.CuClCuCl2都是重要的化工原料,常用作催化劑、顏料、防腐劑和消毒劑等。

已知:CuCl可以由CuCl2用適當(dāng)?shù)倪原劑如SO2、SnCl2等還原制得:

2Cu22ClSO22H2O2CuCl↓4HSO42-

2CuCl2SnCl2=2CuCl↓SnCl4

CuCl2溶液與乙二胺(H2N—CH2—CH2—NH2)可形成配離子:

請(qǐng)回答下列問題:

(1)基態(tài)Cu原子的核外電子排布式為____________H、N、O三種元素的電負(fù)性由大到小的順序是_________________________________________________________。

(2)SO2分子的空間構(gòu)型為________;與SnCl4互為等電子體的一種離子的化學(xué)式為________________________________________________________________________

(3)乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為________。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均屬于胺,但乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高得多,原因是_________________________________。

(4)中所形成的配離子中含有的化學(xué)鍵類型有________(填字母)

a.配位鍵  b.極性鍵  c.離子鍵  d.非極性鍵

.固體二氧化碳外形似冰,受熱汽化無液體產(chǎn)生,俗稱干冰,根據(jù)干冰晶胞結(jié)構(gòu)回答:

(5)干冰中一個(gè)分子周圍有________個(gè)緊鄰分子。

(6)堆積方式與干冰晶胞類型相同的金屬有________(“Cu、Mg、K、Po”中選出正確的),其空間利用率為________

 

【答案】

11s22s22p63s23p63d104s1([Ar]3d104s1) ONH

(2)V形 SO42-、SiO44-

(3)sp3雜化 乙二胺分子間可以形成氫鍵,三甲胺分子間不能形成氫鍵

(4)abd (5)12 (6)Cu 74%

【解析】(1)根據(jù)洪特規(guī)則及能量最低原理可知,當(dāng)銅原子的3d軌道上的電子處于全充滿狀態(tài),整個(gè)體系能量最低,即基態(tài)Cu原子的核外電子式為[Ar]3d104s1。元素的非金屬性越強(qiáng),電負(fù)性越大,非金屬性由強(qiáng)到弱為O、N、H。(3)乙二胺中氮原子軌道的雜化類型等同于氨分子,根據(jù)分子構(gòu)型,四面體形(三角錐形、V)分子為sp3雜化。根據(jù)乙二胺的結(jié)構(gòu)簡式可知乙二胺分子間存在氫鍵,而三甲胺分子間不能形成氫鍵,氫鍵可以使熔、沸點(diǎn)升高。(4)根據(jù)配離子的結(jié)構(gòu)式可知在乙二胺中存在碳碳之間的非極性鍵,CHNH,CN之間的極性鍵,還有NCu之間的配位鍵。(5)干冰分子晶體的晶胞中,CO2分子位于晶胞立方體的頂點(diǎn)和面心上,則每個(gè)分子周圍緊鄰的每層上有4個(gè),3層共12個(gè)。

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(2010?江蘇二模)CuCl和CuCl2都是重要的化工原料,常用作催化劑、顏料、防腐劑和消毒劑等.
已知:①CuCl可以由CuCl2用適當(dāng)?shù)倪原劑如SO2、SnCl2等還原制得:2Cu2++2Cl-+SO2+2H2O
 △ 
.
 
2CuCl↓+4H++SO42-
2CuCl2+SnCl2═2CuCl↓+SnCl4
②CuCl2溶液與乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配離子:

請(qǐng)回答下列問題:
(1)基態(tài)Cu原子的核外電子排布式為
1s22s22p63s23p63d104s1
1s22s22p63s23p63d104s1
,H、N、O三種元素的電負(fù)性由大到小的順序是
O>N>H
O>N>H

(2)SO2分子的空間構(gòu)型為
V形
V形
,與SnCl4互為等電子體的一種離子的化學(xué)式為
SO42-、SiO44-
SO42-、SiO44-

(3)乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為
sp3雜化
sp3雜化
,乙二胺和三甲胺[N(CH33]均屬于胺,但乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高的多,原因是
乙二胺分子間可以形成氫鍵,三甲胺分子間不能形成氫鍵
乙二胺分子間可以形成氫鍵,三甲胺分子間不能形成氫鍵

(4)②中所形成的配離子中含有的化學(xué)鍵類型有
abd
abd
.a(chǎn).配位鍵     b.極性鍵     c.離子鍵    d.非極性鍵
(5)CuCl的晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示,其中Cl原子的配位數(shù)為
4
4

