前四周期原子序數(shù)依次增大的元素A、B、C、D中,A和B的價電子層中未成對電子均只有1個,并且A-和B+的電子數(shù)相差為8;與B位于同一周期的C和D,它們價電子層中的未成對電子數(shù)分別為4和2,且原子序數(shù)相差為2。

(3)A、B和D三種元素組成的一個化合物的晶胞如圖所示。

①該化合物的化學(xué)式為________;D的配位數(shù)為__________;

②列式計算該晶體的密度__________g·cm-3。

(4)A-、B+和C3+三種離子組成的化合物B3CA6,其中化學(xué)鍵的類型有______________;該化合物中存在一個復(fù)雜離子,該離子的化學(xué)式為__________,配位體是____________。


答案 (3)①K2NiF4 6

≈3.4

(4)離子鍵、配位鍵 [FeF6]3- F-

解析 有4個未成對電子的一定是過渡金屬,前四周期元素中只有3d64s2符合,因而C為Fe元素,順推出D為Ni,B為K,A為F。

(3)①A(F)原子數(shù)=×16+×4+2=8

B(K)原子數(shù)=×8+2=4

D(Ni)原子數(shù)=×8+1=2

即該化合物的化學(xué)式為K2NiF4

D的配位體是距其最近的異種原子A,分別在它的前面、后面、左邊、右邊、上邊、下邊,共6個A原子。

(4)在K3FeF6中含有K+與[FeF6]3-之間的離子鍵和[FeF6]3-中Fe3+與F-之間的配位鍵,在配離子[FeF6]3-中F-是配位體。


練習(xí)冊系列答案
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洗滌含SO2的煙氣。以下物質(zhì)可作洗滌劑的是________。

a.Ca(OH)2  b.Na2CO3

c.CaCl2  d.NaHSO3

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已知鑭鎳合金LaNin的晶胞結(jié)構(gòu)如下圖,則LaNin中n=________。

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在晶體模型中,金剛石中的“棍”和干冰中的“棍”表示的意義一樣嗎?分子晶體中有化學(xué)鍵嗎?

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(1)將等徑圓球在二維空間里進(jìn)行排列,可形成密置層和非密置層。在圖1所示的半徑相等的圓球的排列中,A屬于________層,配位數(shù)是________;B屬于________層,配位數(shù)是________。

(2)將非密置層一層一層地在三維空間里堆積,得到如圖2所示的一種金屬晶體的晶胞,它被稱為簡單立方堆積,在這種晶體中,金屬原子的配位數(shù)是______,平均每個晶胞所占有的原子數(shù)目是__________。

(3)有資料表明,只有釙的晶體中的原子具有如圖2所示的堆積方式。釙位于元素周期表的第__________周期第________族,元素符號是________,最外層電子排布式是________________________________________。

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Ⅰ.對于鈉的鹵化物(NaX)和硅的鹵化物(SiX4),下列敘述正確的是(  )

A.SiX4難水解

B.SiX4是共價化合物

C.NaX易水解

D.NaX的熔點(diǎn)一般低于SiX4

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有關(guān)化學(xué)鍵和晶體的說法中正確的是(  )

A.離子鍵的本質(zhì)是靜電作用,陰陽離子電荷越大、離子半徑越小,靜電作用越強(qiáng)

B.共價鍵的本質(zhì)是共用電子對,因此必須由成鍵的兩原子各提供一個電子形成

C.分子晶體的基本微粒是分子,分子晶體溶沸點(diǎn)由分子內(nèi)部共價鍵強(qiáng)弱決定

D.原子晶體由于是空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),因此只能由碳、硅兩元素構(gòu)成

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按要求填空(均為短周期元素)

(1)最外層電子數(shù)為1的元素有______(填元素符號,下同)。

(2)最外層電子數(shù)為2的元素有______。

(3)最外層電子數(shù)與次外層電子數(shù)相等的元素有______。

(4)最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)2倍的元素是______。

(5)最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)3倍的元素是______。

(6)次外層電子數(shù)是最外層電子數(shù)2倍的元素有______。

(7)內(nèi)層電子總數(shù)是最外層電子數(shù)2倍的元素有______。

(8)電子層數(shù)與最外層電子數(shù)相等的元素有______。

(9)最外層電子數(shù)是電子層數(shù)2倍的元素有______。

(10)最外層電子數(shù)是電子層數(shù)3倍的元素有______。

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足量的下列物質(zhì)與等體積等濃度的氫氧化鈉溶液在一定條件下充分反應(yīng),消耗物質(zhì)的物質(zhì)的量最多的是(  )

A.S  B.Cl2

C.Si  D.Al

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