同一個原子的下列電子層中，能量最高的是（　�。�
分析：電子在原子核外排布時，要盡可能使電子的能量最低．一般來說，離核較近的電子具有較低的能量，隨著電子層數(shù)的增加，電子的能量越來越大．
解答：解：離核最近的電子層稱為（K ）層，或稱為（最內(nèi) ）層，該層上的電子所具有的能量（最低）．
能量高的電子在離核（遠的軌道上）運動，電子層能量由低到高依次為（K、L、M、N…）層．
故選C．
點評：本題考查了原子核外電子的排布，難度不大，明確離核越近的電子能量越低，越遠的能量越高．
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

2010年上海世博會場館，大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管（LED）．目前市售LED品片，材質(zhì)基本以GaAs（砷化鎵）、AlGaInP（磷化鋁鎵銦）、lnGaN（氮化銦鎵）為主．已知鎵是鋁同族下一周期的元素．砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖．試回答：
（1）鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
[Ar]3d104s24p1
[Ar]3d104s24p1
．
（2）砷化鎵晶胞中所包含的砷原子（白色球）個數(shù)為
4
4
，與同一個鎵原子相連的砷原子成的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體
．
（3）N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點由高到低的順序是
NH3＞AsH3＞PH3
NH3＞AsH3＞PH3
． （用氫化物分子式表示）
（4）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃時制得．（CH3）3Ga中鎵原子的雜化方式為
sp2
sp2
．
（5）比較二者的第一電離能：As
＞
＞
Ga（填“＜”、“＞”或“=”）．
（6）下列說法正確的是
BCD
BCD
（填字母）．
A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同B．GaP與GaAs互為等電子體
C．電負性：As＞Ga       D．砷化鎵晶體中含有配位鍵．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（1）下列是部分金屬元素的電離能
X Y Z
第一電離能（kJ/mol） 520.2 495.8 418.8
①已知X、Y、Z的價層電子構(gòu)型為ns1，則三種金屬的氯化物（RCl）的熔點由高到低的順序為
ZCl＜YCl＜XCl
ZCl＜YCl＜XCl
．
②RCl用作有機合成催化劑，并用于顏料、防腐等工業(yè)．R+中所有電子正好充滿K、L、M三個電子層，它與Cl-形成的晶體結(jié)構(gòu)如圖1所示．R的元素符號是
Cu
Cu
，與同一個Cl-相連的R+有
4
4
個．
（2）納米技術(shù)制成的金屬燃料、非金屬固體燃料、氫氣等已應(yīng)用到社會生活和高科技領(lǐng)域．A和B的單質(zhì)單位質(zhì)量的燃燒熱大，可用作燃料．已知A和B為短周期元素，其原子的第一至第四電離能如下表所示：
電離能（kJ/mol） I1 I2 I3 I4
A 932 1821 15390 21771
B 738 1451 7733 10540
①某同學(xué)根據(jù)上述信息，推斷B的核外電子排布如圖2所示，所畫的電子排布圖違背了
能量最低原理
能量最低原理
．
②A和氯元素形成的簡單分子為
非極性分子
非極性分子
（填“極性分子”或“非極性分子”）．
（3）氫氣作為一種清潔能源，必須解決它的儲存問題，C60可用作儲氫材料．
已知金剛石中的C-C的鍵長為154.45pm，C60中C-C鍵長為145～140pm，有同學(xué)據(jù)此認為C60的熔點高于金剛石，你認為是否正確
否
否
（填“是”或“否”），并闡述理由
因為金剛石是原子晶體，而C60是分子晶體
因為金剛石是原子晶體，而C60是分子晶體
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下列是部分金屬元素的電離能
X Y Z
第一電離能（kJ/mol） 520.2 495.8 418.8
（1）已知X、Y、Z的價層電子構(gòu)型為ns1，則三種金屬的氯化物（RCl）的熔點由低到高的順序為
ZCl＜YCl＜XCl
ZCl＜YCl＜XCl
．
（2）CuCl用作有機合成催化劑，并用于顏料，防腐等工業(yè)．CuCl的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示．元素Cu基態(tài)原子的電子排布式
[Ar]3d104s1
[Ar]3d104s1
，與同一個Cl-相連的 Cu+有
4
4
個．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

如表是元素周期表的一部分．表中所列的字母分別代表一種化學(xué)元素．
精英家教網(wǎng)
試回答下列問題：
精英家教網(wǎng)
（1）請寫出元素O的基態(tài)原子電子排布式
 
．
（2）c元素的一種同素異形體與熔融的n單質(zhì)形成石墨間隙化合物，比較常見的石墨間隙化合物是青銅色的化合物，其化學(xué)式可寫作CxK，其平面圖形見圖1，則x值為
 
．
（3）第三周期8種元素按單質(zhì)熔點高低的順序如圖2，其中序號“8”代表
 
（填元素符號）；其中電負性最大的是
 
（填右圖中的序號）．
（4）由i原子跟d原子以1：1相互交替結(jié)合而形成的晶體，晶型與晶體j相同．則i與d形成的晶體中一個晶胞中含有4個i原子；與同一個i原子相連的d原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
 
，d原子的雜化類型為
 
．
（5）i單質(zhì)晶體中原子的堆積方式如圖3甲所示，其晶胞特征如圖3乙所示，原子之間相互位置關(guān)系的平面圖如圖3丙所示．若已知i的原子半徑為dcm，NA代表阿伏加德羅常數(shù)，i的相對原子質(zhì)量為M，則該晶體的密度為
 
_g/cm3  （用字母表示）．

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科目：高中化學(xué) 來源：2011-2012學(xué)年四川省南充高中高二第一次月考化學(xué)試卷 題型：填空題

(20分)(1)在同一個原子中，離核越近、n越小的能層中的電子能量越      。理論研究證明，多電子原子中，同一能層的電子，能量也可能不同，還可以把它們分成能級，第三能層有3個能級，分別為3s、3p和     。現(xiàn)代物質(zhì)結(jié)構(gòu)理論證實，原子的電子排布遵循構(gòu)造原理能使整個原子的能量處于最低狀態(tài)，處于最低能量的原子叫做      原子。
(2)寫出下列基態(tài)原子的簡化電子排布式：
①14Si　　　　　           　；②26Fe                          。 
(3)按所示格式填寫下表中的空格：

原子序數(shù)
原子的價電子排布式
周期
族
17
 
第三
 
 
3d54s1
 
ⅥB
(4)N≡N的鍵能為942kJ·mol－1，N—N單鍵的鍵能為247kJ·mol－1，計算說明N2中的
      鍵更穩(wěn)定(填“σ”或“π”)。
(5)在配離子[Fe(SCN)]2+中，提供空軌道接受孤電子對的微粒是     ，配離子 [Cu(NH3)4]2+的配體是              。
(6)根據(jù)價層電子對互斥理論判斷：
①NH3分子中，中心原子上的σ鍵電子對數(shù)為       ，孤電子對數(shù)為      ，價層電子對數(shù)為       ，中心原子的雜化方式為    雜化，VSEPR構(gòu)型為           ，分子的立體構(gòu)型為           。
②BF3分子中，中心原子的雜化方式為       雜化，分子的立體構(gòu)型為           。

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