【題目】(1)聚四氟乙烯商品名稱為“特氟龍”,可做不粘鍋涂層。它是一種準(zhǔn)晶體,該晶體是一種無平移周期序、但有嚴(yán)格準(zhǔn)周期位置序的獨(dú)特晶體?赏ㄟ^___方法區(qū)分晶體、準(zhǔn)晶體和非晶體。
(2)下列氮原子的電子排布圖表示的狀態(tài)中,能量由低到高的順序是___(填字母代號(hào))。
A. B.
C. D.
(3)某種鈾氮化物的晶體結(jié)構(gòu)是NaCl型。NaCl的Bom-Haber循環(huán)如圖所示。已知:元素的一個(gè)氣態(tài)原子獲得電子成為氣態(tài)陰離子時(shí)所放出的能量稱為電子親和能。下列有關(guān)說法正確的是__(填標(biāo)號(hào))。
a.Cl-Cl鍵的鍵能為119.6kJ/mol b.Na的第一電離能為603.4kJ/mol
c.NaCl的晶格能為785.6kJ/mol d.Cl的第一電子親和能為348.3kJ/mol
(4)配合物[Cu(En)2]SO4的名稱是硫酸二乙二胺合銅(Ⅱ),是銅的一種重要化合物。其中En 是乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)的簡(jiǎn)寫。
①該配合物中含有化學(xué)鍵有___(填字母編號(hào))。
A.離子鍵 B.極性共價(jià)鍵 C.非極性共價(jià)鍵 D.配位鍵 E.金屬鍵
②配體乙二胺分子中氮原子、碳原子軌道的雜化類型分別為___、___。
③乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺,且相對(duì)分子質(zhì)量相近,但乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高得多,原因是___。
④乙二胺(H2NCH2CH2NH2)是一種有機(jī)化合物,乙二胺能與Mg2+、Cu2+等金屬離子形成穩(wěn)定環(huán)狀離子,其原因是___,其中與乙二胺形成的化合物穩(wěn)定性相對(duì)較高的是___(填“Mg2+”或“Cu2+”)。
⑤與氨氣互為等電子體的陽離子為___,與S位于同一周期,且第一電離能小于S的非金屬元素符號(hào)為___。
(5)①金屬鈦的原子堆積方式如圖1所示,則金屬鈦晶胞俯視圖為____。
A. B. C. D.
②某砷鎳合金的晶胞如圖所示,設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,該晶體的密度ρ=__g·cm-3。
【答案】X-射線衍射 A<C<B<D c、d ABCD sp3 sp3 乙二胺分子之間可以形成氫鍵,三甲胺分子之間不能形成氫鍵 乙二胺的兩個(gè)N提供孤對(duì)電子給金屬離子形成配位鍵 Cu2+ H3O+ Si D
【解析】
(1).晶體對(duì)X-射線發(fā)生衍射,非晶體不發(fā)生衍射,準(zhǔn)晶體介于二者之間;
(2).軌道中電子能量:1s<2s<2p,能量較高的軌道中電子越多,該微粒能量越高;
(3).a.Cl-Cl鍵的鍵能為119.6kJmol-1×2;
b.Na的第一電離能為495.0kJmol-1;
c.NaCl的晶格能為785.6kJmol-1;
d.Cl的第一電子親和能為348.3kJmol-1;
(4).①配合物內(nèi)部配體存在共價(jià)鍵,配體和中心離子之間存在配位鍵,內(nèi)界和外界存在離子鍵;
②配體乙二胺分子中C和N均達(dá)到飽和,均為sp3雜化;
③乙二胺和甲胺[N(CH3)3]均屬于胺,且相對(duì)分子質(zhì)量相近,但乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高得多,考慮分子間形成氫鍵造成沸點(diǎn)升高;
④含有孤電子對(duì)的原子和含有空軌道的原子之間易形成配位鍵;堿土金屬與乙二胺形成的化合物穩(wěn)定性較弱;
⑤NH3中含有10個(gè)電子,由4個(gè)原子構(gòu)成,與氨氣互為等電子體的陽離子有H3O+,同一周期元素從左到右,元素的第一電離能呈增大趨勢(shì),但第ⅡA族、第VA族元素的第一電離能大于相鄰元素;
(5).①由圖可知,金屬鈦的原子按ABABABAB……方式堆積,屬于六方最密堆積,晶胞結(jié)構(gòu)為,故金屬鈦晶胞俯視圖為D;
②該晶胞中As原子個(gè)數(shù)是2、Ni原子個(gè)數(shù)=4×+4×+2×+2×=2,其體積=(a×10-10cm×a×10-10cm×)×c×10-10 cm=a2c×10-30 cm3,晶胞密度=g/cm3。
(1)從外觀無法區(qū)分三者,但用X光照射揮發(fā)現(xiàn):晶體對(duì)X-射線發(fā)生衍射,非晶體不發(fā)生衍射,準(zhǔn)晶體介于二者之間,因此通過有無衍射現(xiàn)象即可確定,
故答案為:X-射線衍射;
