科目:高中化學 來源: 題型:
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(10分)已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素,它們的核電荷數(shù)A<B<C<D<E<F。其中B、D、F原子最外電子層的P能級(軌道)上的電子處于半滿狀態(tài)。通常情況下,A的一種氧化物分子為非極性分子,其晶胞結構如右下圖所示。E的電負性在該周期中最大。鎵(Ga)與元素B形成的一種化合物是繼以C單質(zhì)為代表的第一代半導體材料和GaF為代表的第二代半導體材料之后,在近10年迅速發(fā)展起來的第三代新型半導體材料。
試回答下列問題:(答題時,A、B、C、D、E、F用所對應的元素符號表示)
(1)基態(tài)Ga原子的核外電子排布式為 。
(2)A、B、C的第一電離能由大到小的順序為 。
(3)B元素的單質(zhì)分子中有 個π鍵。
(4)上述A的氧化物分子中心原子采取______雜化,其晶胞中微粒間的作用力為 。
(5)FH3沸點與比BH3 (填“高”或“低”),原因是 。
(6)固體CrE3?6H2O溶于水可能有幾種不同組成的配離子,實驗將含0.2665gCrE3?6H2O的溶液通過H-離子交換樹脂(只交換配陽離子),交換出的酸用0.125mol/L的氫氧化鈉溶液8.00mL中和。已知配離子配位數(shù)為6,則該配離子是
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