4.結(jié)構(gòu)決定性質(zhì),性質(zhì)體現(xiàn)結(jié)構(gòu).對(duì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的研究是學(xué)好化學(xué)的基礎(chǔ).
(1)比較下列各組物質(zhì)熔沸點(diǎn)高低;
①金剛石(C-C) ②晶體硅(Si-Si)  ③金剛砂(Si-C),熔沸點(diǎn)由低到高排列為②③①(填序號(hào))
①金剛石  ②氯化鈉   ③硫磺  ④氧化鎂,熔沸點(diǎn)由高到低排列為①④②③(填序號(hào))
(2)H2O的沸點(diǎn)高于H2S,主要因?yàn)樗肿娱g存在氫鍵.
(3)[Cu(NH34]SO4中所含的化學(xué)鍵有N-H極性鍵外,還有S-O極性鍵、離子鍵.
(4)N、O、S三種元素的第一電離能由大到小順序?yàn)椋篘>O>S.
(5)NH4CuSO3中的金屬陽離子的核外電子排布式為:1s22s22p63s23p63d10 或[Ar]3d10
(6)NH3分子中N原子的雜化方式為:sp3
(7)與SO2互為等電子體的分子有O3(寫一種).
(8)Cr的電子電子排布式:[Ar]3d54s1
(9)O的軌道表示式:
(10)CuCl的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,其中Cl原子的配位數(shù)為4.

分析 (1)不同類型晶體中熔沸點(diǎn):原子晶體>離子晶體>分子晶體,同是原子晶體中,半徑越小,鍵能越大,熔點(diǎn)越高,離子晶體中離子半徑越小、離子所帶電荷越多,晶格能越大,熔點(diǎn)也越高;
(2)水分子間存在氫鍵,導(dǎo)致分子間作用力增強(qiáng),所以沸點(diǎn)較高;
(3)[Cu(NH34]SO4中所含的化學(xué)鍵有N-H極性鍵、S-O極性鍵、離子鍵;
(4)同一周期元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大的趨勢(shì),但第IIA族和第VA族元素的第一電離能大于相鄰元素,同一周期從上向下,第一電離能減。
(5)NH4CuSO3中,Cu原子失去1個(gè)電子生成Cu+,其原子核外有28個(gè)電子,根據(jù)構(gòu)造原理書寫亞銅離子核外電子排布式;
(6)NH3中N形成3個(gè)δ鍵,還有1對(duì)孤對(duì)電子,N雜化類型為sp3
(7)等電子體為原子數(shù)和價(jià)電子數(shù)分別相同的分子、離子或原子團(tuán);
(8)判斷元素原子的核外電子數(shù),先根據(jù)構(gòu)造原理寫出電子排布式,再寫簡(jiǎn)易電子排布式;
(9)O原子的核外層8個(gè)電子,為1s22s22p4,2p軌道中應(yīng)為4個(gè)單電子;
(10)根據(jù)圖知,該晶胞中距離每個(gè)Cu+最近的Cl-的個(gè)數(shù)為4.