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

CuCl和CuCl2都是重要的化工原料,常用作催化劑、顏料、防腐劑和消毒劑等.已知:
①CuCl可以由CuCl2用適當(dāng)?shù)倪原劑如SO2、SnCl2等還原制得:
2Cu2++2Cl-+SO2+2H2O=2CuCl↓+4H++SO42-
2CuCl+SnCl2=2CuCl↓+SnCl4
②CuCl2溶液與乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配離子[Cu(En)2]2+(En是乙二胺的簡寫):
請(qǐng)回答下列問題:
(1)配離子[Cu(En)2]2+的中心原子基態(tài)外圍電子排布式為
3d9
3d9
,H、N、O三種元素的電負(fù)性由大到小的順序是
O>N>H
O>N>H
;
(2)SO2分子的空間構(gòu)型為
V型
V型
;
(3)乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為
sp3雜化
sp3雜化
,乙二胺和三甲胺[N(CH33]均屬于胺,但乙二胺比三甲胺的沸點(diǎn)高的多,原因是
乙二胺分子之間可以形成氫鍵,三甲胺子之間不能形成氫鍵
乙二胺分子之間可以形成氫鍵,三甲胺子之間不能形成氫鍵

(4)配離子[Cu(En)2]2+的配位數(shù)為
4
4
,該微粒含有的微粒間的作用力類型有
ABD
ABD
(填字母);
A.配位鍵      B.極性鍵    C.離子鍵
D.非極性鍵    E.氫鍵      F.金屬鍵
(5)CuCl的晶胞結(jié)構(gòu)如2圖所示,其中Cl-的配位數(shù)(即與Cl-最近距離的Cu+的個(gè)數(shù))為
4
4

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

銅單質(zhì)及其化合物在很多領(lǐng)域有重要的用途.如金屬銅用來制造電線電纜,超細(xì)銅粉可應(yīng)用于導(dǎo)電材料、催化劑等領(lǐng)域中;CuCl和CuCl2都是重要的化工原料,常用作顏料、防腐劑和消毒劑等.
Ⅰ.超細(xì)銅粉的某制備方法如圖1:

(1)N、O、S三種元素的第一電離能由大到小順序?yàn)?!--BA-->
N>O>S
N>O>S

(2)化合物NH4CuSO3中,金屬陽離子的核外電子排布式為
1S22S22P63S23P63d10
1S22S22P63S23P63d10

(3)化合物Cu(NH34SO4中,N原子的雜化方式為
SP3雜化
SP3雜化
,SO42-的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體

Ⅱ.氯化亞銅(CuCl)的某制備過程是:向CuCl2溶液中通入一定量SO2,微熱,反應(yīng)一段時(shí)間后即生成CuCl白色沉淀.
(4)寫出上述制備CuCl的離子方程式
2Cu2++2Cl-+SO2+2H2O
  △  
.
 
2CuCl↓+4H++SO42-
2Cu2++2Cl-+SO2+2H2O
  △  
.
 
2CuCl↓+4H++SO42-

(5)CuCl的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示,其中Cl原子的配位數(shù)為
4
4

(6)CuCl的熔點(diǎn)比CuO的熔點(diǎn)
(選填“高”或“低”).

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

銅單質(zhì)及其化合物在很多領(lǐng)域有重要的用途,如金屬銅用來制造電線電纜,超細(xì)銅粉可應(yīng)用于導(dǎo)電材料、催化劑等領(lǐng)域中,CuCl和CuCl2都是重要的化工原料,常用作催化劑、顏料、防腐劑和消毒劑等.
(1)超細(xì)銅粉的某制備方法如下:

①[Cu(NH34]SO4中所含的化學(xué)鍵有
共價(jià)鍵、離子鍵、配位鍵
共價(jià)鍵、離子鍵、配位鍵
,N、O、S三種元素的第一電離能大小順序?yàn)椋?!--BA-->
N
N
O
O
S
S
.(填元素符號(hào))
②NH4CuSO3中的金屬陽離子的核外電子排布式為:
1S22S22P63S23P63d10或[Ar]3d10
1S22S22P63S23P63d10或[Ar]3d10

③NH3分子中N原子的雜化方式為:
SP3雜化
SP3雜化

④SO42-離子的空間構(gòu)型為
正四面體型
正四面體型

(2)氯化亞銅(CuCl)的某制備過程是:向CuCl2溶液中通入一定量SO2,微熱,反應(yīng)一段時(shí)間后即生成CuCl白色沉淀.
①出上述制備CuCl的離子方程式:
2Cu2++2Cl-+SO2+2H2O
 △ 
.
 
2CuCl↓+4H++SO42-
2Cu2++2Cl-+SO2+2H2O
 △ 
.
 
2CuCl↓+4H++SO42-

②CuCl的晶胞結(jié)構(gòu)如上圖所示,其中Cl原子的配位數(shù)為
4
4

③CuCl的熔點(diǎn)比CuO的熔點(diǎn)
.(填“高”或“低”)

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