Question

8．下列各原子或離子的電子排布式錯(cuò)誤的是（　　）

• A． Si   1s²2s²2p²
• B． O^2-  1s²2s²2p⁶
• C． Na⁺  1s²2s²2p⁶
• D． Al  1s²2s²2p⁶3s²3p¹

Answer 1

分析 原子核外電子排布應(yīng)符合構(gòu)造原理、能量最低原理、洪特規(guī)則和泡利不相容原理，一般來說離子的核外最外層達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，根據(jù)構(gòu)造原理，s能級最多可容納2個(gè)電子，p能級有3個(gè)軌道最多可容納6個(gè)電子，電子總是優(yōu)先從能量低的能層、能級排列，其中s²是原子得兩個(gè)電子形成的穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)，所以第三能層中的電子排布最多應(yīng)為3s²3p⁶，據(jù)此分析解答．

解答 解：A．Si原子核外有14個(gè)電子，核外電子排布式為：1s²2s²2p⁶3s²3p²，故A錯(cuò)誤；
B．O原子核外有8個(gè)電子，O^2-核外電子排布式為1s²2s²2p⁶，最外層達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，故B正確；
C．Na的原子序數(shù)為11，離子的核外電子排布式為1s²2s²2p⁶，最外層達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，故C正確；
D．Al原子核外有13個(gè)電子，Al原子核外電子排布式為1s²2s²2p⁶3s²3p¹，故D正確；
故選A．

點(diǎn)評 本題考查了原子或離子核外電子排布，明確排布規(guī)律及其規(guī)則是解本題關(guān)鍵，為考試熱點(diǎn)，知道每個(gè)能級最多排列的電子數(shù)，要遵循構(gòu)造原理，題目難度不大．