(15分)

Ⅰ. 砷化鎵為第三代半導體，以其為材料制造的燈泡壽命長.耗能少。已知砷化鎵的晶胞結構如圖所示。請回答下列問題：

   （1）下列說法正確的是__________（填序號）

A.砷化鎵晶胞結構與NaCl相同        B.第一電離能 As>Ga

C.電負性 As>Ga                              D.原子半徑 As>Ga

   （2）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反應制得，反應的方程式為__________；

   （3）AsH3空間形狀為___________；已知（CH3）3 Ga為非極性分子，則其中鎵原子的雜化方式為____________；

Ⅱ. 金屬銅的導電性僅次于銀，居金屬中的第二位，大量用于電氣工業(yè)。

   （4）請解釋金屬銅能導電的原因                     ， Cu2+的核外電子排布式為__________________________。

   （5）在硫酸銅溶液中通入過量的氨氣，小心蒸發(fā)，最終得到深藍色的[Cu（NH3）4]SO4晶體,晶體中含有的化學鍵除普通共價鍵外，還有         和         。

 

（15分）

（1）BC （2分）

   （2）（CH3）3Ga + AsH3  GaAs + 3CH4  （3分）

   （3）三角錐. （2分）  sp2  （2分）

   （4） 銅是金屬晶體，由金屬陽離子和自由電子構成，自由電子在外加電場的作用下可發(fā)生定向移動 （2分）    ［Ar］3d9 或1s22s22p63s23p63d9  （2分）

  （5）離子鍵，（1分）   配位鍵  （1分）

解析:

 

練習冊系列答案
相關習題

科目：高中化學 來源：2011屆吉林省長春市高三第二次模擬考試（理綜）化學部分 題型：填空題

(15分)
Ⅰ. 砷化鎵為第三代半導體，以其為材料制造的燈泡壽命長.耗能少。已知砷化鎵的晶胞結構如圖所示。請回答下列問題：

（1）下列說法正確的是__________（填序號）

A．砷化鎵晶胞結構與NaCl相同B．第一電離能 As>Ga
C．電負性 As>GaD．原子半徑 As>Ga
（2）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反應制得，反應的方程式為__________；
（3）AsH3空間形狀為___________；已知（CH3）3Ga為非極性分子，則其中鎵原子的雜化方式為____________；
Ⅱ.金屬銅的導電性僅次于銀，居金屬中的第二位，大量用于電氣工業(yè)。
（4）請解釋金屬銅能導電的原因                     ， Cu2+的核外電子排布式為__________________________。
（5）在硫酸銅溶液中通入過量的氨氣，小心蒸發(fā)，最終得到深藍色的[Cu（NH3）4]SO4晶體,晶體中含有的化學鍵除普通共價鍵外，還有        和        。

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科目：高中化學 來源：2011-2012學年江蘇省南京市四校高三12月月考化學試卷 題型：填空題

本題包括A、B兩小題，分別對應于“物質結構與性質”和“實驗化學”兩個選修模塊的內容。請選定其中一題，并在相應的答題區(qū)域內作答。若兩題都做，則按A題評分。

A．砷（As）在地殼中含量不大，但砷的化合物卻是豐富多彩。

（1）基態(tài)砷原子的電子排布式為    ▲    ；砷與溴的第一電離能較大的是    ▲    。

（2）AsH3是無色稍有大蒜味氣體。AsH3的沸點高于PH3，其主要原因是    ▲    。

（3）Na3AsO4可作殺蟲劑。AsO43-的空間構型為    ▲    ，與其互為等電子體的一種分子為    ▲    。

（4）某砷的氧化物俗稱“砒霜”，其分子結構如右圖所示。該化合物的分子式為    ▲    ，As原子采取    ▲    雜化。

（5）GaAs等是人工合成的新型半導體材料，其晶體結構與金剛石相似。GaAs晶體中，每個As與    ▲    個Ga相連，As與Ga之間存在的化學鍵有    ▲    （填字母）。

A．離子鍵  B．σ鍵  C．π鍵  D．氫鍵  E．配位鍵  F．金屬鍵  G．極性鍵

B．某研究小組以苯甲醛為原料，制備苯甲酸和苯甲醇。反應原理如下：

有關物質的部分物理性質如下：

  

