(三選一)【物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
已知A、B、C、D、E五種元素都是元素周期表中前20號(hào)元素,原子序數(shù)依次增大,E的特征電子排布式為4s2。A、B、C、D四種元素在元素周期表中的相對(duì)位置如下表所示。
根據(jù)以上信息,回答下列問(wèn)題:
(1)元素C在元素周期表中的位置是__________;D的電子排布式為:____________。
(2)A和D的氫化物中,沸點(diǎn)較高的是_______,原因是__________________;A和B的離子中,半徑較小的是__________(填離子符號(hào))。
(3)A和E可組成離子化合物,其晶胞(晶胞是在晶體中具有代表性的最小重復(fù)單元)結(jié)構(gòu)如圖所示(陽(yáng)離子用“●”表示,位于該正方體的頂點(diǎn)或面心;陰離子用“〇”表示,均位于小正方體中心)。該化合物的電子式是_______________。
(4)A和E化合物的晶胞1/8的體積為2.0×10-23cm3,求A和E組成的離子化合物的密度,請(qǐng)列式并計(jì)算(結(jié)果保留一位小數(shù)):_______________________________。
(1)第三,ⅢA;1s22s22p63s23p5 
(2)A;A的氫化物分子間可以形成氫鍵,而D的氫化物不能;Na
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:陜西省模擬題 題型:填空題

(三選一)【物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
下表中實(shí)線是元素周期表的部分邊界,其中上邊界并未用實(shí)線標(biāo)出。
根據(jù)信息回答下列問(wèn)題:
(1)周期表中比Ga質(zhì)子數(shù)少2的基態(tài)原子價(jià)電子排布式為_(kāi)____________。
(2)Fe元素位于周期表的____分區(qū);Fe與CO易形成配合物Fe(CO)5,在Fe(CO)5中鐵的化合價(jià)為_(kāi)_________;已知:原子數(shù)目和電子總數(shù)(或價(jià)電子總數(shù))相同的微;榈入娮芋w,等電子體具有相似的結(jié)構(gòu)特征。與CO分子互為等電子體的分子和離子分別為_(kāi)_____和_____(填化學(xué)式),CO的結(jié)構(gòu)式為_(kāi)____________。
(3)在CH4、CO及CH3OH中,碳原子采取sp3雜化的分子為_(kāi)_______________。
(4)根據(jù)VSEPR理論預(yù)測(cè)ED4-離子的空間構(gòu)型為_(kāi)_____________型。B、C、D及E原子相互化合形成的分子中,所有原子都滿(mǎn)足最外層8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)的電子式為:__________________________________(寫(xiě)2種)
(5)B與D形成的穩(wěn)定化合物為_(kāi)__________分子(填“極性”“非極性”),其固態(tài)為_(kāi)_______晶體。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:湖北省模擬題 題型:填空題

(三選一)【物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
A、B、C、D分別代表四種不同的短周期元素。A元素的原子最外層電子排布為ns1,B元素的原子價(jià)電子排布為ns2np2,C元素的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍,D元素原子的M電子層的P亞層中有3個(gè)電子。
(1)C原子的電子排布式為_(kāi)___________,若A元素的原子最外層電子排布為1s1,則按原子軌道的重迭方式,A與C形成的化合物中的共價(jià)鍵屬于________鍵。
(2)當(dāng)n=2時(shí),B的原子結(jié)構(gòu)示意圖為_(kāi)___________,B與C形成的晶體屬于__________ 晶體。當(dāng)n=3時(shí),B與C形成的晶體中微粒間的作用力是_______________
(3)若A元素的原子最外層電子排布為2s1,B元素的原子價(jià)電子排布為3s23p2,元素A在周期表中的位置是__________,A、B、C、D四種元素的第一電離能由大到小的順序是_______________ (用元素符號(hào)表示)。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:寧夏自治區(qū)模擬題 題型:推斷題

