由極性鍵構(gòu)成的原子晶體是


  1. A.
    金剛石
  2. B.
    石英
  3. C.
    干冰
  4. D.
    石膏
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下表是元素周期表的一部分．表中所列的字母分別代表一種化學(xué)元素．
a
b c d e f
g h i j k l m
n o

試回答下列問題：
（1）第三周期8種元素單質(zhì)熔點高低順序如圖1，其中序號“8”代表
Si
Si
（填元素符號）；
（2）由j原子跟c原子以1：1相互交替結(jié)合而形成的晶體，晶型與晶體j相同．兩者相比熔點更高的是
SiC
SiC
（填化學(xué)式），試從結(jié)構(gòu)角度加以解釋：
因SiC晶體與Si晶體都是原子晶體，由于C的原子半徑小，SiC中C-Si鍵鍵長比晶體Si中Si-Si鍵長短，鍵能大，因而熔沸點高
因SiC晶體與Si晶體都是原子晶體，由于C的原子半徑小，SiC中C-Si鍵鍵長比晶體Si中Si-Si鍵長短，鍵能大，因而熔沸點高
．
（3）元素c的一種氧化物與元素d的一種氧化物互為等電子體，元素c的氧化物分子式是
CO2
CO2
，該分子是由
極性
極性
鍵構(gòu)成的
非極性
非極性
分子（填“極性”或“非極性”）；元素d的氧化物的分子式是
N2O
N2O
．
（4）i單質(zhì)晶體中原子的堆積方式如圖2甲所示（面心立體最密堆積），其晶胞特征如圖2乙所示．則晶胞中i原子的配位數(shù)為
12
12
，一個晶胞中i原子的數(shù)目為
4
4
；晶胞中存在兩種空隙，分別是
正四面體空隙
正四面體空隙
、
正八面體空隙
正八面體空隙
．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（1）第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似．Ga原子的電子排布式為
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1
．在GaN晶體中，與同一個Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體
．在四大晶體類型中，GaN屬于
原子
原子
晶體．
（2）銅、鐵元素能形成多種配合物．微粒間形成配位鍵的條件是：一方是能夠提供孤電子對的原子或離子，另一方是具有
能夠接受孤電子對的空軌道
能夠接受孤電子對的空軌道
的原子或離子
（3）CuCl2溶液與乙二胺（H2N-CH2-CH2-NH2）可形成配離子：請回答下列問題：

①H、N、O三種元素的電負(fù)性由大到小的順序是
O＞N＞H
O＞N＞H
．
②SO2分子的空間構(gòu)型為
V形
V形
．與SnCl4互為等電子體的一種離子的化學(xué)式為
SO42-、SiO44-等
SO42-、SiO44-等

③乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為
sp3雜化
sp3雜化
．乙二胺和三甲胺[N（CH3）3]均屬于胺，但乙二胺比三甲胺的沸點高的多，原因是
乙二胺分子間可以形成氫鍵，三甲胺分子間不能形成氫鍵
乙二胺分子間可以形成氫鍵，三甲胺分子間不能形成氫鍵
．
④（3）中所形成的配離子中含有的化學(xué)鍵類型有
abd
abd
．
a．配位鍵     b．極性鍵     c．離子鍵    d．非極性鍵
⑤CuCl的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，其中Cl原子的配位數(shù)為
4
4
．

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科目：高中化學(xué) 來源：2010—2011年江蘇泰州中學(xué)上學(xué)期高三質(zhì)量檢測化學(xué)卷 題型：填空題

（12分）⑴第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為    ▲   。在GaN晶體中，與同一個Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為   ▲  。在四大晶體類型中，GaN屬于  ▲ 晶體。
⑵K^S*5U.C#O%銅、鐵元素能形成多種配合物。微粒間形成配位鍵的條件是：一方是能夠提供孤電子對的原子或離子，另一方是具有    ▲  的原子或離子
⑶CuCl2溶液與乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配離子：請回答下列問題：

① H、N、O三種元素的電負(fù)性由大到小的順序是   ▲ 。
②SO2分子的空間構(gòu)型為  ▲ 。與SnCl4互為等電子體的一種離子的化學(xué)式為  ▲
③乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為  ▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺，但乙二胺比三甲胺的沸點高的多，原因是  ▲  。
④⑶中所形成的配離子中含有的化學(xué)鍵類型有   ▲  。
a．配位鍵     b．極性鍵     c．離子鍵    d．非極性鍵

