A. | X 元素的氫化物的水溶液顯堿性 | |
B. | Z 元素的離子半徑大于 W 元素的離子半徑 | |
C. | Z 元素的單質(zhì)在一定條件下能與 X 元素的單質(zhì)反應(yīng) | |
D. | Y 元素最高價(jià)氧化物的晶體具有很高的熔點(diǎn)和沸點(diǎn) |
分析 X、Y、Z、W是短周期元素,X元素原子的最外層未達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),工業(yè)上通過分離液態(tài)空氣獲得其單質(zhì),X可能為O,也可能為N元素;Z元素+2價(jià)陽離子的核外電子排布與氖原子相同,則Z元素的質(zhì)子數(shù)為10+2=12,故Z為Mg元素;Y元素原子最外電子層上s、p電子數(shù)相等,外圍電子排布為ns2np2,處于ⅣA族,且屬于短周期元素,所以Y為C或Si;W元素原子的M層有1個(gè)未成對(duì)的p電子,外圍電子排布為3s23p1或3s23p5,W為Al或Cl,以此來解答.
解答 解:由上述分析可知,X為O或N,Y為C或Si,Z為Mg,W為Al或Cl,
A.X可能為O或N,氫化物可以是H2O、NH3、H2O2等,水是中性,H2O2溶液為酸性,故A錯(cuò)誤;
B.若W為Cl,鎂離子與氯離子最外層電子數(shù)相同,電子層越多離子半徑越大,鎂離子半徑小于氯離子半徑,若W為Al,鎂離子與鋁離子電子層結(jié)構(gòu)相同,核電荷數(shù)越大,離子半徑越小,鎂離子半徑大于鋁離子半徑,故B錯(cuò)誤;
C.Mg在氮?dú)庵腥紵蒑g3N2,在氧氣轉(zhuǎn)化燃燒生成MgO,故C正確;
D.若Y為Si,則其氧化物為二氧化硅,屬于原子晶體,熔沸點(diǎn)較高;若Y為C,最高價(jià)氧化物為二氧化碳,為分子晶體,熔沸點(diǎn)較低,故D錯(cuò)誤;
故選C.
點(diǎn)評(píng) 本題考查原子結(jié)構(gòu)與元素周期律,為高頻考點(diǎn),把握原子結(jié)構(gòu)、電子排布來推斷元素為解答的關(guān)鍵,側(cè)重分析與應(yīng)用能力的考查,注意X、W元素不確定,題目難度中等.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 乙烯可以催熟植物的果實(shí) | |
B. | 乙烯生成聚乙烯的反應(yīng)是乙烯分子互相加成反應(yīng) | |
C. | 乙烯分子的空間構(gòu)型是正四面體 | |
D. | 使用溴水或KMnO4 溶液,都可以鑒別乙烯和乙烷 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
實(shí)驗(yàn)次數(shù) | 1 | 2 | 3 |
消耗Na2S2O3溶液體積/mL | 19.30 | 20.98 | 21.02 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 配位化合物中一定含有配位鍵 | |
B. | 配位化合物只含有配位鍵 | |
C. | [Cu(H2O)6]2+中的Cu2+提供空軌道,H2O 中的O原子提供孤對(duì)電子形成配位鍵 | |
D. | 配位化合物在半導(dǎo)體等尖端技術(shù)、醫(yī)學(xué)科學(xué)、催化反應(yīng)和材料化學(xué)等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | Mg+O2$\stackrel{△}{→}$MgO2 | B. | 2KClO3$→_{△}^{MnO_{2}}$2KCl+O2↑ | ||
C. | 2NaOH+SO2→Na2SO4+H2O | D. | BaCl2+Na2CO3→BaCO3↓+2NaCl |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | X、Y的濃度不再變化 | |
B. | 單位時(shí)間生成amolX,同時(shí)生成3amolY | |
C. | X、Y、Z的分子數(shù)之比為1:3:2 | |
D. | X占混合氣體的體積分?jǐn)?shù)不變 |
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