(28分,每空2分)下表是元素周期表中短周期元素的一部分,表中所列字母分別代表一種元素。
主 族 周 期 |
ⅠA |
ⅡA |
ⅢA |
ⅣA |
ⅤA |
ⅥA |
ⅦA |
0 |
1 |
A |
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B |
2 |
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D |
E |
F |
J |
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3 |
C |
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G |
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H |
I |
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(1)金屬性最強的元素名稱是 ,性質最穩(wěn)定的元素是 (填化學式)
(2)在一定條件下,A與E可形成一種極易溶于水的氣態(tài)化合物,其電子式為 ;該物質溶于水后的溶液呈________性(填“酸”、“堿”或“中”),原因是
(用相關方程式解釋)。
(3)X微粒核外有10個電子,當獲得3個電子時呈電中性,寫出該粒子的結構示意圖 ,X元素在周期表中的位置: ,X最高價氧化物的水化物與過量NaOH反應的離子方程式:
(4)“神舟”六號載人飛船內需要有一種化合物來吸收航天員呼出的CO2,你認為該物質應該是由上表中的________(填字母序號)元素組成的,用化學方程式表示吸收原理:
。飛船中需要制造一種適合航天員生存的人工態(tài)環(huán)境,還應該在氧氣中充入一種稀釋氣體,該氣體結構式為 。
(5)用電子式表示H 與C形成化合物的過程:
(6)J和I氫化物的沸點較高的是 (用化學式),原因是 。
科目:高中化學 來源: 題型:
(28分,每空2分)下表是元素周期表中短周期元素的一部分,表中所列字母分別代表一種元素。
主 族 周 期 | ⅠA | ⅡA | ⅢA | ⅣA | ⅤA | ⅥA | ⅦA | 0 |
1 | A |
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| B |
2 |
|
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| D | E | F | J |
|
3 | C |
|
| G |
| H | I |
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(1)金屬性最強的元素名稱是 ,性質最穩(wěn)定的元素是 (填化學式)
(2)在一定條件下,A與E可形成一種極易溶于水的氣態(tài)化合物,其電子式為 ;該物質溶于水后的溶液呈________性(填“酸”、“堿”或“中”),原因是
(用相關方程式解釋)。
(3)X微粒核外有10個電子,當獲得3個電子時呈電中性,寫出該粒子的結構示意圖 ,X元素在周期表中的位置: ,X最高價氧化物的水化物與過量NaOH反應的離子方程式:
(4)“神舟”六號載人飛船內需要有一種化合物來吸收航天員呼出的CO2,你認為該物質應該是由上表中的________(填字母序號)元素組成的,用化學方程式表示吸收原理:
。飛船中需要制造一種適合航天員生存的人工態(tài)環(huán)境,還應該在氧氣中充入一種稀釋氣體,該氣體結構式為 。
(5)用電子式表示H 與C形成化合物的過程:
(6)J和I氫化物的沸點較高的是 (用化學式),原因是 。
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科目:高中化學 來源:2011-2012學年內蒙古巴市一中高一下學期4月月考化學試卷(帶解析) 題型:填空題
(7分)科學家們發(fā)現(xiàn):具有2、8、20、28、50、82、114、126等數(shù)目的質子或中子的原子核具有特別的穩(wěn)定性,并將這些偶數(shù)稱為“幻數(shù)”,而具有雙幻數(shù)的、等尤為穩(wěn)定。根據(jù)此信息回答下列問題:(每空1分)
⑴寫出前三種幻數(shù)為質子數(shù)時的元素原子結構示意圖,并標明元素符號: ; ; 。
⑵已知氧有三種同位素,根據(jù)上述幻數(shù)規(guī)律,氧的同位素中原子核最穩(wěn)定的是 ;
⑶根據(jù)現(xiàn)有元素周期律推算,位于元素周期表的第 周期 族,核穩(wěn)定性 (填“>”、“<”、“=”)。
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科目:高中化學 來源:2011-2012學年甘肅省張掖二中高一下學期期中考試化學試卷 (帶解析) 題型:填空題
(28分,每空2分)下表是元素周期表中短周期元素的一部分,表中所列字母分別代表一種元素。
主族 周期 | ⅠA | ⅡA | ⅢA | ⅣA | ⅤA | ⅥA | ⅦA | 0 |
1 | A | | | | | | | B |
2 | | | | D | E | F | J | |
3 | C | | | G | | H | I | |
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科目:高中化學 來源:2014屆四川省高二10月月考化學試卷(解析版) 題型:填空題
(每空2分 共16分) 20世紀50年代科學家提出價層電子對互斥模型(簡稱VSEPR模型),用于預測簡單分子立體結構。其要點可以概括為:
Ⅰ、用AXnEm表示只含一個中心原子的分子組成,A為中心原子,X為與中心原子相結合的原子,E為中心原子最外層未參與成鍵的電子對(稱為孤對電子),(n+m)稱為價層電子對數(shù)。分子中的價層電子對總是互相排斥,均勻的分布在中心原子周圍的空間;
Ⅱ、分子的立體構型是指分子中的原子在空間的排布,不包括中心原子未成鍵的孤對電子; Ⅲ、分子中價層電子對之間的斥力主要順序為: i、孤對電子之間的斥力>孤對電子對與共用電子對之間的斥力>共用電子對之間的斥力; ii、雙鍵與雙鍵之間的斥力>雙鍵與單鍵之間的斥力>單鍵與單鍵之間的斥力; iii、X原子得電子能力越弱,A-X形成的共用電子對之間的斥力越強; iv、其他。
請仔細閱讀上述材料,回答下列問題:
(1)根據(jù)要點I可以畫出AXnEm的VSEPR理想模型,請?zhí)顚懴卤恚?/p>
n+m |
2 |
|
VSEPR理想模型 |
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正四面體 |
價層電子對之間的理想鍵角 |
|
109°28′ |
(2)請用VSEPR模型解釋CO2為直線型分子的原因 。
(3) H2O分子的立體構型為: ,請你預測水分子中∠H-O-H的大小范圍為 ,原因是 。
(4) SO2Cl2和SO2F2都屬AX4E0型分子,S=O之間以雙鍵結合,S-Cl、S-F之間以單鍵結合。請你預測 SO2Cl2和SO2F2分子的立體構型: 。
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