Question

8．碳化硅的晶體有類似金剛石的結(jié)構(gòu)，其中碳原子和硅原子的位置是交替的．它與晶體硅和金剛石相比較，正確的是（　�。�

• A． 熔點(diǎn)從高到低的順序是：金剛石＞碳化硅＞晶體硅
• B． 熔點(diǎn)從高到低的順序是：金剛石＞晶體硅＞碳化硅
• C． 三種晶體中的結(jié)構(gòu)單元都是三角錐結(jié)構(gòu)
• D． 三種晶體都是原子晶體且均為電的良導(dǎo)體

Answer 1

分析 A、B．鍵長(zhǎng)越短，鍵能越大，物質(zhì)的熔點(diǎn)越高；
C．金剛石中C原子形成4個(gè)共價(jià)鍵，為四面體結(jié)構(gòu)；
D．原子晶體中沒(méi)有自由移動(dòng)電子或自由移動(dòng)的離子．

解答 解：A、晶體類型相同的物質(zhì)，鍵長(zhǎng)越短，鍵能越大，物質(zhì)的熔點(diǎn)越高．①金剛石、②晶體硅、③碳化硅，三種物質(zhì)中鍵長(zhǎng)關(guān)系為：C-C＜C-Si＜Si-Si，所以鍵能大小為：C-C鍵能＞C-Si鍵能＞Si-Si鍵能，所以物質(zhì)的熔點(diǎn)高低為金剛石＞碳化硅＞晶體硅，故A正確；
B．晶體類型相同的物質(zhì)，鍵長(zhǎng)越短，鍵能越大，物質(zhì)的熔點(diǎn)越高．①金剛石、②晶體硅、③碳化硅，三種物質(zhì)中鍵長(zhǎng)關(guān)系為：C-C＜C-Si＜Si-Si，所以鍵能大小為：C-C鍵能＞C-Si鍵能＞Si-Si鍵能，所以物質(zhì)的熔點(diǎn)高低為金剛石＞碳化硅＞晶體硅，故B錯(cuò)誤；
C．C、Si原子均能形成4個(gè)共價(jià)鍵，則三種晶體中的結(jié)構(gòu)單元都是四面體結(jié)構(gòu)，故C錯(cuò)誤；
D．原子晶體中原子間通過(guò)共價(jià)鍵結(jié)合，晶體中沒(méi)有自由移動(dòng)電子，也沒(méi)有自由移動(dòng)的離子，不導(dǎo)電，但是晶體硅為半導(dǎo)體材料，故D錯(cuò)誤．
故選A．

點(diǎn)評(píng) 本題考查了晶體類型相同的物質(zhì)中，鍵長(zhǎng)對(duì)物質(zhì)熔點(diǎn)的影響，鍵長(zhǎng)越短，鍵能越大，物質(zhì)的熔點(diǎn)越高，題目難度不大．