用價層電子對理論（VSEPR）判斷：

物質(zhì)

孤電子對數(shù)

軌道雜化形式

分子或離子的形狀

SO3

 

 

 

PO43-

 

 

 

NCl3

 

 

 

用VSEPR 理論判斷：

物質(zhì)

孤對電子對數(shù)

軌道雜化形式

分子或離子的形狀

 SO3

0

Sp2

平面三角形

PO43-

0

Sp3

正四面體

NCl3

1

Sp3

三角錐形

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（2009?�？谀M）用價層電子對互斥理論預(yù)測H2S和BF3的立體結(jié)構(gòu)，兩個結(jié)論都正確的是（　�。�

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

用價層電子對互斥理論預(yù)測H2S和BCl3的立體結(jié)構(gòu)，兩個結(jié)論都正確的是（　�。�

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

用價層電子對互斥理論（VSEPR）預(yù)測H2S和COCl2的立體結(jié)構(gòu)，兩個結(jié)論都正確的是（　�。�

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

某離子晶體晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，x位于立方體的頂點，Y位于立方體中心．
試分析：
（1）晶體中每個Y同時吸引著
4
4
個X，該晶體的化學(xué)式為
XY2或Y2X
XY2或Y2X
．
（2）晶體中在每個X周圍與它最接近且距離相等的X共有
12
12
個．
（3）晶體中距離最近的2個X與1個Y形成的夾角∠XYX的度數(shù)為
109°28′
109°28′
．
（4）設(shè)該晶體的摩爾質(zhì)量為M g?mol-1，晶體密度為ρ?cm-3，阿伏加德羅常數(shù)為NA則晶體中兩個距離最近的X中心間的距離為
3
M
2ρNA
2
cm
3
M
2ρNA
2
cm
． 
（5）如圖2圖象是從NaCl或CsCl晶體結(jié)構(gòu)圖中分割出來的部分結(jié)構(gòu)圖，試判斷NaCl晶體結(jié)構(gòu)的圖象是
B
B

A．①B．②C．③D．④
（6）用價層電子對互斥理論（VSEPR）判斷下列分子或離子的空間構(gòu)型
分子或離子 H2S CO32- PH3 ClO4--
空間構(gòu)型
V型
V型
平面三角形
平面三角形
三角錐型
三角錐型
正四面體
正四面體

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

元素周期表中第四周期元素由于受3d電子的影響，性質(zhì)的遞變規(guī)律與短周期元素略有不同．
（1）第四周期過渡元素的明顯特征是形成多種多樣的配合物．
①CO可以和很多過渡金屬形成配合物，如羰基鐵[Fe（CO）5]、羰基鎳[Ni（CO）4]．CO分子中C原子上有一對孤對電子，C、O原子都符合8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，CO的結(jié)構(gòu)式為
 
，與CO互為等電子體的離子為
 
（填化學(xué)式）．
②金屬鎳粉在CO氣流中輕微加熱，生成液態(tài)Ni（CO）4分子．423K時，Ni（CO）4分解為Ni和CO，從而制得高純度的Ni粉．試推測Ni（CO）4易溶于下列
 
．
a．水       b．四氯化碳       c．苯       d．硫酸鎳溶液
（2）第四周期元素的第一電離能隨原子序數(shù)的增大，總趨勢是逐漸增大的．鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
 
，Ga的第一電離能卻明顯低于Zn，原因是
 
．
（3）用價層電子對互斥理論預(yù)測H2Se和BBr3的立體結(jié)構(gòu)，兩個結(jié)論都正確的是
 
．
a．直線形；三角錐形        b．V形；三角錐形
c．直線形；平面三角形      d．V形；平面三角形．

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