哪些事實能說明硫的氧化性比Cl2的氧化性弱?
科目:高中化學 來源: 題型:
某飽和一元醛發(fā)生銀鏡反應時可以析出21.6g銀,等量的醛完全燃燒可以產
生6.72LCO2(標況),則該醛為 ( )
A.乙醛 B.2-甲基丙醛 C.丙醛 D.丁醛
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科目:高中化學 來源: 題型:
下列關于濃硝酸和濃硫酸的敘述正確的是( )
A.都是常用的干燥劑
B.常溫下都能與氫前金屬反應放出氫氣
C.一定條件下和銅反應中都表現(xiàn)出強氧化性和強酸性
D.分別露置在空氣中,容器內溶質的物質的量濃度都增大
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科目:高中化學 來源: 題型:
下列離子方程式書寫正確的是
A.在FeI2溶液中滴入幾滴稀溴水:Fe2+ + Br2 = 2Fe3+ + 2Br-
B. FeCl3溶液中滴加過量Na2S溶液:2Fe3++S2- ═2Fe2++S↓
C.在NaHSO3溶液中滴入Ca(OH)2溶液:HSO3- + OH- = SO32- + H2O
D.等物質的量濃度、等體積的NaHSO4溶液與Ba(OH)2溶液混合:
H+ + SO42- + Ba2+ + OH- = BaSO4↓+ H2O
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單晶硅是信息產業(yè)中重要的基礎材料。通常用炭在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硼、磷等雜質),粗硅與氯氣反應生成四氯化硅(反應溫度450~500℃),四氯化硅經提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室用粗硅制備四氯化硅的裝置示意圖。
相關信息如下:①四氯化硅遇水極易水解;
②硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應生成相應的氯化物;
③有關物質的物理常數(shù)見下表:
物質 | SiCl4 | BCl3 | AlCl3 | FeCl3 | PCl5 |
沸點/℃ | 57.7 | 12.8 | — | 315 | — |
熔點/℃ | -70.0 | -107.2 | — | — | — |
升華溫度/℃ | — | — | 180 | 300 | 162 |
請回答下列問題:
(1)寫出裝置A中發(fā)生反應的離子方程式 。
(2)裝置A中儀器g的名稱是 ;裝置C中的試劑是 ;
(3)從安全角度考慮,若將裝置E中通入h瓶的粗玻璃導氣管換成細玻璃導氣管,可能帶來的后果是 。
(4)裝置E中h瓶收集到的粗產物可通過精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質元素是 (填寫元素符號)。
(5)為分析殘留物中鐵元素的含量,先將殘留物預處理,使鐵元素還原成Fe2+,再用KMnO4標準溶液在酸性條件下進行氧化還原滴定,反應的離子方程式是:
5Fe2++MnO4-+8H+5Fe3++Mn2++4H2O
①滴定前是否要滴加指示劑? (填“是”或“否”),判斷達到滴定終點的現(xiàn)象是 。
②某同學稱取5.000g殘留物后,經預處理后在容量瓶中配制成100 mL溶液,移取25.00mL試樣溶液,用1.000×10-2 mol/L KMnO4標準溶液滴定。達到滴定終點時,消耗標準溶液20.00 mL,則殘留物中鐵元素的質量分數(shù)是 。
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下列溶液能夠區(qū)別SO2和CO2氣體的是 ( )
①澄清的石灰水、贖2S溶液、鬯嵝訩MnO4溶液 ④氯水 ⑤品紅溶液
A.①②③ B.②③④
C.除①以外 D.全部
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用下面的方案進行某些離子的檢驗,其中方案設計最嚴密的是 ( )
A.檢驗試液中的SO:試液無沉淀白色沉淀
B.檢驗試液中的SO:試液無沉淀白色沉淀
C.檢驗試液中的I-:試液深黃色溶液深黃色溶液
D.檢驗試液中的CO:試液白色沉淀沉淀溶解
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下列制取硫酸銅的實驗設計中,能體現(xiàn)“經濟、高效、環(huán)!本竦淖罴逊桨甘( )
A.銅與濃硫酸共熱
B.用銅片為陽極,石墨為陰極,電解稀硫酸
C.先灼燒廢銅屑生成氧化銅,然后再用濃硫酸溶解
D.適當溫度下,使銅片在持續(xù)通入空氣的稀硫酸中溶解
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