[化學(xué)-選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
硅是重要的半導(dǎo)體材料,構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ).請(qǐng)回答下列問題:
(1)基態(tài)Si原子中,電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為
M
M
,該能層具有的原子軌道數(shù)為
9
9
、電子數(shù)為
4
4

(2)硅主要以硅酸鹽、
二氧化硅
二氧化硅
等化合物的形式存在于地殼中.
(3)單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體,其中原子與原子之間以
共價(jià)鍵
共價(jià)鍵
相結(jié)合,其晶胞中共有8個(gè)原子,其中在面心位置貢獻(xiàn)
3
3
個(gè)原子.
(4)單質(zhì)硅可通過甲硅烷(SiH4)分解反應(yīng)來制備.工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為
Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2
Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2

(5)碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示,簡(jiǎn)要分析和解釋下列有關(guān)事實(shí):
化學(xué)鍵 C-C C-H C-O Si-Si Si-H Si-O
鍵能/(kJ?mol-1 356 413 336 226 318 452
①硅與碳同族,也有系列氫化物,但硅烷在種類和數(shù)量上都遠(yuǎn)不如烷烴多,原因是
C-C鍵和C-H鍵較強(qiáng),所形成的烷烴穩(wěn)定.而硅烷中Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能較低,易斷裂,導(dǎo)致長(zhǎng)鏈硅烷難以生成.
C-C鍵和C-H鍵較強(qiáng),所形成的烷烴穩(wěn)定.而硅烷中Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能較低,易斷裂,導(dǎo)致長(zhǎng)鏈硅烷難以生成.

②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4,更易生成氧化物,原因是
C-H鍵的鍵能大于C-O鍵,C-H鍵比C-O鍵穩(wěn)定.而Si-H鍵的鍵能卻遠(yuǎn)小于Si-O鍵,所以Si-H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的Si-O鍵
C-H鍵的鍵能大于C-O鍵,C-H鍵比C-O鍵穩(wěn)定.而Si-H鍵的鍵能卻遠(yuǎn)小于Si-O鍵,所以Si-H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的Si-O鍵

(6)在硅酸鹽中,SiO
 
4-
4
四面體(如下圖(a))通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式.圖(b)為一種無限長(zhǎng)單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根,其中Si原子的雜化形式為
sp3
sp3
,Si與O的原子數(shù)之比為
1:3
1:3
,化學(xué)式為
SiO32-
SiO32-

分析:(1)硅原子核外有14個(gè)電子,其基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p2 ,對(duì)應(yīng)能層分別別為K、L、M,其中能量最高的是最外層M層,該能層有s、p、d三個(gè)能級(jí),s能級(jí)有1個(gè)軌道,p能級(jí)有3個(gè)軌道,d能級(jí)有5個(gè)軌道,所以共有9個(gè)原子軌道,硅原子的M能層有4個(gè)電子(3s23p2);
(2)硅元素在自然界中主要以化合態(tài)(二氧化硅和硅酸鹽)形式存在;
(3)硅晶體和金剛石晶體類似都屬于原子晶體,硅原子之間以共價(jià)鍵結(jié)合.在金剛石晶體的晶胞中,每個(gè)面心有一個(gè)碳原子(晶體硅類似結(jié)構(gòu)),則面心位置貢獻(xiàn)的原子為 6×
1
2
=3個(gè);
(4)Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4、NH3和MgCl2
(5)①烷烴中的C-C鍵和C-H鍵大于硅烷中的Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能;
②鍵能越大、物質(zhì)就越穩(wěn)定,C-H鍵的鍵能大于C-O鍵,故C-H鍵比C-O鍵穩(wěn)定,而Si-H鍵的鍵能遠(yuǎn)小于Si-O鍵,所以Si-H鍵不穩(wěn)定而傾向與形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的Si-O鍵;
(6)硅酸鹽中的硅酸根(SiO
 
