下列有關(guān)元素的敘述中,可肯定是主族元素的是
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A.最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物是酸的元素
B.原子電子層結(jié)構(gòu)中次外層為8個(gè)電子的元素
C.最高正化合價(jià)為+7價(jià)的元素
D.原子電子層結(jié)構(gòu)中最外層為5個(gè)電子的元素
練習(xí)冊(cè)系列答案
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

下列有關(guān)硅的敘述中,正確的是( 。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

下列有關(guān)硅的敘述中,正確的是(  )
A、工業(yè)上通常以SiO2為原料,用氧化劑與其反應(yīng)制備單質(zhì)硅B、硅是構(gòu)成礦物和巖石的主要元素,硅在地殼中的含量在所有的元素中居第一位C、硅的化學(xué)性質(zhì)不活潑,在自然界中可以以游離態(tài)存在D、硅在電子工業(yè)中,是重要的半導(dǎo)體材料

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

下列有關(guān)周期表的敘述中正確的是( 。
A、堿土金屬元素是指ⅡA族的所有元素B、除第一周期外,其他周期均有18種元素C、過渡元素都是副族元素D、主族元素的原子,半徑越大,越容易得到電子

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(1)下列有關(guān)晶體的敘述中錯(cuò)誤的是
 

A.石英晶體中的硅原子以sp2雜化方式與周圍的氧原子形成共價(jià)鍵
B.氯化鈉晶體中每個(gè)Na+或Cl-周圍緊鄰的有6個(gè)Cl-或Na+
C.在CsCl晶體中每個(gè)Cs+周圍緊鄰的有8個(gè)Cl-,而和每個(gè)Cl-等距離緊鄰的也有8個(gè)Cs+
D.在面心立方密堆積的金屬晶體中,每個(gè)金屬原子周圍緊鄰的有4個(gè)金屬原子
(2)已知MgO的晶體結(jié)構(gòu)屬于NaCl型.某同學(xué)畫出的MgO晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示,請(qǐng)改正圖精英家教網(wǎng)
中錯(cuò)誤:
 
.(用文字表述)
(3)第三周期部分元素氟化物的熔點(diǎn)見下表:
氟化物 NaF MgF2 SiF4
熔點(diǎn)/K 1266 1534 183
解釋表中氟化物熔點(diǎn)差異的原因:
 

(4)人工模擬是當(dāng)前研究的熱點(diǎn).有研究表明,化合物X可用于研究模擬酶,當(dāng)其結(jié)合精英家教網(wǎng)或Cu(I)(I表示化合價(jià)為+1)時(shí),分別形成a和b:
分析a和b中微粒間的相互作用(包括化學(xué)鍵和分子間相互作用)的差異,試指出
其不同點(diǎn):a中含
 
,b中含
 
.(用“氫鍵”、“配位鍵”、“極性鍵”、“非極性鍵”等填空)

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