科目:高中化學 來源: 題型:閱讀理解
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科目:高中化學 來源:2013-2014學年陜西省高三上學期第三次教學質(zhì)量檢測理綜化學試卷(解析版) 題型:實驗題
清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一,硅片化學清洗的主要目的是除去硅片表面雜質(zhì)(如某些有機物,無機鹽,金屬、Si、SiO2粉塵等)。常用的化學清洗劑有高純水、有機溶劑、雙氧水、濃酸、強堿等。其中去除硅的氧化物,通常用一定濃度的HF溶液,室溫條件下將硅片浸泡1至數(shù)分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面,增加硅對太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH、Na2SiO3等混合溶液在75~90℃反應(yīng)25~35 min,效果良好;卮鹣铝袉栴}
Ⅰ.(1)寫出晶片制絨反應(yīng)的離子方程式 ,對單晶制絨1990年化學家Seidel提出了一種的電化學模型,他指出Si與NaOH溶液的反應(yīng),首先是Si與OH一反應(yīng),生成SiO44一,然后SiO44一迅速水解生成H4SiO4;诖嗽矸治龇磻(yīng)中氧化劑為 。
(2)本校化學興趣小組同學,為驗證Seidel的理論是否正確,完成以下實驗:
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實驗事實 |
事實一 |
水蒸汽在600℃時可使粉末狀硅緩慢氧化并放出氫氣。 |
事實二 |
盛放于鉑或石英器皿中的純水長時間對粉末狀還原硅無腐蝕作用。 |
事實三 |
普通玻璃器皿中的水僅因含有從玻璃中溶出的微量的堿便可使粉末狀硅在其中緩慢溶解。 |
事實四 |
在野外環(huán)境里,用較高百分比的硅鐵粉與干燥的Ca(OH)2和NaOH,點著后燜燒,可劇烈放出H2。 |
事實五 |
1g(0.036mo1)Si和20mL含有l(wèi)gNaOH(0.025mol)的溶液,小心加熱(稍微預(yù)熱),收集到約1700mL H2,很接近理論值(1600mL)。 |
結(jié)論:從實驗上說明堿性水溶液條件下,H2O可作 劑;NaOH作_____ 劑,降低反應(yīng) 。高溫無水環(huán)境下,NaOH作 劑。
Ⅱ.在工業(yè)中利用鎂制取硅:2Mg+SiO22MgO+Si,同時有副反應(yīng)發(fā)生:2Mg+SiMg2Si,Mg2Si遇鹽酸迅速反應(yīng)生成SiH4(硅烷),SiH4在常溫下是一種不穩(wěn)定、易分解的氣體。如圖是進行Mg與SiO2反應(yīng)的實驗裝置:
由于氧氣的存在對該實驗有較大影響,實驗中應(yīng)通入氣體X作為保護氣,試管中的固體藥品可選用________(填序號)。 a.石灰石 b.鋅! .純堿
(4)實驗開始時,必須先通入X氣體,再加熱反應(yīng)物,其理由是______________________________,當反應(yīng)開始后,移走酒精燈反應(yīng)能繼續(xù)進行,其原因是___________________________。
(5)反應(yīng)結(jié)束后,待冷卻至常溫時,往反應(yīng)后的混合物中加入稀鹽酸?捎^察到閃亮的火星,產(chǎn)生此現(xiàn)象的原因用化學方程式表示為_______________________________________。
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科目:高中化學 來源:09-10年成都石室中學高一下期期末考試化學卷 題型:填空題
(21分)
(1)在上面元素周期表中全部是金屬元素的區(qū)域為 。
(a)A (b)B (c)C (d)D
(2)現(xiàn)有甲、乙兩種短周期元素,室溫下,甲元素單質(zhì)在冷的濃硫酸或濃硝酸中,表面都生成致密的氧化膜,乙元素原子核外M電子層與K電子層上的電子數(shù)相等。
①用元素符號將甲、乙兩元素填寫在上面元素周期表中對應(yīng)的位置。
②甲、乙兩元素相比較,金屬性較強的是 (填名稱),可以驗證該結(jié)論的實
驗是 。
(a)將在空氣中放置已久的這兩種元素的塊狀單質(zhì)分別放入熱水中
(b)將這兩種元素的單質(zhì)粉末分別和同濃度的鹽酸反應(yīng)
(c)將這兩種元素的單質(zhì)粉末分別和熱水作用,并滴入酚酞溶液
(d)比較這兩種元素的氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性
③寫出甲的氧化物及氧化物對應(yīng)水化物分別與強堿反應(yīng)的離子方程式
、 。
(3)表中所列小寫字母分別代表一種化學元素:
①m、f、j的單質(zhì)熔點由高到低的順序___________________________(填元素符號)。
②以上元素形成的金屬單質(zhì)中,熔點最低的是____________________(填元素符號)。
③f、m、n、g所形成的氫化物的穩(wěn)定性還性由強到弱的順序為
____________________________________________________________(填化學式);
④甲、乙、c、d、e形成的簡單離子的半徑由小到大的順序為
___________________________________________________________。
⑤f元素單質(zhì)是在生產(chǎn)中用量很大,試寫出工業(yè)上制備f元素單質(zhì)的化學方程式
_____________________________________________________________________。
⑥c元素的單質(zhì)用途_______________________________________________(填一條)。
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