4-
4
)為正四面體結(jié)構(gòu),所以中心原子Si原子采取了sp3雜化方式;根據(jù)圖(b)的一個(gè)結(jié)構(gòu)單元中含有1個(gè)硅、3個(gè)氧原子,化學(xué)式為SiO32-;
解答:解:(1)硅原子核外有14個(gè)電子,其基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p2 ,對(duì)應(yīng)能層分別別為K、L、M,其中能量最高的是最外層M層,該能層有s、p、d三個(gè)能級(jí),s能級(jí)有1個(gè)軌道,p能級(jí)有3個(gè)軌道,d能級(jí)有5個(gè)軌道,所以共有9個(gè)原子軌道,硅原子的M能層有4個(gè)電子(3s23p2);
故答案為:M;9;4;
(2)硅元素在自然界中主要以化合態(tài)(二氧化硅和硅酸鹽)形式存在,
故答案為:二氧化硅
(3)硅晶體和金剛石晶體類似都屬于原子晶體,硅原子之間以共價(jià)鍵結(jié)合.在金剛石晶體的晶胞中,每個(gè)面心有一個(gè)碳原子(晶體硅類似結(jié)構(gòu)),則面心位置貢獻(xiàn)的原子為 6×
1
2
=3個(gè);
故答案為:共價(jià)鍵;3;
(4)Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4、NH3和MgCl2,方程式為:Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2,故答案為:Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2;
(5)①烷烴中的C-C鍵和C-H鍵大于硅烷中的Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能,所以硅烷中Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能易斷裂,導(dǎo)致長(zhǎng)鏈硅烷難以生成,
故答案為:C-C鍵和C-H鍵較強(qiáng),所形成的烷烴穩(wěn)定,而硅烷中Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能較低,易斷裂,導(dǎo)致長(zhǎng)鏈硅烷難以生成;
②鍵能越大、物質(zhì)就越穩(wěn)定,C-H鍵的鍵能大于C-O鍵,故C-H鍵比C-O鍵穩(wěn)定,而Si-H鍵的鍵能遠(yuǎn)小于Si-O鍵,所以Si-H鍵不穩(wěn)定而傾向與形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的Si-O鍵;
故答案:C-H鍵的鍵能大于C-O鍵,C-H鍵比C-O鍵穩(wěn)定.而Si-H鍵的鍵能卻遠(yuǎn)小于Si-O鍵,所以Si-H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的Si-O鍵;
(6)硅酸鹽中的硅酸根(SiO
 
4-
4
)為正四面體結(jié)構(gòu),所以中心原子Si原子采取了sp3雜化方式;
故答案為:sp3 
根據(jù)圖(b)的一個(gè)結(jié)構(gòu)單元中含有1個(gè)硅、3個(gè)氧原子,化學(xué)式為SiO32-;
故答案為:1:3;SiO32-;
點(diǎn)評(píng):本題主要考查了基態(tài)原子的核外電子排布、晶體結(jié)構(gòu)、化學(xué)方程式的書寫、雜化軌道、化學(xué)鍵等知識(shí),難度中等.
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(2012?許昌三模)[化學(xué)--選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]砷(As)是一種重要的化學(xué)元素,其可形成多種用途廣泛的化合物.
(1)寫出基態(tài)砷原子的電子排布式
[Ar]3d104s24p3
[Ar]3d104s24p3
;砷與溴的電負(fù)性相比,較大的是
Br(或溴)
Br(或溴)

(2)砷(As)的氫化物與同族第二、三周期元素所形成的氫化物的穩(wěn)定性由大到小的順
序?yàn)椋ㄓ没瘜W(xué)式表示)
NH3>PH3>AsH3
NH3>PH3>AsH3
;氫化物的沸點(diǎn)由高到低的順序?yàn)椋ㄓ没瘜W(xué)式表示)
NH3>AsH3>PH3
NH3>AsH3>PH3

(3)Na3AsO4可作殺蟲劑.AsO
 
3-
4
的空間構(gòu)型為
正四面體形
正四面體形
.As原子采取
sp3
sp3
雜化.
(4)某砷的氧化物俗稱“砒霜”,其分子結(jié)構(gòu)如右圖所示.該化合物的分子式為
As4O6
As4O6

(5)GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料,其晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似.GaAs晶胞中含有
4
4
個(gè)砷原子.

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:閱讀理解

【化學(xué)--選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
VA族的氮、磷、砷(As)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài),含VA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途.請(qǐng)回答下列問題:
(1)白磷單質(zhì)的中P原子采用的軌道雜化方式是
sp3
sp3

(2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,N、P、As原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
N>P>As
N>P>As
;
(3)As原子序數(shù)為
33
33
,其核外M層和N層電子的排布式為
3s23p63d104s24p3
3s23p63d104s24p3
;
(4)NH3的沸點(diǎn)比PH3
(填“高”或“低”),原因是
NH3分子間存在較強(qiáng)的氫鍵,而PH3分子間僅有較弱的范德華力
NH3分子間存在較強(qiáng)的氫鍵,而PH3分子間僅有較弱的范德華力