熔點/℃

沸點/℃

溶解性

苯甲醛

—26

179

微溶于水，易溶于乙醇、乙醚

苯甲酸

122

249

微溶于水，易溶于乙醇、乙醚

苯甲醇

－15.3

205.0

稍溶于水，易溶于乙醇、乙醚

乙醚

－116.2

34.5

微溶于水，易溶于乙醇

實驗步驟：

（1）在250 mL錐形瓶中，放入9 g KOH和9 mL水，配成溶液，冷卻至室溫。加入10.5 g新蒸餾的苯甲醛，塞緊瓶塞，用力振蕩，使之變成糊狀物，放置24 h。

①苯甲醛要求新蒸餾的，否則會使   ▲   （填物質名稱）的產量相對減少。

②用力振蕩的目的是   ▲   。

（2）分離苯甲醇

①向錐形瓶中加入30 mL水，攪拌，使之完全溶解。冷卻后倒入分液漏斗中，用30 mL乙醚萃取苯甲醇（注意留好水層）。30 mL 乙醚分三次萃取的效果比一次萃取的效果   ▲   （填“好”或“差”）。

②將醚層依次用飽和亞硫酸氫鈉溶液、飽和碳酸鈉溶液和水各5 mL洗滌，再用無水硫酸鎂干燥。將干燥后的乙醚溶液轉移到100 mL蒸餾燒瓶中，投入沸石，連接好普通蒸餾裝置，加熱蒸餾并回收乙醚，應選擇的加熱方法是   ▲   （填字母代號）。

A．水浴加熱      B．油浴加熱      C．沙浴加熱      D．用酒精燈直接加熱

③改用空氣冷凝管蒸餾，收集   ▲   ℃的餾分。

（3）制備苯甲酸

在乙醚萃取過的水溶液中，邊攪拌邊加入濃鹽酸酸化至pH＝3.5左右。冷卻使結晶完全，抽濾，洗滌、干燥。抽濾完畢或中途停止抽濾時，應先   ▲   。

 

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科目：高中化學 來源：2010-2011學年吉林省長春市高三第二次模擬考試（理綜）化學部分 題型：填空題

(15分)

Ⅰ. 砷化鎵為第三代半導體，以其為材料制造的燈泡壽命長.耗能少。已知砷化鎵的晶胞結構如圖所示。請回答下列問題：

   （1）下列說法正確的是__________（填序號）

A.砷化鎵晶胞結構與NaCl相同        B.第一電離能 As>Ga

C.電負性 As>Ga                              D.原子半徑 As>Ga

   （2）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反應制得，反應的方程式為__________；

   （3）AsH3空間形狀為___________；已知（CH3）3 Ga為非極性分子，則其中鎵原子的雜化方式為____________；

Ⅱ. 金屬銅的導電性僅次于銀，居金屬中的第二位，大量用于電氣工業(yè)。

   （4）請解釋金屬銅能導電的原因                      ， Cu2+的核外電子排布式為__________________________。

   （5）在硫酸銅溶液中通入過量的氨氣，小心蒸發(fā)，最終得到深藍色的[Cu（NH3）4]SO4晶體,晶體中含有的化學鍵除普通共價鍵外，還有         和         。

 

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科目：高中化學 來源： 題型：

 37. (15分)

Ⅰ. 砷化鎵為第三代半導體，以其為材料制造的燈泡壽命長.耗能少。已知砷化鎵的晶胞結構如圖所示。請回答下列問題：

   （1）下列說法正確的是__________（填序號）

A.砷化鎵晶胞結構與NaCl相同  B.第一電離能 As>Ga

C.電負性 As>Ga   D.原子半徑 As>Ga

   （2）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反應制得，反應的方程式為__________；

   （3）AsH3空間形狀為___________；已知（CH3）3 Ga為非極性分子，則其中鎵原子的雜化方式為____________；

Ⅱ. 金屬銅的導電性僅次于銀，居金屬中的第二位，大量用于電氣工業(yè)。

   （4）請解釋金屬銅能導電的原因                      ， Cu2+的核外電子排布式為__________________________。

   （5）在硫酸銅溶液中通入過量的氨氣，小心蒸發(fā)，最終得到深藍色的[Cu（NH3）4]SO4晶體,晶體中含有的化學鍵除普通共價鍵外，還有         和         。

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