(6分)單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料�？茖W(xué)家預(yù)計(jì)，到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多，這對(duì)硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅，其化學(xué)方程式為：     ①SiO2 + 2C  Si+ 2CO     ②Si + 2Cl2SiCl4

③SiCl4 + 2H2Si + 4HCl�；卮鹣铝袉�(wèn)題：

（1）上述反應(yīng)中，屬于氧化還原反應(yīng)的是            （填序號(hào)）。

（2）反應(yīng)①和③屬于           。

A．化合反應(yīng)      B．分解反應(yīng)      C．置換反應(yīng)      D．復(fù)分解反應(yīng)

（3）下列描述正確的是         。

A．氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)

B．判斷一個(gè)反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是是否有化合價(jià)的升降

C．化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)          D．復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)

 

（1） ①②③ 。  （2） C 。（3）  B   。（每空2分）

解析:略

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
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(6分)單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料�？茖W(xué)家預(yù)計(jì)，到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多，這對(duì)硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅，其化學(xué)方程式為：    ①SiO2 + 2C Si + 2CO    ②Si + 2Cl2SiCl4
③SiCl4 + 2H2Si + 4HCl�；卮鹣铝袉�(wèn)題：
（1）上述反應(yīng)中，屬于氧化還原反應(yīng)的是           （填序號(hào)）。
（2）反應(yīng)①和③屬于           。
A．化合反應(yīng)      B．分解反應(yīng)       C．置換反應(yīng)      D．復(fù)分解反應(yīng)
（3）下列描述正確的是         。
A．氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)
B．判斷一個(gè)反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是是否有化合價(jià)的升降
C．化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)          D．復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2014屆浙江省溫州市直六校協(xié)作體高一第一學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型：填空題

(6分)單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料�？茖W(xué)家預(yù)計(jì)，到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多，這對(duì)硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅，其化學(xué)方程式為：     ①SiO2 + 2C  Si + 2CO     ②Si + 2Cl2SiCl4

③SiCl4 + 2H2Si + 4HCl�；卮鹣铝袉�(wèn)題：

（1）上述反應(yīng)中，屬于氧化還原反應(yīng)的是            （填序號(hào)）。

（2）反應(yīng)①和③屬于            。

A．化合反應(yīng)      B．分解反應(yīng)       C．置換反應(yīng)      D．復(fù)分解反應(yīng)

（3）下列描述正確的是          。

A．氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)

B．判斷一個(gè)反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是是否有化合價(jià)的升降

C．化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)          D．復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)

 

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