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已知：A、B為常見的非金屬單質且均為氣體；甲、乙為金屬單質，乙在I的濃溶液中發(fā)生鈍化：C、H、J的溶液均呈堿性，各物質間的轉化關系如下（部分生成物未給出，且未注明反應條件）：

水
 

   （1）實驗室制備C常用的物質是       ，反應②的化學方程式是______     。

   （2）反應④中每消耗1 mol G，轉移電子的物質的量為           。

   （3）反應⑥的離子方程式是                        。

   （4）實驗室中保存I的方法是                            。

   （5）寫出乙與I的稀溶液反應后的溶液與C的水溶液發(fā)生反應的離子方程式          ；

   （6）工業(yè)上電解飽和食鹽水時，在     極上產生A（填“陽”或“陰”），工業(yè)上電解飽和食鹽水的離子方程式是                                  。

練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源： 題型：

已知：A、B為常見的非金屬單質且均為氣體；甲、乙為金屬單質，乙在I的濃溶液中發(fā)生鈍化；C、H、J的溶液均呈堿性．各物質間的轉化關系如下（部分生成物未給出，且未注明反應條件）：

（1）寫出反應②的化學方程式
4NH3+5O2
 催化劑 
.
 
4NO+6H2O
4NH3+5O2
 催化劑 
.
 
4NO+6H2O

（2）反應④中每消耗1mol G，轉移電子的物質的量為
2
3
mol
2
3
mol
．
（3）反應⑥的離子方程式是
2Al+2H2O+2OH-═2AlO2-+3H2↑
2Al+2H2O+2OH-═2AlO2-+3H2↑
．
（4）實驗室中保存I的方法是
保存在棕色試劑瓶中，放在陰涼處
保存在棕色試劑瓶中，放在陰涼處
．

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科目：高中化學 來源： 題型：

已知：A、B為常見的非金屬單質且均為氣體；甲、乙為金屬單質，乙在I的濃溶液中發(fā)生鈍化；C、H、J的溶液均呈堿性．各物質間的轉化關系如下（部分生成物未給出，且未注明反應條件）：
（1）請寫出下列物質的化學式C
NH3
NH3
、乙
Al
Al
；
（2）分別寫出反應④⑥的化學方程式
3NO2+H2O═2HNO3+NO
3NO2+H2O═2HNO3+NO
、
2NaOH+2Al+6H2O═2Na[Al（OH）4]+3H2↑
2NaOH+2Al+6H2O═2Na[Al（OH）4]+3H2↑
．

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科目：高中化學 來源： 題型：

（2012?開封一模）已知：A、B為常見的非金屬單質且均為氣體；甲、乙為金屬單質，乙在I的濃溶液中發(fā)生鈍化；C、H、J的溶液均呈堿性．各物質間的轉化關系如下（部分生成物未給出，且未注明反應條件）：
（1）寫出反應②的化學方程式
4NH3+5O2
催化劑
.
△
4NO+6H2O
4NH3+5O2
催化劑
.
△
4NO+6H2O
．
（2）反應④中每消耗1mol G，轉移電子的物質的量為
2
3
mol
2
3
mol
．
（3）反應⑥的離子方程式是
2Al+2H2O+2OH-═2AlO2-+3H2↑
2Al+2H2O+2OH-═2AlO2-+3H2↑
．
（4）寫出工業(yè)冶煉金屬乙的化學方程式
2Al2O3（熔融）
   電解   
.
冰晶石
4Al+3O2↑
2Al2O3（熔融）
   電解   
.
冰晶石
4Al+3O2↑
．
（5）實驗室中保存I的方法是
保存在棕色試劑瓶中，放在陰涼處
保存在棕色試劑瓶中，放在陰涼處
．
（6）SiCl4與過量A在加熱條件下反應可制得高純硅，整個制備純硅的過程中必須嚴格控制無水無氧．SiCl4在潮濕的空氣中因水解而產生白色煙霧，其生成物是
H2SiO3（或H4SiO4）和HCl
H2SiO3（或H4SiO4）和HCl
；H2還原SiCl4過程中若混入O2，可能引起的后果是
爆炸
爆炸
．

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科目：高中化學 來源： 題型：

已知：A、B為常見的非金屬單質且均為氣體；甲、乙為金屬單質，乙在I的濃溶液中發(fā)生鈍化；C、H、J的溶液均呈堿性．各物質間的轉化關系如下(部分生成物未給出，且未注明反應條件)：

（1）請寫出下列物質的化學式C__________、乙_____________；

（2）分別寫出反應④⑥的化學方程式__________、________________。

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科目：高中化學 來源：2010-2011學年陜西省、西工大附中高三第七次適應性訓練（理綜）化學部分 題型：填空題

（13分）已知：A、B為常見的非金屬單質且均為氣體；甲、乙為金屬單質，乙在I的濃溶液中發(fā)生鈍化；C、H、J的溶液均呈堿性．各物質間的轉化關系如下(部分生成物未給出，且未注明反應條件)：

⑴寫出反應②的化學方程式                                              。

⑵反應④中每消耗1 mol G，轉移電子的物質的量為                    。

⑶反應⑥的離子方程式是                                               。

⑷寫出工業(yè)冶煉金屬乙的化學方程式                                     。

⑸實驗室中保存I的方法是                                             。

⑹SiCl4與過量A在加熱條件下反應可制得高純硅，整個制備純硅的過程中必須嚴格控制無水無氧。SiCl4在潮濕的空氣中因水解而產生白色煙霧，其生成物是      ；H2還原SiCl4過程中若混入O2，可能引起的后果是                。

 

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