Question

氮化硅(Si₃N₄)是一種優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷，在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途。
Ⅰ工業(yè)上有多種方法來(lái)制備氮化硅，常見(jiàn)的方法有：
方法一直接氮化法：在1 300-l 400℃時(shí)，高純粉狀硅與純氮?dú)饣�合，其反�?yīng)方程式為_(kāi)_________：
方法二化學(xué)氣相沉積法：在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氯氣、氫氣反應(yīng)生成氯化硅和HCl，與方法一相比，用此法制得的氮化硅純度較高，其原因是____________________。
方法三 Si(NH₂)₄熱分解法：先用四氯化硅與氨氣反應(yīng)生成Si(NH₂)₄和一種氣體________（填分子式）；然后使Si(NH₂)₄受熱分解，分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為_(kāi)___________。
Ⅱ．(1)氨化硅抗腐蝕能力很強(qiáng)，但易被氫氟酸腐蝕，氨化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅和一種銨鹽，此鹽中存在的化學(xué)鍵類(lèi)型有____________。
(2)已知：25℃，101 kPa條件下的熱化學(xué)方程式：
3Si(s)+2N₂(g)=Si₃N₄(s);△H= -750.2kJ/mol
Si(s)+2Cl₂(g)=SiCl₄(g);△H=-609.6 kJ/mol
H₂(g)+Cl₂(g)=HCl(g)；△H=-92.3 kJ/mol
請(qǐng)寫(xiě)出四氯化硅氣體與氮?dú)狻�氫氣反�?yīng)的熱化學(xué)方程式：____________________。
Ⅲ．工業(yè)L制取高純硅和四氯化硅的生產(chǎn)流程如下：

已知：X，高純硅、原料B的主要成分都可與Z反應(yīng)，Y與X在光照或點(diǎn)燃條件下可反應(yīng)，Z的焰色呈黃色。 (1)原料B的主要成分是____________。
(2)寫(xiě)出焦炭與原料B中的主要成分反應(yīng)的化學(xué)方程式：____________________
(3)上述生產(chǎn)流程中電解A的水溶液時(shí)，陽(yáng)極材料能否用Cu？___________（填“能”或“不能”）。寫(xiě)出Cu為陽(yáng)極電解A的水溶液開(kāi)始一段時(shí)間陰陽(yáng)極的電極方程式：
陽(yáng)極:___________________；陰極：_____________________

Answer 1

Ⅰ．方法一：3Si+2N₂Si₃N₄
方法二：方法一所得到的產(chǎn)品中混有單質(zhì)硅或方法二除產(chǎn)品是固體，其他物質(zhì)均為氣體
方法三：HCl；NH₃
Ⅱ．(1)離子鍵、共價(jià)鍵；(2) 3SiCl₄(g)+2N₂(g)+6H₂(g)=Si₃N₄(g)+12HCl(g);△=-29.0kJ/mol
Ⅲ．(1)二氧化硅；(2)SiO₂+2CSi+2CO↑；(3)不能；Cu-2e^-=Cu²⁺；2H₂O+2e^-=H₂↑+2OH^-