下面的排序不正確的是

A.晶體熔點(diǎn)由低到高:CF4<CCl4<CBr4<CI4

B.硬度由大到。航饎偸>碳化硅>晶體硅

C.熔點(diǎn)由高到低:Na>Mg>Al

D.晶格能由大到。 NaF> NaCl> NaBr>NaI

 

【答案】

C

【解析】

 

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

下面的排序不正確的是(  )

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

下面的排序不正確的是( 。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

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A、電負(fù)性的大。篊l>S>Al>MgB、硬度由大到。航饎偸咎蓟瑁揪w硅C、熔點(diǎn)由高到低:石英>食鹽>干冰>鈉D、晶格能由大到。篘aF>NaCl>NaBr>NaI

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

下面的排序不正確的是

     A.晶體熔點(diǎn)由低到高:CF4<CCl4<CBr4<CCI4

     B.硬度由大到。航饎偸>碳化硅>晶體硅

     C.熔點(diǎn)由高到低:Na>Mg>Al

     D.晶格能由大到小:NaF> NaCl> NaBr>NaI

【解析】A中物質(zhì)形成的晶體是分子晶體,其熔點(diǎn)和分子間作用力有關(guān),相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間作用力就越大,A正確。在原子晶體中共價(jià)鍵越強(qiáng),硬度越大。形成共價(jià)鍵的原子半徑越小,共價(jià)鍵越強(qiáng),碳原子比較小于硅原子半徑,所以B正確C中物質(zhì)形成的晶體是金屬晶體,金屬晶體中金屬鍵越強(qiáng),熔點(diǎn)越高。而金屬鍵強(qiáng)弱與金屬陽離子半徑和所帶的電荷數(shù)有關(guān),陽離子半徑越小,電荷數(shù)越多,金屬鍵越強(qiáng),所以熔點(diǎn)由高到低是Na<Mg<Al,C不正確。D中物質(zhì)全部是離子晶體,形成離子晶體的離子鍵越強(qiáng),晶格能越大。形成離子鍵的離子半徑越小,所帶電荷數(shù)越多,離子鍵越強(qiáng),所以D是正確的。答案選C。

 

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科目:高中化學(xué) 來源:2013屆山西省高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題

下面的排序不正確的是

     A.晶體熔點(diǎn)由低到高:CF4<CCl4<CBr4<CCI4

     B.硬度由大到。航饎偸>碳化硅>晶體硅

     C.熔點(diǎn)由高到低:Na>Mg>Al

     D.晶格能由大到小:NaF> NaCl> NaBr>NaI

【解析】A中物質(zhì)形成的晶體是分子晶體,其熔點(diǎn)和分子間作用力有關(guān),相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間作用力就越大,A正確。在原子晶體中共價(jià)鍵越強(qiáng),硬度越大。形成共價(jià)鍵的原子半徑越小,共價(jià)鍵越強(qiáng),碳原子比較小于硅原子半徑,所以B正確C中物質(zhì)形成的晶體是金屬晶體,金屬晶體中金屬鍵越強(qiáng),熔點(diǎn)越高。而金屬鍵強(qiáng)弱與金屬陽離子半徑和所帶的電荷數(shù)有關(guān),陽離子半徑越小,電荷數(shù)越多,金屬鍵越強(qiáng),所以熔點(diǎn)由高到低是Na<Mg<Al,C不正確。D中物質(zhì)全部是離子晶體,形成離子晶體的離子鍵越強(qiáng),晶格能越大。形成離子鍵的離子半徑越小,所帶電荷數(shù)越多,離子鍵越強(qiáng),所以D是正確的。答案選C。

 

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