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下列分子或離子中,立體構型不是平面三角形的是( 。
A.CO32-B.BF3C.SO3D.CH4
A.C形成3個δ鍵,孤對電子數為
4+2-3×2
2
=0,為sp2雜化,立體構型為平面三角形,故A不選;
B.B形成3個δ鍵,孤對電子數為
3-1×3
2
=0,為sp2雜化,立體構型為平面三角形,故B不選;
C.S形成3個δ鍵,孤對電子數為
6-2×3
2
=0,為sp2雜化,立體構型為平面三角形,故C不選;
D.C形成4個δ鍵,孤對電子數為
4-1×4
2
=0,為sp3雜化,立體構型為正四面體結構,故D選.
故選D.
練習冊系列答案
相關習題

科目:高中化學 來源: 題型:

下列分子或離子中,立體構型不是平面三角形的是( 。

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科目:高中化學 來源:同步題 題型:填空題

20世紀50年代科學家提出價層電子對互斥模型(簡稱VSEPR模型),用于預測簡單分子立體結構。其要點可以概括為:
Ⅰ.用AXnEm表示只含一個中心原子的分子組成,A為中心原子,X為與中心原子相結合的原子,E為中心原子最外層未參與成鍵的電子對(稱為孤對電子),(n+m)稱為價層電子對數。分子中的價層電子對總是互相排斥,均勻地分布在中心原子周圍的空間;
 Ⅱ.分子的立體構型是指分子中的原子在空間的排布,不包括中心原子未成鍵的孤對電子;
Ⅲ.分子中價層電子對之間的斥力主要順序為:
i.孤對電子之間的斥力>孤對電子對與共用電子對之間的斥力>共用電子對之間的斥力;
ii.雙鍵與雙鍵之間的斥力>雙鍵與單鍵之間的斥力>單鍵與單鍵之間的斥力;
iii.X原子得電子能力越弱,A-X形成的共用電子對之間的斥力越強;
iV.其他。
請仔細閱讀上述材料,回答下列問題:
(1)根據要點I可以畫出AXnEm的VSEPR理想模型,請?zhí)顚懴卤?/div>

(2)請用VSEPR模型解釋CO2為直線形分子的原因______________;
(3)H2O分子的立體構型為:______,請你預測水分子中∠H-O-H的大小范圍并解釋原因_____________;
(4)SO2Cl2和SO2F2都屬AX4E0型分子,S=O之間以雙鍵結合,S-Cl、S-F之間以單鍵結合。請你預測
SO2Cl2和SO2F2分子的立體構型:__________________,SO2Cl2分子中∠Cl-S-Cl ____(填“<”、“>”或“=”)SO2F2分子中∠F-S-F。
(5)用價層電子對互斥理論(VSEPR)判斷下列分子或離子的空間構型

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科目:高中化學 來源:0104 期中題 題型:填空題

20世紀50年代科學家提出價層電子對互斥模型(簡稱VSEPR模型),用于預測簡單分子立體結構。其要點可以概括為:
Ⅰ、用AXnEm表示只含一個中心原子的分子組成,A為中心原子,X為與中心原子相結合的原子,E為中心原子最外層未參與成鍵的電子對(稱為孤對電子),(n+m)稱為價層電子對數。分子中的價層電子對總是互相排斥,均勻的分布在中心原子周圍的空間;
Ⅱ、分子的立體構型是指分子中的原子在空間的排布,不包括中心原子未成鍵的孤對電子;
Ⅲ、分子中價層電子對之間的斥力主要順序為:
i、孤對電子之間的斥力>孤對電子對與共用電子對之間的斥力>共用電子對之間的斥力;
ii、雙鍵與雙鍵之間的斥力>雙鍵與單鍵之間的斥力>單鍵與單鍵之間的斥力;
iii、X原子得電子能力越弱,A-X形成的共用電子對之間的斥力越強;
iv、其他。
請仔細閱讀上述材料,回答下列問題:
(1)根據要點I可以畫出AXnEm的VSEPR理想模型,請?zhí)顚懴卤?/div>
(2)請用VSEPR模型解釋CO2為直線型分子的原因________________________;
(3)H2O分子的立體構型為:____________,請你預測水分子中∠H-O-H的大小范圍__________;
(4)SO2Cl2和SO2F2都屬AX4E0型分子,S=O之間以雙鍵結合,S-Cl、S-F之間以單鍵結合。請你預測SO2Cl2和SO2F2分子的立體構型:______________, SO2Cl2分子中∠Cl-S-Cl (選填“<”、“>”或“=”)_______SO2F2分子中∠F-S-F。
(5)用價層電子對互斥理論(VSEPR)判斷下列分子或離子的空間構型

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科目:高中化學 來源: 題型:閱讀理解

20世紀50年代科學家提出價層電子對互斥模型(簡稱VSEPR模型),用于預測簡單分子立體結構。其要點可以概括為:

Ⅰ、用AXnEm表示只含一個中心原子的分子組成,A為中心原子,X為與中心原子相結合的原子,E為中心原子最外層未參與成鍵的電子對(稱為孤對電子),(n+m)稱為價層電子對數。分子中的價層電子對總是互相排斥,均勻的分布在中心原子周圍的空間;

Ⅱ、分子的立體構型是指分子中的原子在空間的排布,不包括中心原子未成鍵的孤對電子;

Ⅲ、分子中價層電子對之間的斥力主要順序為:i、孤對電子之間的斥力>孤對電子對與共用電子對之間的斥力>共用電子對之間的斥力;ii、雙鍵與雙鍵之間的斥力>雙鍵與單鍵之間的斥力>單鍵與單鍵之間的斥力;iii、X原子得電子能力越弱,A-X形成的共用電子對之間的斥力越強;iv、其他。請仔細閱讀上述材料,回答下列問題:

(1)根據要點I可以畫出AXnEm的VSEPR理想模型,請?zhí)顚懴卤恚?/p>

n+m

2

 

VSEPR理想模型

 

正四面體

價層電子對之間的理想鍵角

 

109°28′

(2)請用VSEPR模型解釋CO2為直線型分子的原因                                 ;

(3)H2O分子的立體構型為:                   ,請你預測水分子中∠H-O-H的大小

范圍并解釋原因                                                              ;

(4)SO2Cl2和SO2F2都屬AX4E0型分子,S=O之間以雙鍵結合,S-Cl、S-F之間以單鍵結

合。請你預測 SO2Cl2和SO2F2分子的立體構型:                             , SO2Cl2

分子中∠Cl-S-Cl                (選填“<”、“>”或“=”)SO2F2分子中∠F-S-F。

(5)用價層電子對互斥理論(VSEPR)判斷下列分子或離子的空間構型

分子或

離子

PbCl2

XeF4

SnCl62-

PF3Cl2

HgCl42-

ClO4--

空間

構型

 

 

 

 

 

 

 

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