Question

【題目】四種短周期元素的性質或結構信息如下表所示，請回答下列問題。

元素	A	B	C	D
性質或結構信息	單質在常溫下為固體，難溶于水，易溶于CS2。能形成兩種二元含氧酸	原子的M層有1個未成對的p電子，核外p電子總數(shù)大于7	單質曾被稱為“銀色的金子”與鋰形成的合金常用于制造航天飛行器。單質能溶于強酸和強堿溶液	原子核外電子層上s電子總數(shù)比p電子總數(shù)少2。單質和氧化物均為空間網狀結構，具有很高的熔、沸點

(1)A原子的最外層電子排布式為_______________，D原子核外共有____________個電子。

(2)寫出C的單質與強堿溶液反應的離子方程式：______________________________________________。

(3)A、B兩元素的氫化物分子中鍵能較小的是__________________________（填分子式）；分子較穩(wěn)定的是__________________（填分子式）。

(4)E、D同主族，均為短周期元素。它們的最高價氧化物晶體中熔點較高的是________________。

(5)已知D的單質的晶體結構與SiC的晶體結構相似，其中C原子的雜化方式為______________。SiC與D的單質的晶體的熔、沸點高低順序是________________。

Answer 1

【答案】3s23p4 14 H2S HCl SiO2（或二氧化硅） sp3 雜化 SiC>Si

【解析】

A單質在常溫下為固體，難溶于水，易溶于CS2，能形成二元含氧酸的元素是硫；

B原子的M層有1個未成對的p電子，核外p電子總數(shù)大于7，電子排布式應是1s22s22p63s23p5，據(jù)此推斷應為Cl；

C單質能溶于強酸和強堿的短周期元素應為鋁；

D原子核外電子層上s電子總數(shù)比p電子總數(shù)少2，單質和氧化物均為空間網狀結構，具有很高的熔、沸點，可知電子排布式應是1s22s22p63s23p2，為硅；以此分析。

A單質在常溫下為固體，難溶于水，易溶于CS2，能形成二元含氧酸的元素是硫；

B原子的M層有1個未成對的p電子，核外p電子總數(shù)大于7，電子排布式應是1s22s22p63s23p5，據(jù)此推斷應為Cl；

C單質能溶于強酸和強堿的短周期元素應為鋁；

D原子核外電子層上s電子總數(shù)比p電子總數(shù)少2，單質和氧化物均為空間網狀結構，具有很高的熔、沸點，可知電子排布式應是1s22s22p63s23p2，為硅；

（1）S元素最外層有6個電子，其最外層電子排布式為3s23p4；Si原子核外有14個電子，每個電子的運動狀態(tài)都不相同，故答案為：3s23p4；14；

（2）單質鋁與強堿溶液反應生成偏鋁酸根和氫氣，離子方程式為，故答案為：；

（3）在氫化物中，HCl分子的鍵能較大，分子較穩(wěn)定；H2S分子的鍵能較小，分子穩(wěn)定性差，故答案為：H2S；HCl；

（4）CO2是分子晶體，常溫下是氣態(tài)，熔點較低；SiO2是原子晶體，常溫下是固態(tài)，熔點較高，故答案為：SiO2（或二氧化硅）；

（5）晶體硅中1個硅原子與4個硅原子相連，呈正四面體結構，所以其雜化方式是sp3雜化，SiC的晶體結構與晶體硅相似，故C原子的雜化方式也是sp3雜化；因為Si-C鍵的鍵長小于Si-Si鍵，所以熔沸點：碳化硅＞晶體硅，故答案為：sp3 雜化；SiC>Si。