工業(yè)上高純硅可以通過(guò)下列反應(yīng)制。篠iCl4(g)+ 2H2(g) Si (s) + 4HCl(g) -236kJ
完成下列填空:
(1)在一定溫度下進(jìn)行上述反應(yīng),若反應(yīng)容器的容積為2L,H2的平均反應(yīng)速率為0.1mol/(L·min),3min后達(dá)到平衡,此時(shí)獲得固體的質(zhì)量 g。
(2)該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式K= ?梢酝ㄟ^(guò)_______使K增大。
(3)一定條件下,在密閉恒容容器中,能表示上述反應(yīng)一定達(dá)到化學(xué)平衡狀態(tài)的是 。
a.2v逆(SiCl4)=v正(H2)
b.?dāng)嚅_(kāi)4molSi-Cl鍵的同時(shí),生成4molH-Cl鍵
c.混合氣體密度保持不變
d.c(SiCl4):c(H2):c(HCl)=1:2:4
(4)若反應(yīng)過(guò)程如圖所示,縱坐標(biāo)表示氫氣、氯化氫的物質(zhì)的量(mol),橫坐標(biāo)表示時(shí)間(min),若整個(gè)反應(yīng)過(guò)程沒(méi)有加入或提取各物質(zhì),則第1.5分鐘改變的條件是______,第3分鐘改變的條件是__________,各平衡態(tài)中氫氣轉(zhuǎn)化率最小的時(shí)間段是_____________ 。
(本題共8分,33題2分,其余1分)
(1)8.4
(2)K=c(HCl)4/c(SiCl4)·c(H2)2,升溫。
(3)ac
(4)減壓,升溫(且加催化劑),1—1.5分鐘
【解析】
試題分析:(1)m(Si)=1/2n(H2)M(Si)=1/2×0.1mol/(L·min)×2L×3miin×28g/mol=8.4g
(2)Si為固體,所以K=c(HCl)4/c(SiCl4)·c(H2)2,因?yàn)檎磻?yīng)為吸熱反應(yīng),升溫平衡向右移動(dòng),K增大。
(3)a、正、逆速率相等,正確;b、斷開(kāi)4molSi-Cl鍵說(shuō)明反應(yīng)了1molSiCl4,生成4molH-Cl鍵說(shuō)明生成4molHCl,都是正反應(yīng)反應(yīng)方向,不能說(shuō)明達(dá)到平衡狀態(tài);c、混合氣體密度保持不變,說(shuō)明氣體質(zhì)量不變,達(dá)到平衡狀態(tài),正確;d、各物質(zhì)的濃度之比與是否平衡無(wú)關(guān),錯(cuò)誤。
(4)1.5分鐘H2物質(zhì)的量逐漸減小,HCl物質(zhì)的量逐漸增大,曲線斜率減小,說(shuō)明平衡向正反應(yīng)方向移動(dòng),化學(xué)反應(yīng)速率變小,所以改變的條件是減小壓強(qiáng);第3分鐘平衡向正反應(yīng)方向移動(dòng),化學(xué)反應(yīng)速率變大,改變的條件是升溫(且加催化劑);因?yàn)閮纱纹胶舛际窍蛴乙苿?dòng),所以氫氣轉(zhuǎn)化率最小的時(shí)間段為第一次平衡時(shí)間段:1—1.5分鐘。
考點(diǎn):本題考查化學(xué)反應(yīng)速率的計(jì)算、化學(xué)平衡常數(shù)、化學(xué)平衡狀態(tài)的判斷、圖像分析。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
高溫 |
c4(HCl) |
c(SiCl4)?c2(H2) |
c4(HCl) |
c(SiCl4)?c2(H2) |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
化學(xué)鍵 | Si-O | Si-Cl | H-H | H-Cl | Si-Si | Si-C |
鍵能/kJ?mol-1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
高溫 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:河南省濟(jì)源一中2010屆高三9月月考化學(xué)試題 題型:013
通常把拆開(kāi)1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能.鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱,也可以用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(ΔH).下面列舉了一些化學(xué)鍵的鍵能數(shù)據(jù),供計(jì)算用: 工業(yè)上高純硅可以通過(guò)下列反應(yīng)制。篠iCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g),該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH為: | |
[ ] | |
A. |
+412 kJ/mol |
B. |
-412 kJ/mol |
C. |
+236 kJ/mol |
D. |
-236 kJ/mol |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:上海市黃浦區(qū)2013年高考一;瘜W(xué)試題 題型:022
工業(yè)上高純硅可以通過(guò)下列反應(yīng)制。
SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)-236 kJ完成下列填空:
1.在一定溫度下進(jìn)行上述反應(yīng),若反應(yīng)容器的容積為2 L,H2的平均反應(yīng)速率為0.1 mol/(L·min),3 min后達(dá)到平衡,此時(shí)獲得固體的質(zhì)量________g.
2.該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式K=________.可以通過(guò)________使K增大.
3.一定條件下,在密閉恒容容器中,能表示上述反應(yīng)一定達(dá)到化學(xué)平衡狀態(tài)的是________.
a.2v逆(SiCl4)=v正(H2)
b.?dāng)嚅_(kāi)4 mol Si-Cl鍵的同時(shí),生成4 mol H-Cl鍵
c.混合氣體密度保持不變
d.c(SiCl4)∶c(H2)∶c(HCl)=1∶2∶4
4.若反應(yīng)過(guò)程如下圖所示,縱坐標(biāo)表示氫氣、氯化氫的物質(zhì)的量(mol),橫坐標(biāo)表示時(shí)間(min),若整個(gè)反應(yīng)過(guò)程沒(méi)有加入或提取各物質(zhì),則第1.5分鐘改變的條件是________,第3分鐘改變的條件是________,各平衡態(tài)中氫氣轉(zhuǎn)化率最小的時(shí)間段是________.
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