在25ºC時,將兩根鉑電極插入一定量的硫酸鈉飽和溶液中進行電解,當電路中有a mol電子轉(zhuǎn)移時,溶液中析出mg Na2SO4 ·10 H2 O晶體。若溫度不變,在剩余溶液中溶質(zhì)的質(zhì)量分數(shù)為 ( )
A.×100% B.×100%
C.×100% D.×100%
科目:高中化學 來源: 題型:
(共18分) W、X、Y、Z是四種常見的短周期元素,其原子半徑隨原子序數(shù)變化如下圖所示。
已知W的一種核素的質(zhì)量數(shù)為18,中子數(shù)為10;X和Ne原子的核外電子數(shù)相差1;Y的單質(zhì)是一種常見的半導體材料;Z是是同周期中非金屬性最強的元素。
(1)X位于元素周期表的位置 ,X與硫元素形成的化合物的電子式為
(2) Z的氣態(tài)氫化物和溴化氫相比,較穩(wěn)定的是 (寫化學式)。理由為 。
(3)Y與Z形成的化合物硬度小、熔點低、沸點低,其晶體中有存在的作用力有
其分子屬于 (填極性分子、非極性分子),它和足量水反應,有白色膠狀沉淀產(chǎn)生,該反應的化學方程式是 。
(4)在25ºC、101 kPa下,已知Y的氣態(tài)氫化物在氧氣中完全燃燒后恢復至原狀態(tài),平均每轉(zhuǎn)移1mol 電子放熱190.0kJ,該反應的熱化學方程是 。
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科目:高中化學 來源:2012屆四川省綿陽南山中學高三九月診斷考試理綜試卷(化學部分) 題型:填空題
(共18分) W、X、Y、Z是四種常見的短周期元素,其原子半徑隨原子序數(shù)變化如下圖所示。
已知W的一種核素的質(zhì)量數(shù)為18,中子數(shù)為10;X和Ne原子的核外電子數(shù)相差1;Y的單質(zhì)是一種常見的半導體材料;Z是是同周期中非金屬性最強的元素。
(1)X位于元素周期表的位置 ,X與硫元素形成的化合物的電子式為
(2) Z的氣態(tài)氫化物和溴化氫相比,較穩(wěn)定的是 (寫化學式)。理由為 。
(3)Y與Z形成的化合物硬度小、熔點低、沸點低,其晶體中有存在的作用力有
其分子屬于 (填極性分子、非極性分子),它和足量水反應,有白色膠狀沉淀產(chǎn)生,該反應的化學方程式是 。
(4)在25ºC、101 kPa下,已知Y的氣態(tài)氫化物在氧氣中完全燃燒后恢復至原狀態(tài),平均每轉(zhuǎn)移1mol 電子放熱190.0kJ,該反應的熱化學方程是 。
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科目:高中化學 來源:2011-2012學年浙江省高三12月聯(lián)考化學試卷 題型:選擇題
在25ºC時,將兩根鉑電極插入一定量的硫酸鈉飽和溶液中進行電解,當電路中有a mol電子轉(zhuǎn)移時,溶液中析出mg Na2SO4 ·10 H2 O晶體。若溫度不變,在剩余溶液中溶質(zhì)的質(zhì)量分數(shù)為
A.×100% B.×100%
C.×100% D.×100%
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科目:高中化學 來源:2011-2012學年四川省高三九月診斷考試理綜試卷(化學部分) 題型:填空題
(共18分) W、X、Y、Z是四種常見的短周期元素,其原子半徑隨原子序數(shù)變化如下圖所示。
已知W的一種核素的質(zhì)量數(shù)為18,中子數(shù)為10;X和Ne原子的核外電子數(shù)相差1;Y的單質(zhì)是一種常見的半導體材料;Z是是同周期中非金屬性最強的元素。
(1)X位于元素周期表的位置 ,X與硫元素形成的化合物的電子式為
(2) Z的氣態(tài)氫化物和溴化氫相比,較穩(wěn)定的是 (寫化學式)。理由為 。
(3)Y與Z形成的化合物硬度小、熔點低、沸點低,其晶體中有存在的作用力有
其分子屬于 (填極性分子、非極性分子),它和足量水反應,有白色膠狀沉淀產(chǎn)生,該反應的化學方程式是 。
(4)在25ºC、101 kPa下,已知Y的氣態(tài)氫化物在氧氣中完全燃燒后恢復至原狀態(tài),平均每轉(zhuǎn)移1mol 電子放熱190.0kJ,該反應的熱化學方程是 。
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