Question

（2013?臨沂二模）[化學(xué)--物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]金屬銅廣泛地應(yīng)用于電氣、機(jī)械制造、國防等領(lǐng)域．
（1）Cu是元素周期表中第29號元素，寫出第三周期基態(tài)原子未成對電子數(shù)與Cu相同且電負(fù)性最大的元素是

氯

（填元素名稱）．
（2）CuO受熱易分解為Cu₂O和O₂，請從銅的原子結(jié)構(gòu)來說明CuO受熱易分解的原因：

Cu⁺的最外層電子排布為3d¹⁰，而Cu²⁺的最外層電子排布為3d⁹，因最外層電子排布達(dá)到全滿時穩(wěn)定，所以固態(tài)Cu₂O穩(wěn)定性強(qiáng)于CuO

．
（3）如圖某種氧化物的晶胞示意圖．已知該晶胞的邊長為a cm，阿伏加德羅常數(shù)為N_A，該晶體的密度為

320

a3NA

g/cm3

．
（4）向硫酸銅溶液中滴加氨水會生成藍(lán)色沉淀，在滴加氨水到沉淀剛好全部溶解可得到深藍(lán)色溶液，繼續(xù)向其中加入極性較小的乙醇可以生成深藍(lán)色的[Cu（NH₃）₄]SO₄?H₂O沉淀．
①SO₄^2-中S原子的雜化方式為

sp³

．
②NH₃分子內(nèi)的H-N-H鍵角

大于

（填“大于”“等于”或“小于”）H₂O分子內(nèi)的H-O-H鍵角．
③S、N、O三種元素第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->

N＞O＞S

．

Answer 1

分析：（1）Cu元素的未成對電子數(shù)是1，同一周期中，元素的電負(fù)性隨著原子序數(shù)的增大而增大，據(jù)此寫出第三周期電負(fù)性最大且有一個未成對電子的元素；
（2）軌道中電子排布達(dá)到全滿、半滿、全空時原子最穩(wěn)定；
（3）利用均攤法計算晶胞中含有的兩種元素的離子個數(shù)，再根據(jù)ρ=

m

V

計算；
（4）①根據(jù)價層電子對互斥理論確定S原子的雜化方式；  
 ②孤電子對間的排斥能力大于孤電子對和化學(xué)鍵之間的排斥能力；　　
③同一周期元素，元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大的趨勢，但第IIA族和第VA族元素的第一電離能大于其相鄰元素，同一主族元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而減小．

解答：解：（1）Cu元素的未成對電子數(shù)是1，第三周期中含有一個未成對電子的元素有Na、Al、Cl三種元素，但電負(fù)性最大的是氯元素，故答案為：氯；
（2）軌道中電子排布達(dá)到全滿、半滿、全空時原子最穩(wěn)定，Cu⁺的最外層電子排布為3d¹⁰，而Cu²⁺的最外層電子排布為3d⁹，因最外層電子排布達(dá)到全滿時穩(wěn)定，所以固態(tài)Cu₂O穩(wěn)定性強(qiáng)于CuO，
故答案為：Cu⁺的最外層電子排布為3d¹⁰，而Cu²⁺的最外層電子排布為3d⁹，因最外層電子排布達(dá)到全滿時穩(wěn)定，所以固態(tài)Cu₂O穩(wěn)定性強(qiáng)于CuO；
（3）該晶胞中A離子個數(shù)=4，B離子個數(shù)=

1

8

×8+2×

1

2

+1+4×

1

4

=4，所以該晶胞中含有4個陰陽離子，故該物質(zhì)是CuO，ρ=

M NA ×4

V

=

80×4 NA

a3

g/cm3=

320

a3NA

g/cm3，
故答案為：

320

a3NA

g/cm3；
（4）①SO₄^2-中S原子的價層電子數(shù)=4+

1

2

(6+2-4×2)=4，所以采取雜sp³化方式，故答案為：sp³；   
②H₂O分子中含有兩個孤電子對，NH₃分子中含有一個孤電子對，孤電子對間的排斥能力大于孤電子對和化學(xué)鍵之間的排斥能力，所以NH₃分子內(nèi)的H-N-H鍵角大于H₂O分子內(nèi)的H-O-H鍵角，故答案為：大于；
③N、O元素屬于同一周期，且N元素屬于第VA族，O元素屬于第VIA族，O、S屬于同一周期，且S元素的原子序數(shù)大于O元素，所以第一電離能大小順序是N＞O＞S，故答案為：N＞O＞S．

點(diǎn)評：本題考查較綜合，注意同一周期元素第一電離能的異常現(xiàn)象、晶胞的有關(guān)計算，這些都是易錯點(diǎn)，且也是考查熱點(diǎn)．