太陽能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代。第一代為單晶硅太陽能電池,第二代為多晶硅、非晶硅等太陽能電池,第三代就是銅銦鎵硒CIGs(CIS中摻入Ga)等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池。
(1)亞銅離子(Cu+)基態(tài)時的價電子排布式表示為 。
(2)硒為第4周期元素,相鄰的元素有砷和溴,則3種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)?u> (用元素符號表示)。
(3)Cu晶體的堆積方式是 (填堆積名稱),其配位數(shù)為 ;往Cu的硫酸鹽溶液中加入過量氨水,可生成[Cu(NH3)4]SO4,下列說法正確的是_____
A.[Cu (NH3)4]SO4中所含的化學(xué)鍵有離子鍵、極性鍵和配位鍵
B.在[Cu(NH3)4 ]2+中Cu2+給出孤對電子,NH3提供空軌道
C.[Cu (NH3)4]SO4組成元素中第一電離能最大的是氧元素
D.SO42-與PO43-互為等電子體,空間構(gòu)型均為正四面體
(4)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性,其化合物往往具有加合性,因而硼酸(H3BO3)溶于水顯弱酸性,但它卻只是一元酸,可以用硼酸在水溶液中的電離平衡解釋它只是一元弱酸的原因。
①H3BO3中B的原子雜化類型為 ;
②寫出硼酸在水溶液中的電離方程式 。
(5)硅與碳是同一主族元素,其中石墨為混合型晶體,已知石墨的層 間距為335pm,C-C鍵長為142pm,計(jì)算石墨晶體密度(要求寫出計(jì)算過程,得出結(jié)果保留三位有效數(shù)字,NA為6.02×1023mol-1)
(1)3d10(1分)
(2)Br〉A(chǔ)s〉Se(2分)
(3)12 (2分) 面心立方最密堆積 AD(2分)
(4)①sp2(2分)②(2分)
(5)石墨的層間距為335pm,可以認(rèn)為一層石墨的厚度是335pm。對某一層石墨中的一個六元環(huán),正六邊形環(huán)的邊長是142pm,面積S=6×1/2×142×142sin(π/3)=52387.6pm2。環(huán)的厚度h=335pm那么一個環(huán)占有的體積V=Sh=52387.6×335=1.754×107pm3=1.754×10-23cm3。六元環(huán)中每個C原子都被3個環(huán)共用,一個環(huán)實(shí)際有2個C原子。一個環(huán)的質(zhì)量m=2M/NA=2×12.01/(6.023×1023)=3.988×10-23g。
所以,石墨的密度ρ=m/V=3.988/1.754=2.27g/cm3。(4分)
【解析】
試題分析:(1)銅是29號元素,銅原子失去一個電子變成亞銅離子,所以亞銅離子核外有28個電子,根據(jù)構(gòu)造原理寫出其核外電子排布式基態(tài)銅離子(Cu+)的價電子排布式為:3d10
(2)同一周期中元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大的趨勢,但第VA族元素最外層p軌道處于半充滿狀態(tài)較穩(wěn)定,第一電離能大于其相鄰元素;As、Se、Br屬于同一周期且原子序數(shù)逐漸增大,這三種元素依次屬于第IVA族、第VA族、第VIA族,3種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)锽r>As>Se;
(3)金屬銅為面心立方堆積,配位數(shù)為12;在[Cu(NH3)4]SO4中含有離子鍵、極性鍵和配位鍵;配位鍵的形成:NH3給出孤對電子,Cu2+提供空軌道;同一周期中元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大的趨勢,但第VA族元素最外層p軌道處于半充滿狀態(tài)較穩(wěn)定,第一電離能大于其相鄰元素;同一族中元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈減小的趨勢,所以第一電離能最大的為氮元素;選A、D;
(4)①H3BO3中B原子和三個羥基相連,具有具有平面三角的構(gòu)形,B是sp2雜化;②H3BO3為缺電子化合物,溶于水后和水電離產(chǎn)生的OH-通過配位鍵結(jié)合形成[B(OH)4]-,故H3BO3的電離方程式為
考點(diǎn):考查核外電子排布、第一電離能大小的比較、雜化方式的判斷、配位數(shù)的判斷、晶胞結(jié)構(gòu)結(jié)合豐富想象力進(jìn)行分析解答。.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:閱讀理解
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
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科目:高中化學(xué) 來源:2012-2013學(xué)年山東省青島市高三第一次模擬考試?yán)砭C化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
太陽能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代。第三代就是銅銦鎵硒CIGS等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池。完成下列填空:
(1)亞銅離子(Cu+)基態(tài)時的電子排布式為 ;
(2)硒為第4周期元素,相鄰的元素有砷和溴,則3種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)? (用元素符號表示),用原子結(jié)構(gòu)觀點(diǎn)加以解釋 ;
(3)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性(價電子數(shù)少于價層軌道數(shù)),其化合物可與具有孤對電子的分子或離子生成加合物,如BF3能與NH3反應(yīng)生成BF3·NH3。 BF3·NH3中B原子的雜化軌道類型為 ,B與N之間形成 鍵;
(4)單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似,若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵,則得如圖所示的金剛砂(SiC)結(jié)構(gòu);在SiC中,每個C原子周圍最近的C原子數(shù)目為 。
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科目:高中化學(xué) 來源:2012-2013學(xué)年江西省南昌市高三第三次模擬考試?yán)砭C化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
太陽能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代。第一代為單晶硅太陽能電池,第二代為多晶硅、非晶硅等太陽能電池,第三代就是銅銦鎵硒CIGS(CIS中摻人Ga)等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池。
(1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是___ 。
(2)硒為第4周期元素,相鄰的元素有砷和溴,則3種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)?u> (用元素符號表示)。
(3)H2Se的酸性比H2S____(填“強(qiáng)”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為____ 。
(4)硅烷(SinH2n+2)的沸點(diǎn)與其相對分子質(zhì)量的變化關(guān)系如圖所示,呈現(xiàn)這種變化關(guān)系的原因是 。
(5)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性,其化合物往往具有加合性,因而硼酸(H3BO3)在水溶液中能與水反應(yīng)生成[B(OH)4]—而體現(xiàn)一元弱酸的性質(zhì),則[B(OH)4]—中B的原子雜化類型為 。
(6)金屬Cu單獨(dú)與氨水或單獨(dú)與過氧化氫都不能反應(yīng),但可與氨水和過氧化氫的混合溶液反應(yīng),其原因是____,反應(yīng)的離子方程式為 。
(7)一種銅金合金晶體具有面心立方最密堆積的結(jié)構(gòu)。在晶脆中,Au原子位于頂點(diǎn),Cu原子位于面心,則該合金中Au原子與Cu原子個數(shù)之比為 ,若該晶胞的邊長為a pm,則合金的密度為 g·cm-3(已知lpm=10-12m,只要求列算式,不必計(jì)算出數(shù)值,阿伏加塞羅常數(shù)為NA)。
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