A.CO32- | B.BF3 | C.SO3 | D.CH4 |
科目:高中化學 來源:同步題 題型:填空題
20世紀50年代科學家提出價層電子對互斥模型(簡稱VSEPR模型),用于預測簡單分子立體結構。其要點可以概括為:
Ⅰ.用AXnEm表示只含一個中心原子的分子組成,A為中心原子,X為與中心原子相結合的原子,E為中心原子最外層未參與成鍵的電子對(稱為孤對電子),(n+m)稱為價層電子對數。分子中的價層電子對總是互相排斥,均勻地分布在中心原子周圍的空間;
Ⅱ.分子的立體構型是指分子中的原子在空間的排布,不包括中心原子未成鍵的孤對電子;
Ⅲ.分子中價層電子對之間的斥力主要順序為:
i.孤對電子之間的斥力>孤對電子對與共用電子對之間的斥力>共用電子對之間的斥力;
ii.雙鍵與雙鍵之間的斥力>雙鍵與單鍵之間的斥力>單鍵與單鍵之間的斥力;
iii.X原子得電子能力越弱,A-X形成的共用電子對之間的斥力越強;
iV.其他。
請仔細閱讀上述材料,回答下列問題:
(1)根據要點I可以畫出AXnEm的VSEPR理想模型,請?zhí)顚懴卤?/div>
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科目:高中化學 來源:0104 期中題 題型:填空題
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科目:高中化學 來源: 題型:閱讀理解
20世紀50年代科學家提出價層電子對互斥模型(簡稱VSEPR模型),用于預測簡單分子立體結構。其要點可以概括為:
Ⅰ、用AXnEm表示只含一個中心原子的分子組成,A為中心原子,X為與中心原子相結合的原子,E為中心原子最外層未參與成鍵的電子對(稱為孤對電子),(n+m)稱為價層電子對數。分子中的價層電子對總是互相排斥,均勻的分布在中心原子周圍的空間;
Ⅱ、分子的立體構型是指分子中的原子在空間的排布,不包括中心原子未成鍵的孤對電子;
Ⅲ、分子中價層電子對之間的斥力主要順序為:i、孤對電子之間的斥力>孤對電子對與共用電子對之間的斥力>共用電子對之間的斥力;ii、雙鍵與雙鍵之間的斥力>雙鍵與單鍵之間的斥力>單鍵與單鍵之間的斥力;iii、X原子得電子能力越弱,A-X形成的共用電子對之間的斥力越強;iv、其他。請仔細閱讀上述材料,回答下列問題:
(1)根據要點I可以畫出AXnEm的VSEPR理想模型,請?zhí)顚懴卤恚?/p>
n+m | 2 |
|
VSEPR理想模型 |
| 正四面體 |
價層電子對之間的理想鍵角 |
| 109°28′ |
(2)請用VSEPR模型解釋CO2為直線型分子的原因 ;
(3)H2O分子的立體構型為: ,請你預測水分子中∠H-O-H的大小
范圍并解釋原因 ;
(4)SO2Cl2和SO2F2都屬AX4E0型分子,S=O之間以雙鍵結合,S-Cl、S-F之間以單鍵結
合。請你預測 SO2Cl2和SO2F2分子的立體構型: , SO2Cl2
分子中∠Cl-S-Cl (選填“<”、“>”或“=”)SO2F2分子中∠F-S-F。
(5)用價層電子對互斥理論(VSEPR)判斷下列分子或離子的空間構型
分子或 離子 | PbCl2 | XeF4 | SnCl62- | PF3Cl2 | HgCl42- | ClO4-- |
空間 構型 |
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