一定條件下能形成結構復雜的配離子[HG(A2C)5]2+形成該配離子時,H3+離子接受了配體提供的
孤電子對
孤電子對
.該配離子中含有的化學鍵類型是
共價鍵和離子鍵
共價鍵和離子鍵
,其中G的核外電子排布式為
1s22s22p63s23p5
1s22s22p63s23p5

(4)元素D與元素G形成的化合物DG的晶胞結構如圖所示,每個D離子周圍與之最近的D離子的個數為
12
12
.若設該晶胞的棱長為a cm,阿伏加德羅常數的值為NA,則該化合物的密度為
234
a3NA
g/cm3
234
a3NA
g/cm3

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科目:高中化學 來源: 題型:

精英家教網【化學--選修3物質結構與性質】
下表是元素周期表的一部分,其中A-G分別代表一種元素.
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請根據表中所列元素,回答下列問題:
(1)所列元素中第一電離能最小的是
 
(填元素符號);D元素原子核外有
 
種不同運動狀態(tài)的電子;基態(tài)原子的價電子層中,未成對電子數最多的元素是
 
(填元素符號).
(2)AC2分子的空間構型是
 
,該分子中A原子的雜化方式為
 

(3)B的氣態(tài)氫化物在水中的溶解度遠大于A、C的氣態(tài)氫化物的溶解度,原因是
 

(4)基態(tài)G2+的核外電子排布式是
 
,乙二胺(結構簡式為H2N-CH2一CH2-NH2)分子中的碳原子的雜化方式為
 
,G2+與乙二胺可形成配離子精英家教網該配離子中含有的化學鍵類型有
 
(填字母編號).
a.配位鍵  b.極性鍵  c.離子鍵  d.非極性鍵
(5)化合物EF[F(AB)6]是一種常見的藍笆晶體,其中的AB-與B2為等電子體,則AB-的電子式為
 
.如圖為該藍色晶體晶胞的
18
(E+未畫出),該藍色晶體的一個晶胞中E+的個數為
 
個.

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科目:高中化學 來源: 題型:

【化學選修3物質結構與性質】已知X、Y和Z三種元素的原子序數之和等于42.X元素原子的4p軌道上有3個未成對電子,Y元素原子的最外層2p軌道上有2個未成對電子.X跟Y可形成化合物X2Y3,Z元素可以形成負一價離子.請回答下列問題:
(1)X元素原子基態(tài)時的電子排布式為
 
,該元素的符號是
 

(2)Y元素原子的電子軌道表示式為
 
,元素X與Y的電負性比較:X
 
Y(填“>”或“<”).
(3)X與Z可形成化合物XZ3,該化合物的空間構型為
 

(4)由元素X與鎵元素組成的化合物A為第三代半導體.
已知化合物A的晶胞結構如圖所示.(黑球位于立方體內,白球位于立方體頂點和面心)
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請寫出化合物A的化學式
 
:化合物A可由(CH33Ga和AsH3在700℃下反應制得,反應的化學方程式為
 

(5)已知(CH33Ga為非極性分子,則其中鎵原子的雜化方式為
 

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科目:高中化學 來源: 題型:

精英家教網【化學一選修3物質結構與性質】
已知A、B、C、D、E、F均為前四周期元素.A元素的原子價電子排布為ns2np2,B元素的最外層電子數是其電子層數的3倍,C元素原子的M電子層的P亞層中有3個未成對電子.D元素原子核外的M層中只有2對成對電子.B離子與E離子具有相同的電子層結構,可形成E2B2、E2B型化合物.F元素位于元素周期表的ds區(qū),其原子與E原子具有相同的最外層電子數.
請回答下面的問題:
(1)根據以上信息推斷:①B元素為
 

②F原子核外的價電子排布為
 

(2)指出在元素周期表中:①D元素在
 
區(qū);②E元素在
 
區(qū).
(3)當n=2時,A與氫元素形成的相對分子質量為26的分子應屬于
 
分子(填“極性“或“非極性”),該分子中有
 
個σ鍵
 
個π鍵.
(4)當n=3時,A與B形成的晶體屬于
 
晶體.A單質的晶體結構中,A原子采用
 
雜化,A原子數與A-A鍵數之比為
 

(5)DCl2分子中,中心原子D有
 
對孤對電子,用價層電子對互斥模型推測:DCl2分子的空間構型為
 
形.
(6)元素F的某種氧化物的晶體晶胞結構如右上圖所示,其中實心球表示F原子,則該氧化物的化學式為
 

(7)A-F六種元素中,有一種元素的部分電離能數據如下,它可能是
 
(寫元素符號)(其中I1-I7分別表示該元素的第一電離能--第七電離能).
電離能 I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7
(KJ.mol-1 14.5 29.6 47.4 77.5 97.9 551.9 666.8

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