解答 解:(1)不同類型晶體中熔沸點(diǎn):原子晶體>離子晶體>分子晶體,同是原子晶體中,半徑越小,鍵能越大,熔點(diǎn)越高,離子晶體中離子半徑越小、離子所帶電荷越多,晶格能越大,熔點(diǎn)也越高,所以①金剛石(C-C) ②晶體硅(Si-Si)  ③金剛砂(Si-C),熔沸點(diǎn)由低到高排列為②③①,①金剛石  ②氯化鈉   ③硫磺  ④氧化鎂,熔沸點(diǎn)由高到低排列為①④②③,
故答案為:②③①;①④②③; 
(2)H2O與H2S都屬于分子晶體,H2O分子間可以形成氫鍵,H2S只含有范德華力,所以水的沸點(diǎn)高于H2S的沸點(diǎn),
故答案為:水分子間存在氫鍵;   
(3)[Cu(NH34]SO4中所含的化學(xué)鍵有N-H極性鍵、S-O極性鍵、離子鍵,
故答案為:S-O極性鍵、離子鍵;
(4)同一周期元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大的趨勢(shì),但第IIA族和第VA族元素的第一電離能大于相鄰元素,同一周期從上向下,第一電離能減小,所以S、N、O三種元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)椋篘>O>S,故答案為:N>O>S;
(5)NH4CuSO3中,銅為26號(hào)元素,其陽離子為+1價(jià)銅離子,所以其核外電子排布式為:1s22s22p63s23p63d10 或[Ar]3d10,
故答案為:1s22s22p63s23p63d10 或[Ar]3d10;
(6)NH3中N形成3個(gè)δ鍵,還有1對(duì)孤對(duì)電子,N雜化類型為sp3,
故答案為:sp3;
(7)原子個(gè)數(shù)相等、價(jià)電子數(shù)相等的微;榈入娮芋w,SO2分子中含有3個(gè)原子、價(jià)電子數(shù)是18,與SO2互為等電子體的分子為O3,
故答案為:O3;
(8)Cr元素為24號(hào)元素,原子核外有24個(gè)電子,其電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s1,則簡(jiǎn)易電子排布式為[Ar]3d54s1,
故答案為:[Ar]3d54s1;
(9)O原子的核外層8個(gè)電子,為1s22s22p4,2p軌道中應(yīng)為4個(gè)單電子,核外電子軌道排布式為:
故答案為:;
(10)根據(jù)圖知,該晶胞中距離每個(gè)Cu+最近的Cl-的個(gè)數(shù)為4,氯離子的配位數(shù)是4.故答案為:4.

點(diǎn)評(píng) 本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì),涉及第一電離能大小的比較、氫鍵、晶胞結(jié)構(gòu)、雜化方式的判斷等知識(shí)點(diǎn),側(cè)重考查學(xué)生分析、計(jì)算能力及空間想象能力,題目難度中等.

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A.電池放電時(shí),PbO2是電池的正極,被氧化
B.電池放電時(shí),SO42-只在負(fù)極發(fā)生反應(yīng)
C.電池放電時(shí),溶液的pH不斷減小
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(1)有機(jī)物M經(jīng)過太陽光光照可轉(zhuǎn)化成N,轉(zhuǎn)化過程如圖:
△H=+88.6kJ/mol
則M、N相比,較穩(wěn)定的是M.(用字母“M”或“N”表示)
(2)已知CH3OH(l)的燃燒熱△H=-238.6kJ/mol,CH3OH(l)+$\frac{1}{2}$O2(g)═CO2(g)+2H2(g)△H=a kJ/mol,則a>-238.6(填“>”、“<”或“=”).
(3)使Cl2和H2O(g)通過灼熱的炭層,生成HCl和CO2,當(dāng)有0.5mol Cl2參與反應(yīng)時(shí)釋放出70kJ熱量,寫出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式:2Cl2(g)+2H2O(g)+C(s)═4HCl(g)+CO2(g)△H=-280kJ•mol-1
(4)火箭和導(dǎo)彈表面的薄層是耐高溫物質(zhì).將石墨、鋁粉和二氧化鈦按一定比例混合在高溫下煅燒,所得物質(zhì)可作耐高溫材料,4Al(s)+3TiO2(s)+3C(s)═2Al2O3(s)+3TiC(s)△H=-1200kJ/mol,則反應(yīng)過程中,還原產(chǎn)物是TiC,每轉(zhuǎn)移1mol電子放出的熱量為100kJ.

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19.我國(guó)支持“人文奧運(yùn)”的一個(gè)重要體現(xiàn)是:堅(jiān)決反對(duì)運(yùn)動(dòng)員服用興奮劑.某種興奮劑的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式如圖所示,有關(guān)該物質(zhì)的說法正確的是(  )
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B.滴入KMnO4(H+)溶液,觀察紫色褪去,說明結(jié)構(gòu)中有一定存在不飽和碳碳雙鍵
C.1 mol該物質(zhì)分別與濃溴水、H2反應(yīng)時(shí)最多消耗Br2和H2分別為4mol、7 mol
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9.能正確表示下列化學(xué)反應(yīng)的離子方程式的是( 。
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16.一個(gè)化學(xué)電池的總反應(yīng)方程式為:Zn+Cu2+═Zn2++Cu,該化學(xué)電池的組成可能為( 。
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14.從安全的角度,下列做法正確的是( 。
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