(2)軌道中電子能量:1s<2s<2p,能量較高的軌道中電子越多,該微粒能量越高,所以2p軌道上電子越多、1s軌道上電子越少,該微粒能量越高,根據(jù)圖知能量由低到高的順序是A<C<B<D,
故答案為:A<C<B<D;
(3)a.ClCl鍵的鍵能為119.6kJmol1×2=239.2kJ/mol,故a錯(cuò)誤;
b.Na的第一電離能為495.0kJmol1,故b錯(cuò)誤;
c.NaCl的晶格能為785.6kJmol1,故c正確;
d.Cl的第一電子親和能為348.3kJmol1,故d正確;
故答案選cd;
(4)①配合物內(nèi)部配體存在共價(jià)鍵,配體和中心離子之間存在配位鍵,內(nèi)界和外界存在離子鍵,乙二胺中存在極性共價(jià)鍵和非極性共價(jià)鍵,
故答案為:A、B、C、D;
②配體乙二胺分子中C形成4個(gè)σ鍵,且無孤對(duì)電子,N形成3個(gè)σ鍵,有一對(duì)孤對(duì)電子,均為sp3雜化,
故答案為:sp3;sp3;
③乙二胺和甲胺[N(CH3)3]均屬于胺,且相對(duì)分子質(zhì)量相近,但乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高得多,考慮分子間形成氫鍵造成沸點(diǎn)升高,可以解釋為乙二胺分子之間可以形成氫鍵,三甲胺分子之間不能形成氫鍵,
故答案為:乙二胺分子之間可以形成氫鍵,三甲胺分子之間不能形成氫鍵;
④由于乙二胺的兩個(gè)N可提供孤對(duì)電子給金屬離子形成配位鍵,因此乙二胺能與Mg2+、Cu2+等金屬離子形成穩(wěn)定環(huán)狀離子;由于銅離子的半徑較大且含有的空軌道多于鎂離子,因此與乙二胺形成的化合物穩(wěn)定性相對(duì)較高的是Cu2+,
故答案為:乙二胺的兩個(gè)N提供孤對(duì)電子給金屬離子形成配位鍵;Cu2+;
⑤NH3中含有10個(gè)電子,由4個(gè)原子構(gòu)成,與氨氣互為等電子體的陽離子有H3O+;同一周期元素從左到右,元素的第一電離能呈增大趨勢(shì),但第ⅡA族、第VA族元素的第一電離能大于相鄰元素,故與S位于同一周期,且第一電離能小于S的非金屬元素為Si;
故答案為:H3O+;Si;
(5)①由圖可知,金屬鈦的原子按ABABABAB……方式堆積,屬于六方最密堆積,晶胞結(jié)構(gòu)為,故金屬鈦晶胞俯視圖為D。
故答案選D;
②該晶胞中As原子個(gè)數(shù)是2、Ni原子個(gè)數(shù)=4×+4×+2×+2×=2,其體積=(a×10-10cm×a×10-10cm×)×c×10-10 cm=a2c×10-30 cm3,晶胞密度=g/cm3=g/cm3,
故答案為:。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】pH=2的兩種一元酸x和y,體積均為100 mL,稀釋過程中pH與溶液體積的關(guān)系如下圖所示。分別滴加NaOH溶液(c=0.1 mol·L-1)至pH=7。消耗NaOH溶液的體積為Vx、Vy則( )
A.x為弱酸,Vx<VyB.x為強(qiáng)酸,Vx>Vy
C.y為弱酸,Vx<VyD.y為強(qiáng)酸,Vx>Vy
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】下述實(shí)驗(yàn)方案能達(dá)到實(shí)驗(yàn)?zāi)康牡氖?( )
編號(hào) | A | B | C | D |
實(shí)驗(yàn) |
|
|
| |
實(shí)驗(yàn) | 驗(yàn)證鐵釘發(fā)生 | 驗(yàn)證Fe電極被保護(hù) | 驗(yàn)證乙炔的還原性 | 驗(yàn)證甲烷與氯氣發(fā)生 |
A.AB.BC.CD.D
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】某溫度下,Fe(OH)3(s)、Cu(OH)2(s)分別在溶液中達(dá)到沉淀溶解平衡后,改變?nèi)芤?/span>pH,金屬陽離子濃度的變化如圖所示。據(jù)圖分析,下列判斷錯(cuò)誤的是 ( )
A. Ksp[Fe(OH)3]<Ksp[Cu(OH)2]
B. 加適量NH4Cl固體可使溶液由a點(diǎn)變到b點(diǎn)
C. c、d兩點(diǎn)代表的溶液中c(H+)與c(OH-)乘積相等
D. Fe(OH)3、Cu(OH)2分別在b、c兩點(diǎn)代表的溶液中達(dá)到飽和
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】GaN是制造5G芯片的材料,氮化鎵鋁和氮化鋁LED可發(fā)出紫外光;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)As原子核外電子排布式為[Ar]____________;下列狀態(tài)的鋁元素中,電離最外層的一個(gè)電子所需能量最小的是______________(填標(biāo)號(hào))。
