在單質(zhì)的晶體中一定不存在的微粒是(　　)

A．原子                      B．分子

C．陰離子                    D．陽離子

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：


下列說法不正確的是(　　)

A．在離子晶體中，一定存在離子鍵

B．陽離子只有氧化性，陰離子只有還原性

C．納米粒子分散到水中，有丁達爾現(xiàn)象

D．等離子體是由大量的帶電微粒組成的，是繼固體、液體、氣體之后物質(zhì)的另一種聚集狀態(tài)

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分子晶體在通常情況下不具有的性質(zhì)是(　　)

A．晶體構(gòu)成微粒是分子

B．干燥或熔化時均能導(dǎo)電

C．微粒間以范德華力結(jié)合

D．熔點、沸點一般低于原子晶體和離子晶體

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氮化鋁(AlN)常用作砂輪及高溫爐襯材料，熔化狀態(tài)下不導(dǎo)電，可知它屬于(　　)

A．離子晶體B．原子晶體

C．分子晶體D．無法判斷

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通常人們把拆開1mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強弱，也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(ΔH)，化學(xué)反應(yīng)的ΔH等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。

化學(xué)鍵

Si—O

Si－Cl

H－H

H－Cl

Si－Si

Si－C

鍵能/kJ·mol－1

460

360

436

431

176

347

請回答下列問題：

(1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點高低(填“＞”或“＜”)。

SiC________Si；SiCl4________SiO2。

(2)下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個原子，請在立方體的頂點用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

(3)工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制�。�

SiCl4(g)＋2H2(g)Si(s)＋4HCl(g)

該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH＝________kJ·mol－1。

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金屬的下列性質(zhì)中和金屬晶體無關(guān)的是(　　)

A．良好的導(dǎo)電性                B．反應(yīng)中易失電子

C．良好的延展性                D．良好的導(dǎo)熱性

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A、B、C、D分別代表四種不同的短周期元素。A元素的原子最外層電子排布為ns1，

B元素的原子價電子排布為ns2np2，C元素的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍，D元素原子的M電子層的p亞層中有1個電子。

(1)C原子的電子排布式為________________________________________________，

若A元素的原子最外層電子排布為1s1，則按原子軌道的重疊方式，A與C形成的化合

物中的共價鍵屬于________鍵。

(2)當(dāng)n＝2時，B的原子結(jié)構(gòu)示意圖為__________，B與C形成的化合物晶體屬于____________晶體。當(dāng)n＝3時，B與C形成的化合物的晶體中微粒間的作用力是_____。

(3)

若D元素與Fe形成某種晶體，該晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示，則晶體的化學(xué)式是___(用元素符號表示)；若晶胞的邊長為a nm，則合金的密度為______________g·cm－3。

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A、B為兩種短周期元素，A的原子序數(shù)大于B，且B原子的最外層電子數(shù)為A原

子最外層電子數(shù)的3倍。A、B形成的化合物是中學(xué)化學(xué)常見的化合物，該化合物熔融

時能導(dǎo)電。試回答下列問題：

(1)A、B的元素符號分別是________、________。

(2)用電子式表示A、B元素形成化合物的過程：_____________________________

________________________________________________________________________。

(3)A、B所形成的化合物的晶體結(jié)構(gòu)與氯化鈉晶體結(jié)構(gòu)相似，則每個陽離子周圍吸引了

________個陰離子；晶體中陰、陽離子數(shù)之比為__________。

(4)A、B所形成化合物的晶體的熔點比NaF晶體的熔點________，其判斷的理由是

________________________________________________________________________________________________________________________________________________。

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下列關(guān)于晶體的性質(zhì)敘述中，不正確的是(　　)

A．晶體的自范性指的是在適宜條件下晶體能夠自發(fā)地呈現(xiàn)封閉規(guī)則的多面體幾何外形

B．晶體的各向異性和對稱性是矛盾的

C．晶體的對稱性是微觀粒子按一定規(guī)律做周期性重復(fù)排列的必然結(jié)果

D．晶體的各向異性直接取決于微觀粒子的排列具有特定的方向性

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