【題目】下列電子排布圖所表示的元素原子中,其能量處于最低狀態(tài)的是 ( )
A. A B. B C. C D. D
【答案】D
【解析】A、2s能級的能量比2p能量低,電子盡可能占據(jù)能量最低的軌道,不符合能量最低原理,原子處于能量較高的激發(fā)態(tài),A錯誤;B、②違反了洪特規(guī)則,基態(tài)原子的電子總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個原子軌道,且自旋狀態(tài)相同,B錯誤;C、能級能量由低到高的順序?yàn)椋?s、2s、2p、3s;2p軌道沒有排滿不可能排3s軌道,違反了能量最低原理,C錯誤;D、能級能量由低到高的順序?yàn)?s、2s、2p,每個軌道最多只能容納兩個電子,且自旋相反,簡并軌道(能級相同的軌道)中電子優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)1個軌道,且自旋方向相同,能量最低,D正確;答案選D。
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】下列無色溶液中,能大量共存的一組是( )
A.Na+ Cu2+ Cl﹣ SO42﹣
B.Na+ Ca2+ CO32﹣ NO3﹣
C.Na+ H+ Cl﹣ NO3﹣
D.K+ H+ SO42﹣ OH﹣
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】已知下列元素原子的最外層電子排布式,其中不能表示該元素一定為主族元素的是
A. 3s23p3 B. 4s2 C. 4s24p1 D. 3s23p5
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】在一定條件下的恒容容器發(fā)生可逆反應(yīng):2A(g)+2B(g)3C(g)+D(g),反應(yīng)達(dá)化學(xué)平衡的標(biāo)志是( )
A. 單位時(shí)間內(nèi)生成n mol A,同時(shí)生成n mol D
B. B的濃度保持不變
C. 容器內(nèi)混合氣體的密度不隨時(shí)間而變化
D. 單位時(shí)間內(nèi)消耗n mol B,同時(shí)消耗n mol A
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】下列化學(xué)反應(yīng)能用離子方程式H++OH-=H2O表示的是( )
A. 硫酸氫鈉溶液與氫氧化鉀溶液反應(yīng) B. 稀硫酸與氫氧化鋇溶液反應(yīng)
C. 稀硝酸與氫氧化銅反應(yīng) D. 醋酸與氫氧化鈉溶液反
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】ClO2作為一種廣譜型的消毒劑,將逐漸用來取代Cl2成為自來水的消毒劑。已知ClO2是一種易溶于水而難溶于有機(jī)溶劑的氣體,實(shí)驗(yàn)室制備ClO2的原理是用亞氯酸鈉固體與氯氣反應(yīng) :2NaClO2 + Cl2 ===2ClO2 + 2NaCl。
下圖是實(shí)驗(yàn)室用于制備和收集一定量較純凈的ClO2的裝置(某些夾持裝置和墊持用品省略)。其中E中盛有CCl4液體(用于除去ClO2中的未反應(yīng)的Cl2)。
(1)儀器P的名稱是______________________。
(2)寫出裝置A中燒瓶內(nèi)發(fā)生反應(yīng)的離子方程式:_____________________。
(3)B裝置中所盛試劑是____________________。
(4)F為ClO2收集裝置,應(yīng)選用的裝置是______________(填序號),其中與E裝置導(dǎo)管相連的導(dǎo)管口是__________(填接口字母)。
(5)若用100 mL 2 mol·L-1的濃鹽酸與足量的MnO2制備Cl2,則被氧化的HCl的物質(zhì)的量是________(填序號)。
A.>0.1 mol B.0.1 mol C.<0.1 mol D.無法判斷
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】關(guān)于硅的說法不正確的是
A. 晶體硅的導(dǎo)電性介于金屬和絕緣體之間,是良好的半導(dǎo)體
B. 加熱到一定溫度時(shí),硅能與氯氣、氧氣等非金屬反應(yīng)
C. 利用二氧化硅與C反應(yīng)能制得粗硅
D. 二氧化硅是酸性氧化物, 不與任何酸反應(yīng)
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
【題目】下列關(guān)于濃硫酸的敘述中,正確的是:
A. 常溫時(shí)與鋅反應(yīng)生成大量氫氣
B. 置于敞口容器中,經(jīng)過一段時(shí)間后質(zhì)量將減少
C. 常溫時(shí)與鐵、鋁不反應(yīng)
D. 稀釋時(shí)將濃硫酸沿器壁慢慢加到水中并不斷攪拌
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