A. | 分子晶體中分子間作用力越大,分子越穩(wěn)定 | |
B. | 硫酸氫鈉溶于水時(shí)只破壞離子鍵 | |
C. | 含有陽離子的晶體中一定有陰離子 | |
D. | 1 mol二氧化硅晶體含4 mol Si-O鍵 |
分析 A.分子晶體的穩(wěn)定性與化學(xué)鍵有關(guān);
B.鈉離子和硫酸根是離子鍵.氫離子和硫酸根是共價(jià)鍵;
C.陽離子的晶體不一定含陰離子;
D.根據(jù)二氧化硅的結(jié)構(gòu)計(jì)算Si-O鍵的物質(zhì)的量.
解答 解:A.分子晶體的穩(wěn)定性與化學(xué)鍵有關(guān),共價(jià)鍵越強(qiáng),穩(wěn)定性越大,而分子間作用力只影響物質(zhì)的熔沸點(diǎn),故A錯(cuò)誤;
B.鈉離子和硫酸根是離子鍵.氫離子和硫酸根是共價(jià)鍵,硫酸氫鈉溶于水既有共價(jià)鍵破壞又有離子鍵破壞,故B錯(cuò)誤;
C.陽離子的晶體不一定含陰離子,如金屬晶體中含金屬陽離子和自由電子,故C錯(cuò)誤;
D.一個(gè)Si原子能和4個(gè)O原子形成4個(gè)共價(jià)鍵使Si原子達(dá)到穩(wěn)定結(jié)構(gòu),所以1mol二氧化硅晶體中含Si-O鍵為4mol,故D正確.
故選D.
點(diǎn)評(píng) 本題考查較綜合,涉及晶體類型及作用力、化學(xué)鍵和化合物的關(guān)系等,為高頻考點(diǎn),把握相關(guān)概念為解答的關(guān)鍵,側(cè)重分析與應(yīng)用能力的考查,題目難度不大.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 原子半徑的大小順序是c>b>a>d | |
B. | c的氫化物比a的氫化物穩(wěn)定 | |
C. | b和d可結(jié)合成bd32-和bd42-陰離子 | |
D. | a、b、c的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性強(qiáng)弱關(guān)系是c>b>a |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 使用合適的催化劑可以加大反應(yīng)速率 | |
B. | 升高溫度可以增大反應(yīng)速率 | |
C. | 增大N2濃度可以使H2轉(zhuǎn)化率達(dá)到100% | |
D. | 增大N2濃度可以增大反應(yīng)速率 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 加熱 | B. | 滴加少量的CuSO4溶液 | ||
C. | 不用稀硫酸,改用98%濃硫酸 | D. | 不用鐵片,改用鐵粉 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | v(A)=0.15mol/(L•min) | B. | v(B)=0.6mol/(L•min) | ||
C. | v(C)=0.4mol/(L•min) | D. | v(D)=0.0075 mol/(L•s) |
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