考點(diǎn):晶胞的計(jì)算,原子核外電子排布,判斷簡單分子或離子的構(gòu)型,“等電子原理”的應(yīng)用
專題:原子組成與結(jié)構(gòu)專題,化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)
分析:這幾種元素是前四周期元素,M基態(tài)時(shí)有5種狀態(tài)的電子,則M為B元素;
X原子基態(tài)時(shí)最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的2倍,最外層電子數(shù)不超過8個(gè),則X內(nèi)層為K層、最外層為L層,則X為C元素;
Y原子基態(tài)時(shí)2p原子軌道上有3個(gè)未成對(duì)的電子,則Y為N元素;
Z的基態(tài)電子最外層電子排布式為:ns
nnp
n+4,s能級(jí)最多排列2個(gè)電子,則Z為O元素;
W在周期表的第六列,且位于前四周期,則Cr元素,
(1)W是Cr元素,Cr原子3d、4s電子為其價(jià)電子,根據(jù)構(gòu)造原理書寫基態(tài)W原子的價(jià)電子排布圖;
(2)Y單質(zhì)為N
2,等電子體原子個(gè)數(shù)相等、價(jià)電子數(shù)相等;
(3)用價(jià)層電子對(duì)互斥理論確定微?臻g構(gòu)型、原子雜化方式;
N
2H
4在一定條件下可與N
2O
4發(fā)生反應(yīng)生成N
2,反應(yīng)方程式為2N
2H
4+N
2O
4=3N
2+4H
2O,
若反應(yīng)中有8molN-H鍵斷裂,則有2mol肼參加反應(yīng),同時(shí)生成3mol氮?dú),每個(gè)氮?dú)夥肿又泻?個(gè)σ鍵、兩個(gè)π鍵,據(jù)此計(jì)算π鍵物質(zhì)的量;
(4)立方BN晶胞如圖所示,
①空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的晶體為原子晶體;
②根據(jù)圖片知,晶體中每個(gè)N原子同時(shí)吸引4個(gè)B原子;
③該晶胞中B原子個(gè)數(shù)=8×
+4×
+2×
+1=4,O原子個(gè)數(shù)為4,根據(jù)其密度ρ=
計(jì)算其邊長,晶體中兩個(gè)距離最近的M原子之間的距離為邊長的
倍.
解答:
解:這幾種元素是前四周期元素,M基態(tài)時(shí)有5種狀態(tài)的電子,則M為B元素;
X原子基態(tài)時(shí)最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的2倍,最外層電子數(shù)不超過8個(gè),則X內(nèi)層為K層、最外層為L層,則X為C元素;
Y原子基態(tài)時(shí)2p原子軌道上有3個(gè)未成對(duì)的電子,則Y為N元素;
Z的基態(tài)電子最外層電子排布式為:ns
nnp
n+4,s能級(jí)最多排列2個(gè)電子,則Z為O元素;
W在周期表的第六列,且位于前四周期,則Cr元素,
(1)W是Cr元素,Cr原子3d、4s電子為其價(jià)電子,根據(jù)構(gòu)造原理知基態(tài)Cr原子的價(jià)電子排布圖為
,
故答案為:
;
(2)Y單質(zhì)為N
2,等電子體原子個(gè)數(shù)相等、價(jià)電子數(shù)相等,與氮?dú)夥肿訛榈入娮芋w的分子如CO、離子如CN
-,
故答案為:CO;CN
-;
(3)CO
32-中C原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)為3且不含孤電子對(duì),為平面三角形結(jié)構(gòu),Y的氫化物N
2H
4分子中N原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是3且不含孤電子對(duì),所以N原子軌道雜化類型是sp
2;
N
2H
4在一定條件下可與N
2O
4發(fā)生反應(yīng)生成N
2,反應(yīng)方程式為2N
2H
4+N
2O
4=3N
2+4H
2O,
若反應(yīng)中有8molN-H鍵斷裂,則有2mol肼參加反應(yīng),同時(shí)生成3mol氮?dú),每個(gè)氮?dú)夥肿又泻?個(gè)σ鍵、兩個(gè)π鍵,所以π鍵物質(zhì)的量為6mol,
故答案為:平面三角形;sp
2;6;
(4)立方BN晶胞如圖所示,
①根據(jù)圖片知,該物質(zhì)中原子之間以空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)構(gòu)成,所以為原子晶體,故答案為:原子;
②根據(jù)圖片知,晶體中每個(gè)N原子同時(shí)吸引4個(gè)B原子,故答案為:4;
③該晶胞中B原子個(gè)數(shù)=8×
+4×
+2×
+1=4,O原子個(gè)數(shù)為4,根據(jù)其密度ρ=
=
=
,
得晶胞邊長=
=
cm,晶體中兩個(gè)距離最近的M原子之間的距離為邊長的
倍為
cm,
故答案為:
.
點(diǎn)評(píng):本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì),涉及晶胞計(jì)算、微?臻g構(gòu)型判斷、原子雜化方式判斷、原子核外電子排布等知識(shí)點(diǎn),為高考高頻點(diǎn),知道價(jià)層電子對(duì)互斥理論的利用,難點(diǎn)是晶胞計(jì)算,題目難度中等.