Question

【題目】（選修3物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)）（15分）

VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含VIA族元素的化臺(tái)物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）S單質(zhì)的常見形式為S8，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示，S原子采用的軌道雜化方式是 ；

（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離

子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?/span> ；

（3）Se原子序數(shù)為 ，其核外M層電子的排布式為 ；

（4）H2Se的酸性比H2S （填“強(qiáng)”或“弱”）。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型

為 ，SO32-離子的立體構(gòu)型為 ；

（5）H2SeO3的K1和K2分別為2.7x l0-3和2.5x l0-8，H2SeO4第一步幾乎完全電離，

K2為1.2X10-2，請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋：

①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因：

；

② H2SeO4比 H2SeO3酸性強(qiáng)的原因：

（6）ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示，其晶胞邊長(zhǎng)為540.0 pm．密度為 （列式并計(jì)算），a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為 pm（列示表示）

Answer 1

【答案】（1）SP3

（2）O＞S＞Se

（3）34 3s23p63d10

（4）強(qiáng) 正四面體 平面三角形

（5）①H2SeO4和H2SeO3第一步電離產(chǎn)生的氫離子抑制第二步電離，所以第一步電離程度大于第二步電離程度。

②對(duì)同一種元素的含鹽酸來(lái)說(shuō)，該元素的化合價(jià)越高，其含氧酸的酸性越強(qiáng)。

（6）4.1

【解析】

（1）因?yàn)?/span>S8為環(huán)狀立體結(jié)構(gòu)，鍵角為120°，所以軌道雜化方式為SP3。

（2）根據(jù)同主族電離能變化規(guī)律，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?/span>O＞S＞Se.（3）Se原子序數(shù)為34，其核外M層電子的排布式為3s23p63d10（4）原子半徑越大，氫化物越容易電離出氫離子，所以H2Se的酸性比H2S強(qiáng)。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為正四面體，SO32-離子的立體構(gòu)型為平面三角形。（5）①H2SeO4和H2SeO3第一步電離產(chǎn)生的氫離子抑制第二步電離，所以第一步電離程度大于第二步電離程度。