A. | 粗硅制備單晶硅不涉及氧化還原反應(yīng) | |
B. | 硅是構(gòu)成礦物和巖石的主要元素,硅在地殼中的含量在所有的元素中居第一位 | |
C. | 硅的化學(xué)性質(zhì)不活潑,在自然界中可以以游離態(tài)存在 | |
D. | 硅在電子工業(yè)中,是重要的半導(dǎo)體材料 |
分析 A、根據(jù)粗硅制備單晶硅的反應(yīng)方程式判斷化合價(jià)是否變化;
B、硅在地殼中的含量在所有的元素中居第二位;
C、自然界中沒有游離態(tài)的硅存在;
D、硅在電子工業(yè)中,是最重要的半導(dǎo)體材料.
解答 解:A、粗硅制備單晶硅先利用氧化反應(yīng)即用Cl2氧化粗硅為SiCl4,再利用還原反應(yīng)即用H2還原SiCl4,故A錯(cuò)誤;
B、硅是構(gòu)成礦物和巖石的主要元素,硅在地殼中的含量在所有的元素中居第二位.故B錯(cuò)誤;
C、硅在自然界中以化合態(tài)形式存在.故C錯(cuò)誤;
D、硅在電子工業(yè)中,是最重要的半導(dǎo)體材料,故D正確;
故選D.
點(diǎn)評(píng) 本題主要考查物質(zhì)的性質(zhì)和用途,物質(zhì)具有多種性質(zhì),解答時(shí)應(yīng)該理解物質(zhì)的用途是由物質(zhì)的哪種性質(zhì)決定的.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | ①>②>③>④ | B. | ①>②>④>③ | C. | ③>④>②>① | D. | ①=②=③=④ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 稀硝酸與足量的Fe反應(yīng)的離子方程式:3Fe+8H++2NO3-═3Fe2++2NO↑+4H2O | |
B. | 碳酸氫鈣溶液中加入過量的氫氧化鈉:Ca2++HCO3-+OH-═CaCO3↓+H2O | |
C. | 向碳酸鈣中加入稀鹽酸的離子方程式:CO32-+2H+═CO2↑+H2O | |
D. | 硅酸鈉溶液中通入過量二氧化碳:CO2+SiO32-+H2O═H4SiO4↓+CO32- |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 10gH2和10gO2 | B. | 11.2LN2(標(biāo)準(zhǔn)狀況下)和11gCO | ||
C. | 9gH2O和0.5mol Br2 | D. | 224mlH2(標(biāo)準(zhǔn)狀況下)和0.1mol N2 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 標(biāo)準(zhǔn)狀況下,2.24 CCl4中含有0.4NA個(gè)碳氯單鍵 | |
B. | 22.4LCl2通入水中充分反應(yīng),共轉(zhuǎn)移NA個(gè)電子 | |
C. | 1 L 1 mol/L的氯化銅溶液中Cu2+的數(shù)目小于NA | |
D. | 5.6g鐵在0.1 mol氯氣中充分燃燒,轉(zhuǎn)移的電子數(shù)為0.3NA |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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