2．元素周期表中某區(qū)域的一些元素多用于制造半導(dǎo)體材料，它們是（　�。�
A．金屬元素和非金屬元素分界線附近的元素
B．右上方區(qū)域的非金屬元素
C．過渡元素
D．稀有氣體元素

分析 用于制造半導(dǎo)體材料的元素既具有金屬性又具有非金屬性，以此來解答．

解答 解：A、金屬元素和非金屬分界線附近的元素，既具有金屬性又具有非金屬性，則可用于制造半導(dǎo)體材料，故A正確；
B、右、上方區(qū)域的非金屬元素的非金屬性很強，不具有金屬性，故B錯誤；
C、過渡元素中均為金屬元素，不能用于制造半導(dǎo)體材料，故C錯誤；
D、稀有氣體元素的單質(zhì)為氣體，性質(zhì)不活潑，不能用于制造半導(dǎo)體材料，故D錯誤；
故選A．

點評 本題考查元素的性質(zhì)與元素在周期表中的位置，明確半導(dǎo)體材料具有的性質(zhì)是解答本題的關(guān)鍵，難度不大．

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：解答題

12．欲將反應(yīng)2Fe3++Cu═Cu2++2Fe2+設(shè)計成原電池，該電池負極材料為Cu，電解質(zhì)溶液為FeCl3溶液，10min內(nèi)該電池向外提供0.2mol電子，負極材料的質(zhì)量變化為6.4g，假設(shè)該電解質(zhì)溶液為1L，則以Fe3+濃度變化表示的該反應(yīng)的速率為0.02mol/（L．min）．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：選擇題

13．下列有關(guān)甲苯的說法中，不正確的是（　�。�
A．可以制造烈性炸藥TNTB．可以與氫氣發(fā)生加成反應(yīng)
C．可以與溴水發(fā)生取代反應(yīng)D．可以被高錳酸鉀酸性溶液氧化

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：填空題

10．有下列六組物質(zhì)，請按要求選擇合適的序號填空：
A．O2和O3        B．${\;}_{6}^{13}$C和${\;}_{6}^{12}$C   C．CH3-CH2-CH2-CH3和CH3-CH（CH3） CH3
D．冰醋酸和乙酸          E．甲烷和庚烷        F．淀粉和纖維素
（1）互為同位素的是B；
（2）屬于同系物的是E；
（3）互為同分異構(gòu)體的是C；
（4）屬于同一物質(zhì)的是D．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：選擇題

17．下列物質(zhì)中，屬于天然高分子化合物的是（　　）
A．塑料B．合成纖維C．蛋白質(zhì)D．合成橡膠

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：解答題

7．化學(xué)反應(yīng)中伴隨著能量變化．
（1）下列反應(yīng)中，屬于吸熱反應(yīng)的是b（填序號）．
a．燃燒CO    b．Ba（OH）2•8H2O晶體和NH4l晶體反應(yīng)
c．鋁和稀鹽酸反應(yīng)  d．NaOH溶液和稀鹽酸反應(yīng)
（2）按圖1所示裝置進行實驗．

【實驗現(xiàn)象】反應(yīng)劇烈，火星四射，漏斗下方有紅熱熔融物流出．
由此判斷該反應(yīng)是放熱（填“吸熱”或“放熱”）反應(yīng)，其反應(yīng)的化學(xué)方程式是Fe2O3+2Al Al2O3+2 Fe，其能量變化可用圖2中的a（填“a”或“b”）表示．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：選擇題

14．在試劑①濃氨水②氯水③硝酸銀④濃硝酸⑤濃鹽酸中，必須用棕色瓶保存的是（　�。�
A．全部B．②③④C．②③⑤D．①③④

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：選擇題

11．下列有關(guān)敘述正確的是（　�。�
A．HF的穩(wěn)定性很強，是因為其分子間能形成氫鍵
B．含有金屬陽離子的晶體不一定是離子晶體
C．碘單質(zhì)在水溶液中溶解度很小是因為I2和H2O都是非極性分子
D．對于組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，一定是相對分子質(zhì)量越大，熔沸點越高

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：解答題

12．如圖為中學(xué)化學(xué)實驗中的常見實驗裝置

（1）裝置A可用于制備多種氣體．請寫出用A裝置制備下列氣體時．圓底燒瓶和分液漏斗中應(yīng)裝入的化學(xué)試劑．
氣體O2CO2NH3
試劑
（2）裝置B收集多種氣體，若要用于收集氨氣．則進氣管為b（填字母）：
若要收集NO，簡述用裝置B收集NO的方法將B瓶中裝滿水，塞上橡皮塞，從b口通入NO氣體，將水從a口排出．
（3）現(xiàn)要用上述裝置制取Cl2設(shè)計實驗比較氯元素和硫元索的非金屬性的強弱．請在表格內(nèi)依次填上所需的裝置和所發(fā)生的離子反應(yīng)方程式（可不填滿）．
裝置離子方程式

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