A. | 硅晶體、食鹽、干冰 | B. | 冰、石墨、金屬鈉 | ||
C. | 碘、碳酸鈣、金剛石 | D. | HF、HBr、HCl |
分析 一般來(lái)說(shuō),晶體熔沸點(diǎn):原子晶體>離子晶體>分子晶體;氫化物的熔沸點(diǎn)與相對(duì)分子質(zhì)量成正比,含有氫鍵的氫化物熔沸點(diǎn)較高;據(jù)此分析.
解答 解:A.一般來(lái)說(shuō),晶體熔沸點(diǎn):原子晶體>離子晶體>分子晶體,晶體硅、食鹽、干冰分別是原子晶體、離子晶體、分子晶體,所以熔沸點(diǎn)由高到低順序是硅晶體、食鹽、干冰,故A正確;
B.冰、石墨、金屬鈉分別屬于分子晶體、混合晶體、金屬晶體,金屬鈉常溫為固體,冰常溫為液體,所以熔沸點(diǎn)由高到低順序是石墨、金屬鈉、冰,故B錯(cuò)誤;
C.碘、碳酸鈣、金剛石分別屬于分子晶體、離子晶體、原子晶體,所以熔沸點(diǎn)由高到低順序是金剛石、碳酸鈣、碘,故C錯(cuò)誤;
D.氫化物的熔沸點(diǎn)與相對(duì)分子質(zhì)量成正比,含有氫鍵的氫化物熔沸點(diǎn)較高,HF中含有氫鍵,熔沸點(diǎn)最高,所以這幾種物質(zhì)熔沸點(diǎn)由高到低的順序是HF、HBr、HCl,故D正確;
故選AD.
點(diǎn)評(píng) 本題考查晶體熔沸點(diǎn)高低判斷,明確影響晶體熔沸點(diǎn)因素是解本題關(guān)鍵,知道常見(jiàn)晶體類型,題目難度不大.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | Y表示原子半徑 | B. | Y表示元素的電負(fù)性 | ||
C. | Y表示元素的最高正價(jià) | D. | Y表示元素的第一電離能 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 向碳酸氫鈣溶液中加入過(guò)量氫氧化鈉Ca2++2HCO3-+2OH-═CaCO3↓+2H2O+CO32- | |
B. | 金屬鋁溶于鹽酸中:Al+2H+═Al3++H2↑ | |
C. | 氫氧化鋁與足量鹽酸反應(yīng)Al(OH)3+3H+═Al3++3H2O | |
D. | 少量CO2通入氫氧化鈉溶液中CO2+2OH-═CO32-+H2O |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 加熱金屬鈉與氧氣制取氧化鈉 | B. | 用二氧化硫漂白粉絲、銀耳 | ||
C. | 晶體硅是良好的半導(dǎo)體材料 | D. | S可用于一步制取SO3 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | +1 | B. | +2 | C. | +3 | D. | +4 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | CaCl2的電離方程式:CaCl2═Ca2++2Cl- | |
B. | 乙醇的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式:C2H6O | |
C. | 氟的原子結(jié)構(gòu)示意圖: | |
D. | 次氯酸的電子式: |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 消除儲(chǔ)氣罐上空泄漏出的高濃度氯氣,可噴灑堿液 | |
B. | 發(fā)生氯氣泄漏時(shí),附近人員可用浸有碳酸鈉溶液的毛巾捂住鼻孔進(jìn)行自我保護(hù) | |
C. | 氯氣能腐蝕金屬及非金屬材料,這種腐蝕主要屬于電化學(xué)腐蝕 | |
D. | 三氯化氮分子是極性分子 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | ${\;}_{84}^{210}$Po與${\;}_{84}^{209}$Po互為同素異形體 | |
B. | ${\;}_{84}^{210}$Po與${\;}_{84}^{209}$At互為同位素 | |
C. | ${\;}_{84}^{210}$Po與${\;}_{84}^{209}$Po在元素周期表中占有相同的位置 | |
D. | 釙元素的相對(duì)原子質(zhì)量為210 |
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