(三選一)【物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素,它們的原子序數(shù)依次增大。其中A、C原子的L層有2個(gè)未成對(duì)電子。D與E同主族,D的二價(jià)陽(yáng)離子與C的陰離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu)。F3+M層3d軌道電子為半滿(mǎn)狀態(tài)。請(qǐng)根據(jù)以上情況,回答下列問(wèn)題:(答題時(shí),用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示)
(1)寫(xiě)出F原子的電子排布式:________, F位于周期表____區(qū)。
(2)A、B、C的第一電離能由小到大的順序?yàn)開(kāi)___。
(3)F和M(質(zhì)子數(shù)為25)兩元素的部分電離能數(shù)據(jù)列于下表:
比較兩元素的I2、I3可知,氣態(tài)M2+再失去一個(gè)電子比氣態(tài)F2+再失去一個(gè)電子難。對(duì)此,你的解釋是_____________________
(4)已知F晶體的堆積方式與金屬鉀相同,則F晶胞中F原子的配位數(shù)為_(kāi)_______,一個(gè)晶胞中F原子的數(shù)目為_(kāi)________。
(5)H2S和C元素的氫化物(分子式為H2C2)的主要物理性質(zhì)比較如下
H2S和H2C2的相對(duì)分子質(zhì)量基本相同,造成上述物理性質(zhì)差異的主要原因是____________

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:吉林省期中題 題型:推斷題

(三選一)【物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
原子序數(shù)依次遞增的A、B、C、D、E是周期表中前30號(hào)元素。已知A的最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的2倍;A與C形成的常見(jiàn)化合物之一是主要的溫室氣體;D與A同主族,其單質(zhì)在同周期元素所形成的單質(zhì)中熔點(diǎn)最高;E原子M能 層為全充滿(mǎn)狀態(tài),且核外的未成對(duì)電子只有一個(gè)。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)B在周期表中的位置是___________,該主族元素的氣態(tài)氫化物中,沸點(diǎn)最低的是__________(填化學(xué)式)。
(2)根據(jù)等電子原理分析,BC2+ 中B原子的軌道雜化類(lèi)型是____________。
(3)五種元素中,電負(fù)性最大與最小的兩種非金屬元素形成的化合物在常溫下是晶體,其晶體類(lèi)型是____________。
(4)+1價(jià)氣態(tài)基態(tài)陽(yáng)離子再失去一個(gè)電子形成+2價(jià)氣態(tài)基態(tài)陽(yáng)離子所需要的能量稱(chēng)為第二電離能I2,依次還有I3、I4、I5…,推測(cè)D元素的電離能突增應(yīng)出現(xiàn)在第______電離能。
(5)A的一種相對(duì)分子質(zhì)量為28的氫化物,其分子中σ鍵與π鍵的個(gè)數(shù)之比為_(kāi)_______;A能形成多種常見(jiàn)單質(zhì),在熔點(diǎn)最低的單質(zhì)中,每個(gè)分子周?chē)o鄰的分子數(shù)目為_(kāi)__________; 
(6)E的基態(tài)原子有_____種形狀不同的原子軌道;E2+ 的價(jià)電子排布式為_(kāi)______;下圖_______(填甲、乙或丙)表示的是E晶體中微粒的堆積方式。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:江西省模擬題 題型:推斷題

(三選一)【物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
已知:A、B、C、D為周期表1~36號(hào)中的元素,它們的原子序數(shù)逐漸增大。A的基態(tài)原子有3個(gè)不同的能級(jí),各能級(jí)中電子數(shù)相等;C的基態(tài)原子2p能級(jí)上的未成對(duì)電子數(shù)與A原子相同;D的基態(tài)原子的M電子層上有4個(gè)未成對(duì)電子。
請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)D是元素周期表中第____周期,第_______族的元素;其基態(tài)原子的外圍電子排布式為_(kāi)___________________。
(2)A、B、C、D四種元素中,電負(fù)性最大的是________(填元素符號(hào))。
(3)由A、B、C形成的離子CAB與AC2互為等電子體,則CAB中A原子的雜化方式為_(kāi)___________。B的氫化物的沸點(diǎn)遠(yuǎn)高于A的氫化物的主要原因是___________________。
(4)D能與AC分子形成D(AC)5,其原因是AC分子中含有________。D(AC)5常溫下呈液態(tài),熔點(diǎn)為-20.5℃,沸點(diǎn)為103℃,易溶于非極性溶劑,據(jù)此可判斷D(AC)5晶體屬于_________(填晶體類(lèi)型)。
(5)SiO2的晶胞可作如下推導(dǎo):先將NaCl晶胞中的所有Cl去掉,并將Na全部換成Si原子,再在每?jī)蓚(gè)不共面的“小立方體”中心處各放置一個(gè)Si原子便構(gòu)成了晶體Si的一個(gè)晶胞。再在每?jī)蓚(gè)相鄰的Si原子(距離最近的兩個(gè)Si原子)中心聯(lián)線的中點(diǎn)處增添一個(gè)O原子,便構(gòu)成了SiO2晶胞,故SiO2晶胞中有_______個(gè)Si原子,______個(gè)O原子。

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