Question

【題目】中國(guó)科學(xué)家創(chuàng)造性地構(gòu)建了硅化物晶格限域的單鐵中心催化劑，成功地實(shí)現(xiàn)了甲烷在無(wú)氧條件下選擇活化，一步高效生產(chǎn)乙烯、芳烴和氫氣等化學(xué)品。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

(1)基態(tài)鐵原子的價(jià)層電子軌道表達(dá)式為______。

(2)硅、碳位于同一主族，用“”“”或“”填空：

性質(zhì)	原子半徑	第一電離能	熔點(diǎn)	鍵能
項(xiàng)目	______ C	______ Si	______	______

(3)CN-能與Fe3+形成配合物，與CN-互為等電子體的分子有______ (任寫(xiě)一種)；1 mol[Fe(CN)6 ]3-中含______molσ鍵。

(4)已知：反應(yīng)，碳原子的雜化類(lèi)型轉(zhuǎn)化過(guò)程為______；

從共價(jià)鍵重疊方式看，分子中鍵類(lèi)型為；的鍵角比的鍵角______填“大”或“小”。

(5)鐵晶體有兩種晶胞，如圖1、圖2所示。

圖1中晶胞中鐵的配位數(shù)為______；圖2中鐵晶胞堆積方式為______。

(6)碳化硅晶胞如圖3所示，已知碳化硅晶體的密度為dgcm-3，NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，則碳化硅中硅碳鍵的鍵長(zhǎng)為______ pm。

Answer 1

【答案】 或CO 12 雜化轉(zhuǎn)化為雜化 小 面心立方最密堆積

【解析】

(1)根據(jù)鐵原子的價(jià)層電子排布式、泡利原理和洪特規(guī)則即可畫(huà)出軌道表達(dá)式；

(2)同主族自上而下原子半徑逐漸增大，第一電離能逐漸減小；原子晶體的熔沸點(diǎn)大于分子晶體；鍵長(zhǎng)越短，鍵能越大，據(jù)此分析作答；

(3)等電子體可采用替換法進(jìn)行解答；配位鍵也屬于鍵，中與形成6個(gè)配位鍵，即6個(gè)鍵，而中有1個(gè)鍵，一共有6個(gè)，據(jù)此可算出鍵的總鍵數(shù)；

(4)CH4為正四面體結(jié)構(gòu)，C原子采取雜化，鍵角為，為平面結(jié)構(gòu)，C原子采取雜化，鍵角為，分子中1s與1s電云重疊形成鍵， 據(jù)此分析作答；

(5)圖1屬于體心立方堆積，Fe原子配位數(shù)為8；圖2中Fe原子處于面心、頂點(diǎn)，屬于面心立方最密堆積，據(jù)此分析；

(6)C原子與周?chē)?/span>4個(gè)Si原子形成正四面體結(jié)構(gòu)，碳化硅晶體內(nèi)碳硅鍵的鍵長(zhǎng)即為晶胞頂點(diǎn)Si原子與正四面體中心C原子之間的距離，二者連線處于晶胞體對(duì)角線上，距離等于晶胞體對(duì)角線長(zhǎng)度的，而晶胞體對(duì)角線長(zhǎng)度等于晶胞棱長(zhǎng)的倍，晶胞中C原子數(shù)目、Si原子數(shù)目，晶胞質(zhì)量，根據(jù)晶胞的質(zhì)量和密度可計(jì)算出晶胞的體積和晶胞的棱長(zhǎng)，進(jìn)而算出碳化硅晶體內(nèi)碳硅鍵的鍵長(zhǎng)，據(jù)此分析解答；

(1)基態(tài)鐵原子的價(jià)層電子排布式為，由泡利原理、洪特規(guī)則，軌道表達(dá)式為：；

故答案為：；

(2)①同主族自上而下原子半徑增大，故原子半徑：；

故答案為：；

②同主族自上而下第一電離能減小，故第一電離能：；

故答案為：；

③CO2屬于分子晶體，而屬于原子晶體，故熔點(diǎn)：；

故答案為：；

④C-H的鍵長(zhǎng)比鍵的短，故鍵能：；

故答案為：；

用N原子替換C原子與1個(gè)單位負(fù)電荷，或者用O原子替換N原子與1個(gè)單位負(fù)電荷，得到與互為等電子體的分子為：或CO；中與形成6個(gè)配位鍵，中有1個(gè)鍵，故中共有12個(gè)鍵，1中含鍵；

故答案為：或CO；12；

為正四面體結(jié)構(gòu)，C原子采取雜化，為平面結(jié)構(gòu)，C原子采取雜化，碳原子的雜化類(lèi)型轉(zhuǎn)化過(guò)程為：雜化轉(zhuǎn)化為雜化；分子中1s與1s電子云重疊形成鍵，從共價(jià)鍵重疊方式看，分子中鍵類(lèi)型為鍵；甲烷分子中鍵角為，乙烯中鍵角約是，的鍵角比的鍵角��；

故答案為：雜化轉(zhuǎn)化為雜化；鍵；��；

圖1中體心Fe原子與位于頂點(diǎn)的Fe原子相鄰，Fe原子配位數(shù)為8；圖2中Fe原子處于面心、頂點(diǎn)，屬于面心立方最密堆積；

故答案為：8；面心立方最密堆積；

原子與周?chē)?/span>4個(gè)Si原子形成正四面體結(jié)構(gòu)，碳化硅晶體內(nèi)碳硅鍵的鍵長(zhǎng)即為晶胞頂點(diǎn)Si原子與正四面體中心C原子之間的距離，二者連線處于晶胞體對(duì)角線上，距離等于晶胞體對(duì)角線長(zhǎng)度的，而晶胞體對(duì)角線長(zhǎng)度等于晶胞棱長(zhǎng)的倍，晶胞中C原子數(shù)目，Si原子數(shù)目，晶胞質(zhì)量，晶胞體積，晶胞棱長(zhǎng)，故碳化硅晶體內(nèi)碳硅鍵的鍵長(zhǎng)；

故答案為：；