已知A、D、E、G、L、M是核電荷數(shù)依次增大的6種短周期主族元素,其中A的原子序數(shù)與周期序數(shù)相等,D、G、L、M基態(tài)原子的最外能層均有2個(gè)未成對(duì)電子。R+核外有28個(gè)電子。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:(答題時(shí),A、D、E、G、L、M、R用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示)
(1)E、G、M的第一電離能由大到小的順序?yàn)? 。
(2)下圖是由Q、R、G三種元素組成的一種高溫超導(dǎo)體的晶胞結(jié)構(gòu),其中R為+2價(jià),G為-2價(jià);鶓B(tài)R2+的核外電子排布式為 ;Q的化合價(jià)為 價(jià)。
(3)1 mol晶體L中含有δ鍵的數(shù)目為 。
(4)G與M可形成MG3與MG2,MG3分子的空間構(gòu)型是 ,MG2中M原子的雜化方式是 。
(5)在(EA4)2R(MG4)2中存在的化學(xué)鍵除極性鍵外,還有 (填字母)。
a.離子鍵 b. 氫鍵 c.配位鍵 d.金屬鍵
(1)N>O>S (2)[Ar]3d9 +3 (3)2NA
(4)平面三角型 sp2雜化
(5)ac
【解析】
試題分析:A、D、E、G、L、M、R分別為H、C、N、O、Si、S、Cu。(1)N最外層電子為半滿的相對(duì)穩(wěn)定結(jié)構(gòu),第一電離能比相鄰元素高,故有N>O>S;
(2)晶胞中G數(shù)目16×1/4+4×1/2+2=8
R數(shù)目8×1/8+1=2
Q數(shù)目8×1/4+2= 4
故化學(xué)式為G4Q2R,所以Q的化合價(jià)為+3
(3)1 mol晶體L中含有δ鍵的數(shù)目為2NA;硅晶體為原子晶體,1mol含有2molSi-Si鍵;(4)SO3和SO2中價(jià)電子對(duì)數(shù)為6/2=3,SO3中S的雜化為sp2,故為平面三角型;SO2中S的雜化方式為sp2;(5)含有配位鍵和離子鍵。
考點(diǎn):考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)中第一電離能、化學(xué)鍵類型、雜化類型、空間結(jié)構(gòu)等有關(guān)問(wèn)題。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2011-2012學(xué)年天津市天津一中高一下學(xué)期期末考試化學(xué)試卷(帶解析) 題型:填空題
(11分)如下圖所示:已知A、D、E、F是中學(xué)化學(xué)中常見(jiàn)單質(zhì),B、C是氧化物,且B的相對(duì)分子質(zhì)量是232。
請(qǐng)?zhí)羁眨?br />(1) A是________,E是________(填化學(xué)式)
(2) C電解的化學(xué)方程式為_(kāi)_______________________。
(3) 寫(xiě)出工業(yè)以B為原料冶煉D的化學(xué)方程式___________________、_________________。
(4) 熔融狀態(tài)下,金屬鈉和G能組成可充電電池(裝置示意圖如下),反應(yīng)原理為:Na + GNaCl +D
放電時(shí),正極反應(yīng)為_(kāi)__________________,陽(yáng)離子遷移途徑為_(kāi)_______________________。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2014屆天津市高一下學(xué)期期末考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:推斷題
(11分)如下圖所示:已知A、D、E、F是中學(xué)化學(xué)中常見(jiàn)單質(zhì),B、C是氧化物,且B的相對(duì)分子質(zhì)量是232。
請(qǐng)?zhí)羁眨?/p>
(1) A是________,E是________(填化學(xué)式)
(2) C電解的化學(xué)方程式為_(kāi)_______________________。
(3) 寫(xiě)出工業(yè)以B為原料冶煉D的化學(xué)方程式___________________、_________________。
(4) 熔融狀態(tài)下,金屬鈉和G能組成可充電電池(裝置示意圖如下),反應(yīng)原理為:Na + GNaCl +D
放電時(shí),正極反應(yīng)為_(kāi)__________________,陽(yáng)離子遷移途徑為_(kāi)_______________________。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:浙江省期中題 題型:推斷題
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