分析 (1)鎵是31號元素,其原子核外有31個電子,根據(jù)構(gòu)造原理書寫其基態(tài)原子核外電子排布式;同一周期元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大的趨勢,但第IIA族和第VA族元素的第一電離能大于相鄰元素;
(2)原子晶體的硬度與原子半徑、鍵長成反比;
(3)根據(jù)價層電子對互斥理論確定其雜化方式及空間構(gòu)型;B原子最外電子層為L層,無d軌道;而Si原子最外層為N層,有d軌道.
解答 解:(1)鎵位于周期表中第四周期第IIIA,故其核外電子排布式為1s22s22p63d104s24p1或[Ar]3d104s24p1;同一周期元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大的趨勢,但第IIA族和第VA族元素的第一電離能大于相鄰元素,所以三種元素的第一電離能由大到小的順序為N>O>B,
故答案為:1s22s22p63d104s24p1;N>O>B;
(2)原子晶體的硬度與原子半徑、鍵長成反比,N原子和B原子的半徑比硅原子小,B-N鍵長比Si-Si短鍵能大,所以氮化硼(BN)比晶體硅具有更高硬度和耐熱性,
故答案為:N原子和B原子的半徑比硅原子小,B-N鍵長比Si-Si短;
(3)在BF3分子中B原子的價層電子對等于3,且沒有孤電子對,所以中心原子的雜化軌道類型是sp2雜化,SiF4中硅原子含有4個共價鍵,且不含孤電子對,中心原子的雜化軌道類型是sp3雜化,所以它的空間構(gòu)型是正四面體型;B原子最外電子層為L層,無d軌道,而Si原子最外層為N層,有d軌道,可參與雜化,使Si配位數(shù)增加至6;
故答案為:sp2;正四面體;B原子最外電子層為L層,無d軌道;而Si原子最外層為N層,有d軌道,可參與雜化,使Si配位數(shù)增加至6.
點評 本題考查核外電子排布、電離能、雜化軌道等,注意同一周期中第一電離能的變化趨勢及異常現(xiàn)象,為易錯點,題目難度中等.
科目:高中化學 來源: 題型:填空題
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