A. B. C. D.
(2)8—羥基喹啉合鋁(分子式C27H18AlN3O3)用于發(fā)光材料及電子傳輸材料,可由LiAlH4與 8—羥基喹啉)合成。LiAlH4中陰離子的空間構(gòu)型為______________; 8—羥基喹啉合鋁中所含元素電負(fù)性最大的是______________(填元素符號(hào),下同),第一電離能最大的是__________(填元素符號(hào)),N原子的雜化方式為_____________。
(3)已知下列化合物的熔點(diǎn):
化合物 | AlF3 | GaF3 | AlCl3 |
熔點(diǎn)/℃ | 1040 | 1000 | 194 |
①表格中鹵化物的熔點(diǎn)產(chǎn)生差異的原因是_______________________________________________。
②熔融AlCl3時(shí)可生成具有揮發(fā)性的二聚體Al2Cl6分子,分子中每個(gè)原子最外層均達(dá)到8電子,二聚體Al2Cl6的結(jié)構(gòu)式為______________________________;其中Al的配位數(shù)為_________。
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【題目】[化學(xué)——選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
CuSO4和Cu(NO3)2是自然界中重要的銅鹽;卮鹣铝袉栴}:
(1)CuSO4和Cu(NO3)2中陽離子基態(tài)核外電子排布式為____________,S、O、N三種元素的第一電離能由大到小為____________。
(2)SO42-的立體構(gòu)型是________,與SO42-互為等電子體的一種分子為____________(填化學(xué)式)。
(3)往Cu(NO3)2溶液中通入足量NH3能生成配合物[Cu(NH3)4](NO3)2。其中NO3-中心原子的雜化軌道類型為________,[Cu(NH3)4](NO3)2中存在的化學(xué)鍵類型除了極性共價(jià)鍵外,還有____________。
(4)CuSO4的熔點(diǎn)為560℃,Cu(NO3)2的熔點(diǎn)為115℃,CuSO4熔點(diǎn)更高的原因是____________。
(5)利用CuSO4和NaOH制備的Cu(OH)2檢驗(yàn)醛基時(shí),生成紅色的Cu2O,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。
①該晶胞原子坐標(biāo)參數(shù)A為(0,0,0);B為(1,0,0);C為(,,)。則D原子的坐標(biāo)參數(shù)為________,它代表________原子。
②若Cu2O晶體密度為d g·cm-3,晶胞參數(shù)為a pm,則阿伏加德羅常數(shù)值NA=________。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】A卷題.電子工業(yè)常用FeCl3溶液腐蝕絕緣板上的銅箔,制造印刷電路板。從腐蝕廢液(主要含FeCl3、FeCl2、CuCl2 )中回收銅,并重新獲得FeCl3溶液。廢液處理流程如下:
(1)步驟(Ⅰ)中分離溶液和沉淀的操作名稱是____________________;
(2)沉淀B中主要含有鐵和__________,氣體D是_________________;
(3)寫出步驟(Ⅲ)中生成FeCl3的化學(xué)方程式_____________________________;
(4)取少量最終所得溶液滴加____________(填“KSCN溶液”或“稀硫酸”),溶液呈紅色,證明有Fe3+存在;寫出該反應(yīng)的離子方程式___________________。
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【題目】如圖,A池用石墨電極電解NaOH溶液,B池精煉粗銅,一段時(shí)間后停止通電,A池中D極產(chǎn)生具有氧化性的氣體在標(biāo)準(zhǔn)狀況下為2.24L。下列說法正確的是( )
A.A池為電解池,B池為原電池
B.D、E兩極都發(fā)生氧化反應(yīng)
C.E極應(yīng)為粗銅板材料
D.B池中E極質(zhì)量增加12.8g
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