某晶體的最小結(jié)構(gòu)單元如圖所示，X(●表示)位于立方體的頂點(diǎn)，Y(○表示)位于立方體的中心．

(1)

該晶體的晶胞中平均占有的X原子有________個(gè)；Y原子的配位數(shù)為________．這些X原子組成的構(gòu)型是________．

(2)

若該晶體中還含有Z元素，Z未標(biāo)出，其化學(xué)式為XY2Z6，且互相距離最近的Z原子組成一個(gè)正八面體．Z在上述晶體結(jié)構(gòu)單元中的位置是________．

(3)

若用a表示晶胞邊長(cm)，ρ表示密度(g/cm3)，NA表示阿伏加德常數(shù)，則該晶體的相對分子質(zhì)量表達(dá)式為________．

答案：2．面心;
解析：

(1)

4,4,正四面體

(3)


練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（2009?深圳二模）前四周期元素A、B、C、D、E、F，原子序數(shù)依次增大，其中A和B同周期，固態(tài)的AB2能升華；C和E原子都有一個(gè)未成對電子，C+比E-少一個(gè)電子層，E原子的一個(gè)電子后3p軌道全充滿；D的最高化合價(jià)和最低化合價(jià)代數(shù)和為4，其最高價(jià)氧化物中D的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40%，且核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù)；F為紅色單質(zhì)，廣泛用于電氣工業(yè)．回答下列問題：
（1）元素電負(fù)性：D
＜
＜
E （填＞、＜或=）
（2）A、C單質(zhì)熔點(diǎn)A
＞
＞
C（填＞、＜或=）
（3）AE4中A原子雜化軌道方式為：
SP3
SP3
雜化；其固態(tài)晶體類型為
分子晶體
分子晶體
．
（4）F的核外電子排布式為
1s22s22p63s23p63d104s1
1s22s22p63s23p63d104s1
；向F的硫酸鹽中逐滴加入氨水先產(chǎn)生沉淀，后沉淀溶解為深藍(lán)色溶液，加入乙醇會析出藍(lán)色晶體，該晶體中F與NH3之間的化學(xué)鍵為
配位鍵
配位鍵
．
（5）氫化物的沸點(diǎn)：B比D高的原因
水分子間存在氫鍵，增大分子間作用力
水分子間存在氫鍵，增大分子間作用力
；
（6）元素X的某價(jià)態(tài)陰離子Xn-中所有電子正好充滿K和L電子層，CnX晶體的最小結(jié)構(gòu)單元如圖所示．該晶體中陽離子和陰離子個(gè)數(shù)比為
3：1
3：1
，晶體中每個(gè)Xn-被
6
6
個(gè)等距離的C+離子包圍．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

過渡元素的化合物是高溫超導(dǎo)物質(zhì)研究的熱點(diǎn)．某過渡元素A與氧形成的化合物叫金紅石，其晶體的最小結(jié)構(gòu)單元如圖．則下面有關(guān)金紅石的說法正確的是（　�。�

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

前四周期元素A、B、C、D、E、F，原子序數(shù)依次增大，其中A和B同周期，固態(tài)的AB2能升華；C和E原子都有一個(gè)未成對電子，C+比E-少一個(gè)電子層，E原子得到一個(gè)電子后3p軌道全充滿；D最高價(jià)氧化物中D的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40%，且核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù)；F為紅色單質(zhì)，有F+和F2+兩種離子。回答下列問題：

（1）元素電負(fù)性：D____E (填＞、＜或＝)

（2）A、C單質(zhì)熔點(diǎn)A_____C(填＞、＜或＝)

（3）AE4中A原子雜化軌道方式為:________雜化；其固態(tài)晶體類型為_______

（4）F的核外電子排布式為______；向F的硫酸鹽中逐滴加入氨水先產(chǎn)生沉淀，后沉淀溶解為深藍(lán)色溶液，加入乙醇會析出藍(lán)色晶體，該晶體中F與NH3之間的化學(xué)鍵為_______

（5）氫化物的沸點(diǎn)：B比D高的原因______;

（6）元素X的某價(jià)態(tài)陰離子Xn-中所有電子正好充滿K和L電子層，CnX晶體的最小結(jié)構(gòu)單元如圖所示。

該晶體中陽離子和陰離子個(gè)數(shù)比為_______，晶體中每個(gè)Xn-被_____個(gè)等距離的C+離子包圍。

 

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科目：高中化學(xué) 來源：2011屆江西省六校高三聯(lián)考（理綜）化學(xué)部分 題型：填空題

前四周期元素A、B、C、D、E、F，原子序數(shù)依次增大，其中A和B同周期，固態(tài)的AB2能升華；C和E原子都有一個(gè)未成對電子，C+比E-少一個(gè)電子層，E原子得到一個(gè)電子后3p軌道全充滿；D最高價(jià)氧化物中D的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40%，且核內(nèi)質(zhì)子數(shù)等于中子數(shù)；F為紅色單質(zhì)，有F+和F2+兩種離子�；卮鹣铝袉栴}：
（1）元素電負(fù)性：D____E (填＞、＜或＝)
（2）A、C單質(zhì)熔點(diǎn)A_____C(填＞、＜或＝)
（3）AE4中A原子雜化軌道方式為:________雜化；其固態(tài)晶體類型為_______
（4）F的核外電子排布式為______；向F的硫酸鹽中逐滴加入氨水先產(chǎn)生沉淀，后沉淀溶解為深藍(lán)色溶液，加入乙醇會析出藍(lán)色晶體，該晶體中F與NH3之間的化學(xué)鍵為_______
（5）氫化物的沸點(diǎn)：B比D高的原因______;
（6）元素X的某價(jià)態(tài)陰離子Xn-中所有電子正好充滿K和L電子層，CnX晶體的最小結(jié)構(gòu)單元如圖所示。

該晶體中陽離子和陰離子個(gè)數(shù)比為_______，晶體中每個(gè)Xn-被_____個(gè)等距離的C+離子包圍。

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