Question

7．A、B、C、D、E、F為原子序數(shù)依次增大的短周期主族元素．A、C、D可形成常見的氣態(tài)單質(zhì)，A、E最外層電子數(shù)與其電子層數(shù)相等．B、F同主族，B元素基態(tài)原子核外電子平均分布在3個(gè)不同的能級(jí)上．C元素原子的最高能級(jí)上有3個(gè)未成對(duì)電子．F的一種單質(zhì)與FD₂晶體類型相同．
（1）A分別與B、F形成的最簡(jiǎn)單化合物相比較，影響沸點(diǎn)高低的主要作用力是范德華力．
（2）寫出D的基態(tài)原子的核外電子排布式：1s²2s²2p⁴．
（3）B、C、D的第一電離能由小到大的順序?yàn)椋篊＜O＜N．
（4）BD₂在高溫高壓下所形成的晶胞如圖所示，該晶體中B原子的雜化方式為sp³．
（5）由上述5種元素中的1種或幾種形成的，與C的單質(zhì)互為等電子體的物質(zhì)是CO（填化學(xué)式）．
（6）在E的化合物E₂Cl₆中存在的化學(xué)鍵有acd．
a．共價(jià)鍵   　b．非極性鍵　  c．配位鍵   　d．σ鍵     e．π鍵．

Answer 1

分析 A、B、C、D、E、F為原子序數(shù)依次增大的短周期主族元素．B元素基態(tài)原子核外電子平均分布在3個(gè)不同的能級(jí)上，則原子核外電子排布為1s²2s²2p²，故B為C元素；B、F同主族，則F為Si元素；A、C、D可形成常見的氣態(tài)單質(zhì)，A、E最外層電子數(shù)與其電子層數(shù)相等，最外層電子數(shù)與其電子層數(shù)相等的短周期元素共3種，分別為H、Be、Al．由于A的單質(zhì)為氣體，且A與E之間原子序數(shù)的差大于3，所以A為H，E為Al；C元素原子的最高能級(jí)上有3個(gè)為成對(duì)電子，且原子序數(shù)小于14（F為Si），則C為N元素．F的一種單質(zhì)與FD₂晶體類型相同，則D為O元素，據(jù)此解答．

解答 解：A、B、C、D、E、F為原子序數(shù)依次增大的短周期主族元素．B元素基態(tài)原子核外電子平均分布在3個(gè)不同的能級(jí)上，則原子核外電子排布為1s²2s²2p²，故B為C元素；B、F同主族，則F為Si元素；A、C、D可形成常見的氣態(tài)單質(zhì)，A、E最外層電子數(shù)與其電子層數(shù)相等，最外層電子數(shù)與其電子層數(shù)相等的短周期元素共3種，分別為H、Be、Al．由于A的單質(zhì)為氣體，且A與E之間原子序數(shù)的差大于3，所以A為H，E為Al；C元素原子的最高能級(jí)上有3個(gè)為成對(duì)電子，且原子序數(shù)小于14（F為Si），則C為N元素．F的一種單質(zhì)與FD₂晶體類型相同，則D為O元素．
（1）A分別與B、F形成的最簡(jiǎn)單化合物分別為CH₄、SiH₄，均形成分子晶體，不存在氫鍵，影響沸點(diǎn)高低的主要作用力是范德華力，故答案為：范德華力；
（2）D為O元素，基態(tài)原子的核外電子排布式：1s²2s²2p⁴，故答案為：1s²2s²2p⁴；
（3）同周期隨原子序數(shù)增大，元素第一電離能呈增大趨勢(shì)，N元素原子2p能級(jí)為半滿穩(wěn)定狀態(tài)，能量較低，第一電離能高于同周期相鄰元素，故第一電離能由小到大的順序?yàn)椋篊＜O＜N，故答案為：C＜O＜N；
（4）CO₂在高溫高壓下所形成的晶胞如右圖所示，應(yīng)屬于原子晶體，晶體中C原子形成4個(gè)C-O鍵，沒有孤電子對(duì)，該晶體中C原子的雜化方式為sp³，故答案為：sp³；
（5）由上述5種元素中的1種或幾種形成的，與N₂互為等電子體的物質(zhì)是CO，故答案為：CO；
（6）化合物Al₂Cl₆的結(jié)構(gòu)式為，存在的化學(xué)鍵有共價(jià)鍵、配位健、σ鍵，
故答案為：acd．

點(diǎn)評(píng) 本題是對(duì)物質(zhì)結(jié)構(gòu)的考查，涉及核外電子排布、晶體類型與性質(zhì)、電離能、化學(xué)鍵、等電子體、雜化方式等，（6）為易錯(cuò)點(diǎn)，中學(xué)基本不涉及氯化鋁的結(jié)構(gòu)．