⑤CuCl的晶胞結(jié)構(gòu)如上圖所示，其中Cl原子的配位數(shù)為    ▲ 。

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科目：高中化學(xué) 來源：0110 期末題 題型：填空題

零排放、太陽能、綠色光源等高科技點亮2010上海世博會。
（1）世博園區(qū)外圍設(shè)置生態(tài)化停車場，有害尾氣被納米光觸媒涂料分解為無毒物質(zhì)，汽車尾氣中下列物質(zhì)屬于由極性鍵構(gòu)成的非極性分子為_____________。
a. CO b. NO c. NO2 d. CO2
（2）“一軸四館”中安裝了高亮度節(jié)能的陶瓷金鹵燈，金鹵燈中填充物通常包含Na、81Tl、49In、Sc、N等元素的單質(zhì)及化合物。下列說法正確的是_____________。
a. 第ⅢA元素鉈和銦，第一電離能鉈小于銦
b. 元素Sc 位于周期表s區(qū)
c. 鈉的熔點低，是因為金屬鍵較弱
d. 純凈的N2（光譜純）可由疊氮化鈉（NaN3）加熱分解而得到，由等電子體理論可推知N3-呈直線型 （3）世博館廣泛采用了冰蓄冷空調(diào)。冰蓄冷空調(diào)采用液態(tài)化合物乙二醇（HOCH2CH2OH）介質(zhì)，乙二醇沸點高，是由于_____________。
（4）上海地區(qū)大規(guī)模集中使用“21世紀(jì)綠色光源”LED半導(dǎo)體照明， LED晶片采用砷化鎵（GaAs）等材料組成。其中Ga原子在基態(tài)時，核外電子排布式為_____________。GaAs的晶胞結(jié)構(gòu)如圖，晶胞中含砷原子數(shù)為_____________。砷化鎵是將(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法在700℃時制備得到。AsH3的空間形狀為_____________，(CH3)3Ga中鎵原子的雜化方式為_____________。
（5）“東方之冠”（中國館）表面裝有7000多塊紅色鋁板，紅色鋁板為新型氟碳噴涂型材，一種氟碳涂層聚酯（FEP），它的單體為CF3-CF=CF2，該分子中碳原子的雜化方式有_____________ 。

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科目：高中化學(xué) 來源：期末題 題型：填空題

光健康、太陽能、綠色節(jié)能、零排放等高科技點亮2010上海世博。
(1)世博園區(qū)外圍設(shè)置生態(tài)化停車場，有害尾氣被納米光觸媒涂料分解為無毒物質(zhì)，汽車尾氣中下列物質(zhì)中屬于由極性鍵構(gòu)成的非極性分子為____。
A．CO2 B．NO C．NO2 D．CO
(2)“一軸四館”中安裝了高亮度節(jié)能的陶瓷金鹵燈，金鹵燈中填充物通常包含Na、81Tl、49In、Sc、I等元素的單質(zhì)及化合物。有關(guān)說法正確的是____。
A．第ⅢA元素鉈和銦，第一電離能T1大于In
B．元素Sc位于周期表d區(qū)
C．鈉的熔點低，是因為金屬鍵較弱
D．I2溶于KI溶液，可產(chǎn)生I3-，由價層互斥理論可推知I3-呈直線形
(3)“東方之冠”（中國館）表面裝有7000多塊紅色鋁板，紅色鋁板為新型氟碳噴涂型材，一種氟碳涂層聚酯(FEP)，它的單體為CF3-CF=CF2，該分子中碳原子的雜化方式有____。
(4)上海城區(qū)大規(guī)模集中使用“21世紀(jì)綠色光源”LED半導(dǎo)體照明，LED晶片采用砷化鎵(GaAs)等材料組成。其中As原子在基態(tài)時外圍電子排布式為：_____。GaAs的晶胞結(jié)構(gòu)如圖，晶胞中含鎵原子數(shù)為____。
(5)世博館廣泛采用了冰蓄冷空調(diào)。冰蓄冷空調(diào)采用液態(tài)化合物乙二醇(HOCH2CH2OH)介質(zhì)，乙二醇沸點高，是由于_______________________。

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同步練習(xí)冊答案