2010年上海世博會(huì)是一次清潔能源技術(shù)的集中展示,其一是世博會(huì)的主要建筑都安裝了太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng),系統(tǒng)引進(jìn)了最先進(jìn)的太陽(yáng)能半導(dǎo)體薄膜,儲(chǔ)藏陽(yáng)光并轉(zhuǎn)化為電能.下列敘述不正確的是( 。
分析:A.太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)無(wú)污染;
B.光伏發(fā)電系統(tǒng)是將光能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔埽?br />C.太陽(yáng)能電池板的材料主要是硅;
D.清潔能源是指在生產(chǎn)和使用過(guò)程、不產(chǎn)生有害物質(zhì)排放的能源.
解答:解:A.太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)無(wú)污染,符合低碳、綠色、科技的世博理念,故A正確;
B.光伏發(fā)電系統(tǒng)是光能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿难b置,故B正確;
C.太陽(yáng)能電池板的材料主要是硅單質(zhì),故C錯(cuò)誤;
D.核能、水力、風(fēng)力、生物能(沼氣)、海潮能等無(wú)污染,都是清潔能源,故D正確.
故選C.
點(diǎn)評(píng):本題考查新能源,難度不大,注意核能、水力、風(fēng)力、生物能(沼氣)、海潮能等都是清潔能源.
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

2010年上海世博會(huì)場(chǎng)館,大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED).目前市售LED品片,材質(zhì)基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、lnGaN(氮化銦鎵)為主.已知鎵是鋁同族下一周期的元素.砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖.試回答:
(1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
[Ar]3d104s24p1
[Ar]3d104s24p1

(2)砷化鎵晶胞中所包含的砷原子(白色球)個(gè)數(shù)為
4
4
,與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子成的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體

(3)N、P、As處于同一主族,其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是
NH3>AsH3>PH3
NH3>AsH3>PH3
. (用氫化物分子式表示)
(4)砷化鎵可由(CH33Ga和AsH3在700℃時(shí)制得.(CH33Ga中鎵原子的雜化方式為
sp2
sp2

(5)比較二者的第一電離能:As
Ga(填“<”、“>”或“=”).
(6)下列說(shuō)法正確的是
BCD
BCD
(填字母).
A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同B.GaP與GaAs互為等電子體
C.電負(fù)性:As>Ga       D.砷化鎵晶體中含有配位鍵.

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

2010年上海世博會(huì)場(chǎng)館大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED).目前市售LED晶片材質(zhì)基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、InGaN(氮化銦鎵)為主.已知鎵是鋁同族下一周期的元素.砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖.試回答:
(1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
1s22s22p63d104s24p1
1s22s22p63d104s24p1

(2)比較二者的第一電離能:As
Ga(填“<”、“>”或“=”).
(3)砷化鎵晶胞中所包含的砷原子(白色球)個(gè)數(shù)為
4
4
,與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體

(4)砷化鎵可由(CH33Ga和AsH3在700℃時(shí)制得.(CH33Ga中鎵原子的雜化方式為
sp2
sp2

(5)N、P、As處于同一主族,其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是
NH3>AsH3>PH3
NH3>AsH3>PH3
.(用氫化物分子式表示)
(6)下列說(shuō)法正確的是
BCD
BCD
(填字母).
A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同       B.GaP與GaAs互為等電子體
C.電負(fù)性:As>Ga                  D.砷化鎵晶體中含有配位鍵.

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

2010年上海世博會(huì)主題是“城市,讓生活更美好”,下列有關(guān)世博會(huì)說(shuō)法錯(cuò)誤的是( 。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(2011?南京模擬)2010年上海世博會(huì)場(chǎng)館,大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED).目前市售LED品片,材質(zhì)基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、InGaN(氮化銦鎵)為主.砷化鎵的品胞結(jié)構(gòu)如圖.試回答:
(1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
ls22s22p63s23p63d104s24p1(或[Ar]3d104s24p1
ls22s22p63s23p63d104s24p1(或[Ar]3d104s24p1

(2)砷化鎵品胞中所包含的砷原子(白色球)個(gè)數(shù)為
4
4
,與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體

(3)下列說(shuō)法正確的是
BCDE
BCDE
(填字母).
A.砷化鎵品胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同
B.第一電離能:As>Ga
C.電負(fù)性:As>Ga
D.砷化鎵晶體中含有配位鍵
E.GaP與GaAs互為等電子體
(4)N、P、As處于同一主族,其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是
NH3>AsH3>PH3
NH3>AsH3>PH3

(5)砷化鎵可由(CH33Ga和AsH3在700℃時(shí)制得.(CH33Ga中鎵原子的雜化方式為
sp2
sp2

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(2011?石景山區(qū)一模)2010年上海世博會(huì)的主題是“城市,讓生活更美好”.下列敘述中不正確的是( 。

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