PO43-離子的立體構(gòu)型為
正四面體
正四面體
;
(5)H3PO4的K1、K2、K3分別為7.6×10-3、6.3×10-8、4.4×10-13.硝酸完全電離,而亞硝酸K=5.1×10-4,請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋:
①H3PO4的K1遠(yuǎn)大于K2的原因
第一步電離出的氫離子抑制第二步的電離
第一步電離出的氫離子抑制第二步的電離
;
②硝酸比亞硝酸酸性強(qiáng)的原因
硝酸中N呈+5價(jià),N-O-H中O的電子更向N偏移,導(dǎo)致其越易電離出氫離子
硝酸中N呈+5價(jià),N-O-H中O的電子更向N偏移,導(dǎo)致其越易電離出氫離子
;
(6)NiO晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體類似,其晶胞的棱長(zhǎng)為a cm,則該晶體中距離最近的兩個(gè)陽離子核間的距離為
2
2
a
2
2
a
cm(用含有a的代數(shù)式表示).
在一定溫度下NiO晶體可以自發(fā)地分散并形成“單分子層”(如圖),可以認(rèn)為氧離子作密致單層排列,鎳離子填充其中,列式并計(jì)算每平方米面積上分散的該晶體的質(zhì)量為
1.83×10-3
1.83×10-3
g (氧離子的半徑為1.40×10-10m)

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

[化學(xué)--選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
血紅素中含有C、O、N、Fe五種元素.回答下列問題:
精英家教網(wǎng)
(1)C、N、O、H四種元素中電負(fù)性最小的是(填元素符合)
 
,寫出基態(tài)Fe原子的核外電子排布式
 

(2)如圖所示為血紅蛋白和肌紅蛋白的活性部分--血紅素的結(jié)構(gòu)式.血紅素中N原子的雜化方式有
 
,在如圖的方框內(nèi)用“→”標(biāo)出Fe2+的配位鍵.
(3)NiO、FeO的晶體結(jié)構(gòu)類型均與氯化鈉的相同,Ni2+和Fe2+的離子半徑分別為69pm和78pm,則熔點(diǎn)NiO
 
 FeO(填“<”或“>”);
(4)N與H形成的化合物肼(N2H4)可用作火箭燃料,燃燒時(shí)發(fā)生的反應(yīng)是:N2O4(l)+2N2H4(l)═3N2(g)+4H2O(g)△H=-1038.7kJ?mol-1
若該反應(yīng)中有4mol N-H鍵斷裂,則形成的π鍵有
 
mol.
(5)根據(jù)等電子原理,寫出CN-的電子式,1mol O22+中含有的π鍵數(shù)目為
 

(6)鐵有δ、γ、α三種同素異形體,γ晶體晶胞中所含有的鐵原子數(shù)為,δ、α兩種晶胞中鐵原子的配位數(shù)之比為
 

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

[化學(xué)-選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]原子序數(shù)小于36的A、B 兩種元素,它們同周期且同族,B的原子序數(shù)比A大 1,B元素的常見價(jià)態(tài)為+2、+3 價(jià).用 A、B 元素的化合物做了如下兩個(gè)實(shí)驗(yàn).
實(shí)驗(yàn)Ⅰ A(OH)3
鹽酸
 棕黃色溶液(滴入KSCN溶液變紅)
實(shí)驗(yàn)Ⅱ B(OH)3
鹽酸
產(chǎn)生氣體(使?jié)駶櫟腒I淀粉試紙變藍(lán))
回答下列問題:
(1)A3+的價(jià)電子排布式是
 
;
(2)B 元素位于元素周期表中第
 
周期,
 
第族;
(3)實(shí)驗(yàn)Ⅱ中B(OH)3與鹽酸反應(yīng)的化學(xué)方程式為
 
;
(4)ASO4?7H2O是一種淡綠色的晶體,其中SO42-立體構(gòu)型是
 
,硫原子的雜化軌道類型是
 

(5)單質(zhì)B的晶體堆積方式為鎂型(hcp),每個(gè)晶胞中含有B原子
 
個(gè);
(6)A 的某種氧化物(AO)的晶體結(jié)構(gòu)與 NaCl晶體相似,其密度為a g/cm3,晶胞的邊長(zhǎng)為
 
cm (只要求列算式,不必計(jì)算出數(shù)值,阿伏加德羅常數(shù)為 NA ).

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同步練習(xí)冊(cè)答案